III-V氮化物纳米材料的制备及性能研究

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作者:
2017-06
版次: 1
ISBN: 9787560358024
定价: 98.00
装帧: 平装
开本: 16开
纸张: 胶版纸
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  • Ⅲ-Ⅴ氮化物属于第三代半导体,具有独特的性能及应用领域,现在得以广泛应用的蓝光LED就是以氮化镓为基材制备出来的。本书内容主要是Ⅲ-Ⅴ氮化物纳米材料的研究,包括零维量子点的制备及性能,一维纳米材料的制备及性能,纳米阵列的制备及性能,以及对于Ⅲ-Ⅴ氮化物的理论模拟研究等。 
    第1章   Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体材料简介 第2章  气相反应制备GaN纳米线的催化效应 第3章  GaN纳米带和纳米带环的生长与形成机理 第4章    碳热辅助法控制生长GaN低维结构 第5章    定向排列的孪晶GaN纳米线的制备与表征 第6章     GaN纳米柱阵列的制备及表征 第7章     Fe、Co掺杂GaN纳米线的制备及性能研究 第8章    GaN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究 第9章     GaN纳米晶体及其复合材料的制备及性能 第10章    GaN的理论模拟研究 第11章    AIN纳米结构的可控制备与表征 第12章    单晶InN纳米线的制备及表征 第13章    InN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究 参考文献 名词索引
  • 内容简介:
    Ⅲ-Ⅴ氮化物属于第三代半导体,具有独特的性能及应用领域,现在得以广泛应用的蓝光LED就是以氮化镓为基材制备出来的。本书内容主要是Ⅲ-Ⅴ氮化物纳米材料的研究,包括零维量子点的制备及性能,一维纳米材料的制备及性能,纳米阵列的制备及性能,以及对于Ⅲ-Ⅴ氮化物的理论模拟研究等。 
  • 目录:
    第1章   Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体材料简介 第2章  气相反应制备GaN纳米线的催化效应 第3章  GaN纳米带和纳米带环的生长与形成机理 第4章    碳热辅助法控制生长GaN低维结构 第5章    定向排列的孪晶GaN纳米线的制备与表征 第6章     GaN纳米柱阵列的制备及表征 第7章     Fe、Co掺杂GaN纳米线的制备及性能研究 第8章    GaN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究 第9章     GaN纳米晶体及其复合材料的制备及性能 第10章    GaN的理论模拟研究 第11章    AIN纳米结构的可控制备与表征 第12章    单晶InN纳米线的制备及表征 第13章    InN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究 参考文献 名词索引
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