半导体材料与器件表征（第3版）/国外名校最新教材精选

作者: [美] 迪特尔·K·施罗德著 , 徐友龙译 , 任巍译 , 王杰译 , 阙文修译 , 汪敏强译

出版社: 西安交通大学出版社

出版时间: 2017-12

版次: 1

ISBN: 9787569302189

定价: 128.00

装帧: 平装

开本: 16开

纸张: 胶版纸

页数: 714页

正文语种: 简体中文

丛书: 国外名校最新教材精选

分类: 教材教辅考试>教辅>其他教辅>其他

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　　本书第3版完全囊括了该领域的新发展现状，并包括了新的教学手段，以帮助读者能更好地理解。第3版不仅阐述了所有新的测量技术，而且检验了现有技术的新解释和新应用。
　　本书仍然是专门用于半导体材料与器件测量表征技术的教科书。覆盖范围包括全方位的电气和光学表征方法，包括更专业化的化学和物理技术。熟悉前两个版本的读者会发现一个彻底修订和更新的第3版，包括：
　　反映新数据和信息的更新及订正图表和实例
　　260个新的参考文献有关新的研究和讨论的专题
　　每章结尾增加用来测试读者对内容理解的新习题和复习题
　　读者将在每章中找到完全更新和修订的节。
　　另外还增加了两个新章节：
　　基于电荷和探针的表征方法引入电荷测量和开尔文探针。本章还研究了基于探针的测量，包括扫描电容、扫描开尔文探针、扫描扩散电阻和弹道电子发射显微镜。
　　可靠性和失效分析研究了失效时间和分布函数，讨论了电迁移、热载流子、栅氧化层完整性、负偏压温度不稳定性、应力诱导漏电流和静电放电。
　　该教科书由本领域国际公认的撰写。《半导体材料与器件表征》对研究生以及半导体器件和材料领域的专业人员来说仍然是必不可少的阅读材料。　　迪特尔·K·施罗德，（DIETER K.SCHRODER）博士，美国亚利桑那州立大学电气工程系教授。他是亚利桑那州立大学工学院教学优秀奖和几个其它教学奖获得者。除了《半导体材料与器件表征》这本书外，施罗德博士也是《先进MOS器件》的作者。译者序
第3版序言

第1章电阻率
1．1 引言
1．2 两探针与四探针法
1．2．1 修正因子
1．2．2 任意形状样品的电阻率
1．2．3 测量电路
1．2．4 测量误差和注意事项
1．3 晶片图
1．3．1 双注入
1．3．2 调制光反射
1．3．3 载流子光照（CI）
1．3．4 光学密度测定（光密度计）
1．4 电阻压型
1．4．1 微分霍尔效应（DHE）
1．4．2 扩散电阻压型（SRP）
1．5 非接触测试方法
1．5．1 涡旋电流
1．6 导电类型
1．7 优点和缺点
附录1．1 电阻率随掺杂浓度的变化
附录1．2 本征载流子浓度
参考文献
习题
复习题

第2章载流子与掺杂浓度
2．1 引言
2．2 电容-电压特性（C-V）
2．2．1 微分电容
2．2．2 能带偏移
2．2．3 最大-最小MOS-C电容
2．2．4 积分电容
2．2．5 汞探针接触
2．2．6 电化学C-V测试仪（ECV）
2．3 电容-电压（I-V）
2．3．1 MOSFET衬底电压-栅极电压
2．3．2 MOSFET阈值电压
2．3．3 扩散电阻
2．4 测量误差及注意事项
2．4．1 德拜长度和电压击穿
2．4．2 串联电阻
2．4．3 少数载流子和界面陷阱
2．4．4 二极管边缘电容和杂散电容
2．4．5 过剩漏电流
2．4．6 深能级杂质／陷阱
2．4．7 半绝缘衬底
2．4．8 仪器限制
2．5 霍尔效应
2．6 光学技术
2．6．1 等离子体共振
2．6．2 自由载流子吸收
2．6．3 红外光谱学
2．6．4 光致发光
2．7 二次离子质谱分析法（SIMS）
2．8 卢瑟福背散射（RBS）
2．9 横向分布
2．10 优点和缺点
附录2．1 并联或串联连接
附录2．2 电路转换
参考文献
习题
复习题

