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射频电路和射频集成电路设计中的关键课题

作者: Richard Chi-Hsi Li 著

出版社: 高等教育出版社

出版时间: 2005-02

版次: 1

ISBN: 9787040159585

定价: 40.10

装帧: 平装

开本: 16开

纸张: 胶版纸

页数: 395页

字数: 490千字

正文语种: 英语

分类: 工程技术

　　《射频电路和射频集成电路设计中的关键课题》总共十二章，涵盖六个关键性的课题：1）阻抗匹配；2）射频接地；3）单端和差分线路；4）误差分析；5）展望射频集成电路设计；6）射频电路的基本参数和指标。

射频电路设计中最大的特点是阻抗匹配。没有阻抗匹配的电路设计就不是射频电路设计。阻抗匹配也是射频电路设计和数码电路设计的主要差別之处。由于它的重要性，《射频电路和射频集成电路设计中的关键课题》的第一章和第二章比较详细地讨论了这一关键性课题。其余的章节是在射频电路设计中最需要的基本知识，包括：什么是射频电路的基本参数？为什么目前在射频和射频集成电路设计中出现从单端转化为差分结构的趋势？射频集成电路设计的主要难题是什么？如何克服这些障碍?在射频电路设计中，射频电路单元性能的好坏往往取决于射频接地的成功与否。射频电路的误差分析则关系到产品合格率，而产品合格率是一间公司的生命线。

《射频电路和射频集成电路设计中的关键课题》有两个特色。

首先，在已出版了的大多数射频电路和射频集成电路设计的书中，其內容是讨论一个个射频电路单元，譬如，低噪声放大器，混频器，功率放大器，压控振蕩器，頻率综合器。因此，可以把它们归类为纵向论述的书。《射频电路和射频集成电路设计中的关键课题》则不是讨论一个个射频电路单元，而是着重论述和強调在射频电路和射集成电路设计中共同的关键性课题，因此，这是一本橫向论述的书。其次，尽管有些内容是引自出版了的书刊和文献。在本讲座中不少内容是引自《射频电路和射频集成电路设计中的关键课题》作者的设计和工作报告。

《射频电路和射频集成电路设计中的关键课题》可作为以下读者在射频电路和射频集成电路的设计，研究和学习中的参考书：

射频电路和射频集成电路设计工程师，测试工程师，系统工程师和经理；

射频电路和射频集成电路的有关研究人员；

射频电路和射频集成电路有关专业的大学本科生，研究生和教授。　　RichardChi-HsiLi，male，wasborninNanAn，QuanZhou，Fujian，China.HegraduatedinthePhysicsDepartmentofFuDanUnversity，Shanghai，Chinain1985.From1958to1973.heandbeenworkingfortheInstituteofGeophysics，ChineseacademyandtheUniversityofChinaScienceandTechnology，Beijing，China. Chapter1ImportanceofImpedanceMatching

