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半导体物理电子学（第2版 影印）

半导体物理电子学（第2版 影印）
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作者: [美] （Li S.S.） 著
出版社: 科学出版社
2008-02
版次: 2
ISBN: 9787030209405
定价: 98.00
装帧: 精装
开本: 16开
纸张: 胶版纸
页数: 697页
字数: 854千字
正文语种: 英语
丛书: 国外物理名著系列
分类: 自然科学
4 张插图图片
47人买过
  • 　　本书全面介绍了半导体物理的基本内容，这些内容是理解半导体的物理性质和光电器件制备原理的基础。本书系统性强，合理地安排了物理原理，表征法以及半导体材料和器件的应用等内容，兼顾了物理学家、材料学家和设备工程师的需求。本书反映了半导体技术在过去十年的进步，包括许多新出现并已进入市场的半导体器件。本书适合于电子工程，材料科学，物理和化学工程的研究生，也可供半导体工业的过程工程师和设备工程师参考。 Preface
    1.ClassificationofSolidsandCrystalStructure
    1.1　Introduction
    1.2　TheBravaisLattice
    1.3　TheCrystalStructure
    1.4　MillerIndicesandCrystalPlanes
    1.5　TheReciprocalLatticeandBrillouinZone
    1.6　TypesofCrystalBindings
    1.7　DefectsinaCrystallineSolid
    Problems
    Bibliography

    2.LatticeDynamics
    2.1　Introduction
    2.2　TheOne-DimensionalLinearChain
    2.3　DispersionRelationforaThree-DimensionalLattice
    2.4　TheConceptofPhonons
    2.5　TheDensityofStatesandLatticeSpectrum
    2.6　LatticeSpecificHeat
    Problems
    References
    Bibliography

    3.SemiconductorStatistics
    3.1　Introduction
    3.2　Maxwell-BoltzmannStatistics
    3.3　Fermi-DiracStatistics
    3.4　Bose-EinsteinStatistics
    3.5　StatisticsfortheShallow-ImpurityStatesinaSemiconductor
    Problems
    Bibliography

    4.EnergyBandTheory
    4.1　Introduction
    4.2　BasicQuantumConceptsandWaveMechanics
    4.3　TheBloch-FloquetTheorem
    4.4　TheKronig-PenneyModel
    4.5　TheNearlyFreeElectronApproximation
    4.6　TheTight-BindingApproximation
    4.7　EnergyBandStructuresforSomeSemiconductors
    4.8　TheEffectiveMassConceptforElectronsandHoles
    4.9　EnergyBandStructuresandDensityofStatesforLow-DimensionalSystems
    Problems
    References
    Bibliography

    5.EquilibriumPropertiesofSemiconductors
    5.1　Introduction
    5.2　DensitiesofElectronsandHolesinaSemiconductor
    5.3　IntrinsicSemiconductors
    5.4　ExtrinsicSemiconductors
    5.5　IonizationEnergiesofShallow-andDeep-LevelImpurities
    5.6　HallEffect，ElectricalConductivity，andHallMobility
    5.7　HeavyDopingEffectsinaDegenerateSemiconductor
    Problems
    References
    Bibliography

