模拟集成电路的分析与设计:第4版

模拟集成电路的分析与设计
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作者:
出版社: 高等教育出版社
2003-10
版次: 1
ISBN: 9787040130430
定价: 68.00
装帧: 平装
开本: 16开
纸张: 其他
页数: 875页
分类: 工程技术
  •   集成电路有源器件模型,双极型、MOS、BiCMOS集成电路技术,单晶体管和多晶体管放大器,电流镜、有源负载及其电压和电流参考值,输出级,单端输出的运算放大器,集成电路的频率响应,反馈,反馈放大器的频率响应与稳定性,非线性模拟电路,集成电路中的噪声,全差分运算放大器。本书可用作高等学校电子信息类本科生的教材或参考书。 CHAPTER1
    ModelsforIntegrated-CircuitActive
    Devices1
    1.1
    Introduction1
    1.2
    DepletionRegionofapnJunction1
    1.2.1Depletion-RegionCapacitance5
    1.2.2JunctionBreakdown6
    1.3
    Large-SignalBehaviorofBipolarTransistors8
    1.3.1Large-SignalModelsintheForward-ActiveRegion9
    1.3.2EffectsofCollectorVoltageonLarge-SignalCharacteristicsintheForward-ActiveRegion14
    1.3.3SaturationandInverseActiveRegions16
    1.3.4TransistorBreakdownVoltages20
    1.3.5DependenceofTransistorCurrentGain/3ronOperatingConditions23
    1.4
    Small-SignalModelsofBipolarTransistors26
    1.4.1Transconductance27
    1.4.2Base-ChargingCapacitance28
    1.4.3InputResistance
    ……
  • 内容简介:
      集成电路有源器件模型,双极型、MOS、BiCMOS集成电路技术,单晶体管和多晶体管放大器,电流镜、有源负载及其电压和电流参考值,输出级,单端输出的运算放大器,集成电路的频率响应,反馈,反馈放大器的频率响应与稳定性,非线性模拟电路,集成电路中的噪声,全差分运算放大器。本书可用作高等学校电子信息类本科生的教材或参考书。
  • 目录:
    CHAPTER1
    ModelsforIntegrated-CircuitActive
    Devices1
    1.1
    Introduction1
    1.2
    DepletionRegionofapnJunction1
    1.2.1Depletion-RegionCapacitance5
    1.2.2JunctionBreakdown6
    1.3
    Large-SignalBehaviorofBipolarTransistors8
    1.3.1Large-SignalModelsintheForward-ActiveRegion9
    1.3.2EffectsofCollectorVoltageonLarge-SignalCharacteristicsintheForward-ActiveRegion14
    1.3.3SaturationandInverseActiveRegions16
    1.3.4TransistorBreakdownVoltages20
    1.3.5DependenceofTransistorCurrentGain/3ronOperatingConditions23
    1.4
    Small-SignalModelsofBipolarTransistors26
    1.4.1Transconductance27
    1.4.2Base-ChargingCapacitance28
    1.4.3InputResistance
    ……
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