1．1DifferencebetweenRFandDigitalCircuitDesign

1．1．1Case1:DigitalCircuitsatLowDataRate

1．1．2Case2:DigitalCircuitsatHighDataRate

1．2SignificanceofImpedanceMatching

1．2．1PowerTransportationfromaSourcetoaLoad

1．2．2MaximizingofPowerTransportationwithoutPhaseShift

1．2．3ConjugateImpedanceMatchingandVoltageReflectionCoefficient

1．2．4ImpedanceMatchingNetwor

1．3ProblemsduetoUnmatchedStatusofImpedance

1．3．1GeneralExpressionofPowerTransportation

1．3．2PowerInstabilityandAdditionalPowerLos

1．3．3AdditionalDistortionandQuasi-Noise

1．3．4PowerMeasurement

1．3．5PowerTransportationandVoltageTransportatio

1．3．6BurningofaTransistor

References

Chapter2ImpedanceMatching

2．1ImpedanceMeasuredbySmallSignal

2．1．1ImpedanceMeasuredbySParameterMeasurement

2．1．2TheSmithChart:ImpedanceandAdmittanceCoordinatio

2．1．3AccuracyofSmithChartl

2．1．4RelationshipbetweentheImpedanceinSeriesandinParallel

2．2ImpedanceMeasuredbyLargeSignal

2．3ImpedanceMatching

2．3．1OnePartMatchingNetwork

2．3．2RecognitionofRegionsinaSmithChart

2．3．3TwoPartsMatchingNetwork

2．3．4TwoPartsUpwardandDownwardImpedanceTransformer

2．3．5ThreePartsMatchingNetworkandImpedanceTransformer

2．3．5．1TopologyLimitationofTwoPartsMatchingNetwork

2．3．5．2ΠTypeMatchingNetwork

2．3．5．3TTypeMatchingNetwork

2．4SomeUsefulSchemesforImpedanceMatching

2．4．1DesignsandTestswhenZLisnot50Ω

2．4．2Conversionbetween“T”and“Π”TypeMatchingNetwork

2．4．3PartsinaMatchingNetwork

2．4．4ImpedanceMatchingbetweenPowerTransportationUnits

2．4．5ImpedanceMatchingforaMixer

References

Chapter3RFGrounding

3．1ATrueStory

3．2ThreeComponentsforRFGrounding

3．2．1“Zero”Capacitors

3．2．2MicroStripLine

3．2．3RFCable

3．3ExamplesofRFgrounding

3．3．1TestPCB

3．3．1．1SmallTestPCB

3．3．1．1．1BasicTypesofTestPCB

3．3．1．1．2RFGroundingwithaRectngularMetallicFrame

3．3．1．1．3AnExample

3．3．1．2LargeTestPCB

3．3．1．2．1RFGroundingby“Zero”ChipCapacitors

3．3．1．2．2RFGroundingbyaRunneroraCablewithHalforQuarterWavelength

3．3．2IsolationbetweenInputandOutputinaMixeroranUp-converter

3．3．3CalibrationforNetworkAnalyzer

3．4RFGroundingforReductionofReturnCurrentCoupling

3．4．1ACircuitBuiltbyDiscretePartsonaPCB

3．4．2RFICs

References

Chapter4EquivalentCircuitsofPassiveChipParts

4．1ModelingofPassiveChipParts

4．2CharacterizingofPassiveChipPartsbyNetworkAnalyzer

4．3ExtractionfromtheMeasurementbyNetworkAnalyzer

4．3．1ChipCapacitor

4．3．2ChipInductor

4．3．3ChipResistor

4．4Summary

References

Chapter5Single-endedStageandDifferentialPair

5．1BasicSingle-endedStage

5．1．1GeneralDescription

5．1．2SmallSignalModelofaBipolarTransistor

5．1．2．1ImpedanceofaCE(CommonEmitter)Device

5．1．2．2ImpedanceofaCB(CommonBase)Device

5．1．2．3ImpedanceofaCC(CommonCollector)Device

5．1．2．4ComparisonbetweenCE，CB，andCCDevice

5．1．3Small-signalModelofaMOSFET

5．1．3．1ImpedanceofaCS(CommonSource)Device

5．1．3．2ImpedanceofaCG(CommonGate)Device

5．1．3．3ImpedanceofaCD(CommonDrain)Device

5．1．3．4ComparisonbetweenCS，CG，andCDDevice

5．2DifferentialPair

5．2．1DCTransferCharacteristic

5．2．1．1DCTransferCharacteristicofaBipolarDifferentialPair

5．2．1．2DCTransferCharacteristicofaCMOSDifferentialPair

5．2．2SmallSignalCharacteristic

5．2．3ImprovementofCMRR

5．2．4IncreaseofVoltageSwing

5．2．5CancellationofInterference

5．2．6NoiseinaDifferentialPair

5．3ApparentDifferencebetweenSingle-endedStageandDifferentialPair

5．4DCOffset

5．4．1DCOffsetinaSingle-endedDevice

5．4．2ZeroDCOffsetinaPseudo-DifferentialPair

5．4．3Why"Zero"IForDirectConversion

5．4．4DCOffsetCancellation

5．4．4．1"Chopping"Mixer

5．4．4．2DCOffsetCalibration

5．4．4．3HardwareSchemes

References

Chapter6Balun

6．1CoaxialCableBalun

6．2RingMicroStripLineBalun

6．3TransformerBalun

6．4TransformerBalunComposedbyTwoStacked22Transformers

6．5LCBalun

References

Chapter7ToleranceAnalysis

7．1ImportanceofToleranceAnalysis

7．2FundamentalsofToleranceAnalysis

7．2．1ToleranceandNormalDistribution

7．2．26a，Cp，andCp，

7．2．3YieldRateandDPU

7．2．4PoissonDistribution

7．3AnApproachto6aDesignandProduction

7．4AnExample:ATunableFilterDesign

7．4．1DescriptionoftheTunableFilterDesign

7．4．2Monte-CarloAnalysis

7．5Appendix:TableoftheNormalDistribution

References

Chapter8ProspectofRFICDesign269

Chapter9Noise，Gain，andSensitivityofaReceiver317

Chapter10Non-linearityandSpuriousProducts339

Chapter11CascadedEquationsandSystemAnalysis358

Chapter12FromAnalogtoDigitalCommunicationSystem376
内容简介:
　　《射频电路和射频集成电路设计中的关键课题》总共十二章，涵盖六个关键性的课题：1）阻抗匹配；2）射频接地；3）单端和差分线路；4）误差分析；5）展望射频集成电路设计；6）射频电路的基本参数和指标。