第3章接触电阻和肖特基势垒
第4章串联电阻，沟道长度与宽度，阈值电压
第5章缺陷
第6章栅氧电荷、界面陷阱电荷和栅氧厚度
第7章载流子寿命
第8章迁移率
第9章基于电荷和探针的表征技术
第10章光学表征
第11章化学和物理表征
第12章可靠性和失效分析
附录1 符号表
附录2 术语与缩写
索引
内容简介:
　　本书第3版完全囊括了该领域的新发展现状，并包括了新的教学手段，以帮助读者能更好地理解。第3版不仅阐述了所有新的测量技术，而且检验了现有技术的新解释和新应用。
　　本书仍然是专门用于半导体材料与器件测量表征技术的教科书。覆盖范围包括全方位的电气和光学表征方法，包括更专业化的化学和物理技术。熟悉前两个版本的读者会发现一个彻底修订和更新的第3版，包括：
　　反映新数据和信息的更新及订正图表和实例
　　260个新的参考文献有关新的研究和讨论的专题
　　每章结尾增加用来测试读者对内容理解的新习题和复习题
　　读者将在每章中找到完全更新和修订的节。
　　另外还增加了两个新章节：
　　基于电荷和探针的表征方法引入电荷测量和开尔文探针。本章还研究了基于探针的测量，包括扫描电容、扫描开尔文探针、扫描扩散电阻和弹道电子发射显微镜。
　　可靠性和失效分析研究了失效时间和分布函数，讨论了电迁移、热载流子、栅氧化层完整性、负偏压温度不稳定性、应力诱导漏电流和静电放电。
　　该教科书由本领域国际公认的撰写。《半导体材料与器件表征》对研究生以及半导体器件和材料领域的专业人员来说仍然是必不可少的阅读材料。
作者简介:
　　迪特尔·K·施罗德，（DIETER K.SCHRODER）博士，美国亚利桑那州立大学电气工程系教授。他是亚利桑那州立大学工学院教学优秀奖和几个其它教学奖获得者。除了《半导体材料与器件表征》这本书外，施罗德博士也是《先进MOS器件》的作者。
目录:
译者序
第3版序言

第1章电阻率
1．1 引言
1．2 两探针与四探针法
1．2．1 修正因子
1．2．2 任意形状样品的电阻率
1．2．3 测量电路
1．2．4 测量误差和注意事项
1．3 晶片图
1．3．1 双注入
1．3．2 调制光反射
1．3．3 载流子光照（CI）
1．3．4 光学密度测定（光密度计）
1．4 电阻压型
1．4．1 微分霍尔效应（DHE）
1．4．2 扩散电阻压型（SRP）
1．5 非接触测试方法
1．5．1 涡旋电流
1．6 导电类型
1．7 优点和缺点
附录1．1 电阻率随掺杂浓度的变化
附录1．2 本征载流子浓度
参考文献
习题
复习题

第2章载流子与掺杂浓度
2．1 引言
2．2 电容-电压特性（C-V）
2．2．1 微分电容
2．2．2 能带偏移
2．2．3 最大-最小MOS-C电容
2．2．4 积分电容
2．2．5 汞探针接触
2．2．6 电化学C-V测试仪（ECV）
2．3 电容-电压（I-V）
2．3．1 MOSFET衬底电压-栅极电压
2．3．2 MOSFET阈值电压
2．3．3 扩散电阻
2．4 测量误差及注意事项
2．4．1 德拜长度和电压击穿
2．4．2 串联电阻
2．4．3 少数载流子和界面陷阱
2．4．4 二极管边缘电容和杂散电容
2．4．5 过剩漏电流
2．4．6 深能级杂质／陷阱
2．4．7 半绝缘衬底
2．4．8 仪器限制
2．5 霍尔效应
2．6 光学技术
2．6．1 等离子体共振
2．6．2 自由载流子吸收
2．6．3 红外光谱学
2．6．4 光致发光
2．7 二次离子质谱分析法（SIMS）
2．8 卢瑟福背散射（RBS）
2．9 横向分布
2．10 优点和缺点
附录2．1 并联或串联连接
附录2．2 电路转换
参考文献
习题
复习题

第3章接触电阻和肖特基势垒
第4章串联电阻，沟道长度与宽度，阈值电压
第5章缺陷
第6章栅氧电荷、界面陷阱电荷和栅氧厚度
第7章载流子寿命
第8章迁移率
第9章基于电荷和探针的表征技术
第10章光学表征
第11章化学和物理表征
第12章可靠性和失效分析
附录1 符号表
附录2 术语与缩写
索引