    6.ExcessCarrierPhenomenoninSemiconductors
    6.1　Introduction
    6.2　NonradiativeRecombination：TheShockley-Read-HallModel
    6.3　Band-to-BandRadiativeRecombination
    6.4　Band-to-BandAugerRecombination
    6.5　BasicSemiconductorEquations
    6.6　TheCharge-NeutralityEquation
    6.7　TheHaynes-ShockleyExperiment
    6.8　ThePhotoconductivityDecayExperiment
    6.9　SurfaceStatesandSurfaceRecombinationVelocity
    6.10Deep-LevelTransientSpectroscopyTechnique
    6.11SurfacePhotovoltageTechnique
    Problems
    References
    Bibliography
    7.TransportPropertiesofSemiconductors
    8.ScatteringMechanismsandCarrierMoblitiesinSemiconductors
    9.OpticalPropertiesandPhotoelectricEffects
    10.Metal-SemiconductorContacts
    11.P-nJunctionDiodes
    12.SolarCellsandPhotodetectors
    13.Light-EmittingDevices
    14.BipolarJuctionTransistors
    15.Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistors
    16.High-SpeedⅢ-ⅤSemiconductorDevices
    SolutionstoSelectedProblems
    Appendix
    Index
  • 内容简介:
    　　本书全面介绍了半导体物理的基本内容，这些内容是理解半导体的物理性质和光电器件制备原理的基础。本书系统性强，合理地安排了物理原理，表征法以及半导体材料和器件的应用等内容，兼顾了物理学家、材料学家和设备工程师的需求。本书反映了半导体技术在过去十年的进步，包括许多新出现并已进入市场的半导体器件。本书适合于电子工程，材料科学，物理和化学工程的研究生，也可供半导体工业的过程工程师和设备工程师参考。
  • 目录:
    Preface
    1.ClassificationofSolidsandCrystalStructure
    1.1　Introduction
    1.2　TheBravaisLattice
    1.3　TheCrystalStructure
    1.4　MillerIndicesandCrystalPlanes
    1.5　TheReciprocalLatticeandBrillouinZone
    1.6　TypesofCrystalBindings
    1.7　DefectsinaCrystallineSolid
    Problems
    Bibliography

    2.LatticeDynamics
    2.1　Introduction
    2.2　TheOne-DimensionalLinearChain
    2.3　DispersionRelationforaThree-DimensionalLattice
    2.4　TheConceptofPhonons
    2.5　TheDensityofStatesandLatticeSpectrum
    2.6　LatticeSpecificHeat
    Problems
    References
    Bibliography

    3.SemiconductorStatistics
    3.1　Introduction
    3.2　Maxwell-BoltzmannStatistics
    3.3　Fermi-DiracStatistics
    3.4　Bose-EinsteinStatistics
    3.5　StatisticsfortheShallow-ImpurityStatesinaSemiconductor
    Problems
    Bibliography

    4.EnergyBandTheory
    4.1　Introduction
    4.2　BasicQuantumConceptsandWaveMechanics
    4.3　TheBloch-FloquetTheorem
    4.4　TheKronig-PenneyModel
    4.5　TheNearlyFreeElectronApproximation
    4.6　TheTight-BindingApproximation
    4.7　EnergyBandStructuresforSomeSemiconductors
    4.8　TheEffectiveMassConceptforElectronsandHoles
    4.9　EnergyBandStructuresandDensityofStatesforLow-DimensionalSystems
    Problems
    References
    Bibliography

    5.EquilibriumPropertiesofSemiconductors
    5.1　Introduction
    5.2　DensitiesofElectronsandHolesinaSemiconductor
    5.3　IntrinsicSemiconductors
    5.4　ExtrinsicSemiconductors
    5.5　IonizationEnergiesofShallow-andDeep-LevelImpurities
    5.6　HallEffect，ElectricalConductivity，andHallMobility
    5.7　HeavyDopingEffectsinaDegenerateSemiconductor
    Problems
    References
    Bibliography

    6.ExcessCarrierPhenomenoninSemiconductors
    6.1　Introduction
    6.2　NonradiativeRecombination：TheShockley-Read-HallModel
    6.3　Band-to-BandRadiativeRecombination
    6.4　Band-to-BandAugerRecombination
    6.5　BasicSemiconductorEquations
    6.6　TheCharge-NeutralityEquation
    6.7　TheHaynes-ShockleyExperiment
    6.8　ThePhotoconductivityDecayExperiment
    6.9　SurfaceStatesandSurfaceRecombinationVelocity
    6.10Deep-LevelTransientSpectroscopyTechnique
    6.11SurfacePhotovoltageTechnique
    Problems
    References
    Bibliography
    7.TransportPropertiesofSemiconductors
    8.ScatteringMechanismsandCarrierMoblitiesinSemiconductors
    9.OpticalPropertiesandPhotoelectricEffects
    10.Metal-SemiconductorContacts
    11.P-nJunctionDiodes
    12.SolarCellsandPhotodetectors
    13.Light-EmittingDevices
    14.BipolarJuctionTransistors
    15.Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistors
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    Appendix
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