射频电路设计中最大的特点是阻抗匹配。没有阻抗匹配的电路设计就不是射频电路设计。阻抗匹配也是射频电路设计和数码电路设计的主要差別之处。由于它的重要性，《射频电路和射频集成电路设计中的关键课题》的第一章和第二章比较详细地讨论了这一关键性课题。其余的章节是在射频电路设计中最需要的基本知识，包括：什么是射频电路的基本参数？为什么目前在射频和射频集成电路设计中出现从单端转化为差分结构的趋势？射频集成电路设计的主要难题是什么？如何克服这些障碍?在射频电路设计中，射频电路单元性能的好坏往往取决于射频接地的成功与否。射频电路的误差分析则关系到产品合格率，而产品合格率是一间公司的生命线。

《射频电路和射频集成电路设计中的关键课题》有两个特色。

首先，在已出版了的大多数射频电路和射频集成电路设计的书中，其內容是讨论一个个射频电路单元，譬如，低噪声放大器，混频器，功率放大器，压控振蕩器，頻率综合器。因此，可以把它们归类为纵向论述的书。《射频电路和射频集成电路设计中的关键课题》则不是讨论一个个射频电路单元，而是着重论述和強调在射频电路和射集成电路设计中共同的关键性课题，因此，这是一本橫向论述的书。其次，尽管有些内容是引自出版了的书刊和文献。在本讲座中不少内容是引自《射频电路和射频集成电路设计中的关键课题》作者的设计和工作报告。

《射频电路和射频集成电路设计中的关键课题》可作为以下读者在射频电路和射频集成电路的设计，研究和学习中的参考书：

射频电路和射频集成电路设计工程师，测试工程师，系统工程师和经理；

射频电路和射频集成电路的有关研究人员；

射频电路和射频集成电路有关专业的大学本科生，研究生和教授。
作者简介:
　　RichardChi-HsiLi，male，wasborninNanAn，QuanZhou，Fujian，China.HegraduatedinthePhysicsDepartmentofFuDanUnversity，Shanghai，Chinain1985.From1958to1973.heandbeenworkingfortheInstituteofGeophysics，ChineseacademyandtheUniversityofChinaScienceandTechnology，Beijing，China.
目录:
Chapter1ImportanceofImpedanceMatching

1．1DifferencebetweenRFandDigitalCircuitDesign

1．1．1Case1:DigitalCircuitsatLowDataRate

1．1．2Case2:DigitalCircuitsatHighDataRate

1．2SignificanceofImpedanceMatching

1．2．1PowerTransportationfromaSourcetoaLoad

1．2．2MaximizingofPowerTransportationwithoutPhaseShift

1．2．3ConjugateImpedanceMatchingandVoltageReflectionCoefficient

1．2．4ImpedanceMatchingNetwor

1．3ProblemsduetoUnmatchedStatusofImpedance

1．3．1GeneralExpressionofPowerTransportation

1．3．2PowerInstabilityandAdditionalPowerLos

1．3．3AdditionalDistortionandQuasi-Noise

1．3．4PowerMeasurement

1．3．5PowerTransportationandVoltageTransportatio

1．3．6BurningofaTransistor

References

Chapter2ImpedanceMatching

2．1ImpedanceMeasuredbySmallSignal

2．1．1ImpedanceMeasuredbySParameterMeasurement

2．1．2TheSmithChart:ImpedanceandAdmittanceCoordinatio

2．1．3AccuracyofSmithChartl

2．1．4RelationshipbetweentheImpedanceinSeriesandinParallel

2．2ImpedanceMeasuredbyLargeSignal

2．3ImpedanceMatching

2．3．1OnePartMatchingNetwork

2．3．2RecognitionofRegionsinaSmithChart

2．3．3TwoPartsMatchingNetwork

2．3．4TwoPartsUpwardandDownwardImpedanceTransformer

2．3．5ThreePartsMatchingNetworkandImpedanceTransformer

2．3．5．1TopologyLimitationofTwoPartsMatchingNetwork

2．3．5．2ΠTypeMatchingNetwork

2．3．5．3TTypeMatchingNetwork

2．4SomeUsefulSchemesforImpedanceMatching

2．4．1DesignsandTestswhenZLisnot50Ω

2．4．2Conversionbetween“T”and“Π”TypeMatchingNetwork

2．4．3PartsinaMatchingNetwork

2．4．4ImpedanceMatchingbetweenPowerTransportationUnits

2．4．5ImpedanceMatchingforaMixer

References

Chapter3RFGrounding

3．1ATrueStory

3．2ThreeComponentsforRFGrounding

3．2．1“Zero”Capacitors

3．2．2MicroStripLine

3．2．3RFCable

3．3ExamplesofRFgrounding

3．3．1TestPCB

3．3．1．1SmallTestPCB

3．3．1．1．1BasicTypesofTestPCB

3．3．1．1．2RFGroundingwithaRectngularMetallicFrame

3．3．1．1．3AnExample

3．3．1．2LargeTestPCB

3．3．1．2．1RFGroundingby“Zero”ChipCapacitors

3．3．1．2．2RFGroundingbyaRunneroraCablewithHalforQuarterWavelength

3．3．2IsolationbetweenInputandOutputinaMixeroranUp-converter

3．3．3CalibrationforNetworkAnalyzer

3．4RFGroundingforReductionofReturnCurrentCoupling

3．4．1ACircuitBuiltbyDiscretePartsonaPCB

3．4．2RFICs

References

Chapter4EquivalentCircuitsofPassiveChipParts

4．1ModelingofPassiveChipParts

4．2CharacterizingofPassiveChipPartsbyNetworkAnalyzer

4．3ExtractionfromtheMeasurementbyNetworkAnalyzer

4．3．1ChipCapacitor

4．3．2ChipInductor

4．3．3ChipResistor

4．4Summary

References

Chapter5Single-endedStageandDifferentialPair

5．1BasicSingle-endedStage

5．1．1GeneralDescription

5．1．2SmallSignalModelofaBipolarTransistor

5．1．2．1ImpedanceofaCE(CommonEmitter)Device

5．1．2．2ImpedanceofaCB(CommonBase)Device

5．1．2．3ImpedanceofaCC(CommonCollector)Device

5．1．2．4ComparisonbetweenCE，CB，andCCDevice

5．1．3Small-signalModelofaMOSFET

5．1．3．1ImpedanceofaCS(CommonSource)Device

5．1．3．2ImpedanceofaCG(CommonGate)Device

5．1．3．3ImpedanceofaCD(CommonDrain)Device

5．1．3．4ComparisonbetweenCS，CG，andCDDevice

5．2DifferentialPair

5．2．1DCTransferCharacteristic

5．2．1．1DCTransferCharacteristicofaBipolarDifferentialPair

5．2．1．2DCTransferCharacteristicofaCMOSDifferentialPair

5．2．2SmallSignalCharacteristic

5．2．3ImprovementofCMRR

5．2．4IncreaseofVoltageSwing

5．2．5CancellationofInterference

5．2．6NoiseinaDifferentialPair

5．3ApparentDifferencebetweenSingle-endedStageandDifferentialPair

5．4DCOffset

5．4．1DCOffsetinaSingle-endedDevice

5．4．2ZeroDCOffsetinaPseudo-DifferentialPair

5．4．3Why"Zero"IForDirectConversion

5．4．4DCOffsetCancellation

5．4．4．1"Chopping"Mixer

5．4．4．2DCOffsetCalibration

5．4．4．3HardwareSchemes

References

Chapter6Balun

6．1CoaxialCableBalun

6．2RingMicroStripLineBalun

6．3TransformerBalun

6．4TransformerBalunComposedbyTwoStacked22Transformers

6．5LCBalun

References

Chapter7ToleranceAnalysis

7．1ImportanceofToleranceAnalysis

7．2FundamentalsofToleranceAnalysis

7．2．1ToleranceandNormalDistribution

7．2．26a，Cp，andCp，

7．2．3YieldRateandDPU

7．2．4PoissonDistribution

7．3AnApproachto6aDesignandProduction

7．4AnExample:ATunableFilterDesign

7．4．1DescriptionoftheTunableFilterDesign

7．4．2Monte-CarloAnalysis

7．5Appendix:TableoftheNormalDistribution

References

Chapter8ProspectofRFICDesign269

Chapter9Noise，Gain，andSensitivityofaReceiver317

Chapter10Non-linearityandSpuriousProducts339

Chapter11CascadedEquationsandSystemAnalysis358

Chapter12FromAnalogtoDigitalCommunicationSystem376

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