普适弛豫定律（影印版）
出版时间:
2008-02
版次:
1
ISBN:
9787560527079
定价:
55.00
装帧:
平装
开本:
16开
纸张:
胶版纸
页数:
415页
字数:
438千字
正文语种:
英语
-
本书是作者所著《固体中的介电弛豫》一书的姊妹篇，其内容是前作的延续和深化，被电介质领域的许多研究者奉为经典。作者在对普适介电弛豫进行系统描述的基础上，将其概念外推到其他传统电介质研究不涉及的弛豫过程中。书中介绍了“普适性”的含义、“平坦”的介电响应和低频介电弥散现象，讨论了半导体中的介电响应，以及发光、化学反应和力学弛豫等非介电过程的弛豫现象，并从理论角度对上述实验现象进行了解释。
本书可作为物理、电子、材料、电气等相关专业的教师、研究生和科研人员的参考书。 A.K.琼克（A.K.Jonscher，1922-2005），生于波兰华沙，1949年在伦敦大学玛丽皇后学院以一级荣誉学士学位毕业，并在该校HarryTropper教授的指导下于1952年获得博士学位，1951年起在GEC研究实验室工作，从事半导体器件物理原理方面的研究工作，1962年以Reader身份加入伦敦大学切尔西学院，1965年成为固态电子学教授，1987年成为伦敦大学皇家霍洛威与贝德福德斯学院荣誉教授，1990年受邀为IEEE“普适介电晌应”杰出怀特海荣誉讲席。琼克教授在介电弛豫研究方面具有很深的造诣，他于1983年和1996年分别出版的分别出版的学术专著《固体中的介电弛豫》和《普适弛豫定律》，在国际学术界享有盛誉。
姚熹，1935年生于中国江苏苏州。1957年毕业于交通大学电机系，1982年获美国宾夕法尼亚州立大学固态科学博士学位。
1957年至今在西安交通大学任教，1984年起任西安交通大学教授。1989年当选国际陶瓷科学院首批院士。1991年当选中国科学院院士。2002年当选美国陶瓷学会会士。2007年因“在电子陶瓷科学和工程创新方面做出了杰出贡献”当选美国国家工程院外籍院士。 Preface
Acknowledgements
UsefulPhysicalConstants
Chapter1THEMEANINGOFUNIVERSALITY
1.1Thelasttwelveyears
1.2Basicdefinitions
1.3Empiricalresponsefunctions
1.4Calculationoftotalpolarisation
1.5Thenatureofuniversality
1.6Negativecapacitance
1.7Recoveryoffieldonopen-circuitBasicequations:
1.8Energylossinthetimedomain
1.9Concludingcomments
Appendix1.1IntegrationinLogarithmicCoordinates
Appendix1.2Valuesofnandcot(nπ/2)
Referencestochapter1
Chapter2DIELECTTRICRESPONSEOFSEMICONDUCTORS
2.1Delayedelectronictransitions
2.2Asimplebarriermodel
2.3ResponseofSchottkydiodes
Adventitiousbarriersonsemi-insulatingmaterial
2.5Responseofp-njunctions
High-purityp-njunctions
Junctionswithdeeplevels
HeavilydopedZenerdiodes
Conclusionsregardingspacechargeregionresponses
2.5Junctiondiffusioncapacitance
a)Low-frequencyresponse
b)High-frequencyresponse
2.6Volumetrapping-detrapping
2.7Hoppingconduction
Electronicprocesses
Semi-insulatingGaAs
IonicTransport
2.8Concludingcomments
ReferencestoChapter2
Chapter3LUMINESCENCEANDPHOTOCONDUCTIVITY
3.1Therelevanceofthesubject
3.2Idealisedlightemissionrates
3.3Analyticalformulation
Thelimitofrapidtrapping
3.4Reviewofluminescencedata
Exponentialdecays
Simplepowerlawdecays
Morecomplexbehaviours
3.5Conclusionsfromluminescence
3.6PhotoconductivityintheF-D
Principlesofphotoconductivebehaviour
Analyticalformulation
3.7Conclusions
ReferencestoChapter3
Chapter4"FLAS"DIELECTRICRESPONSE
Chapter5LOW-FREQUENCYDISPERSION
Chapter6DCANDACCONDUCTIVITY
Chapter7CHEMICALREACTIONDINETICS
Chapter8THERMALLYSTIMULATEDDEPOLARISATION
Chapter9MECHANICALrELAXATION
Chapter10MEASUREMENTANDPRESENTATIONOFDATA
Chapter11THEORETICALINTERPRETATIONS
Chapter12THEENERGYCRITERION
AuthorIndex
SubjectIndex
-
内容简介:
本书是作者所著《固体中的介电弛豫》一书的姊妹篇，其内容是前作的延续和深化，被电介质领域的许多研究者奉为经典。作者在对普适介电弛豫进行系统描述的基础上，将其概念外推到其他传统电介质研究不涉及的弛豫过程中。书中介绍了“普适性”的含义、“平坦”的介电响应和低频介电弥散现象，讨论了半导体中的介电响应，以及发光、化学反应和力学弛豫等非介电过程的弛豫现象，并从理论角度对上述实验现象进行了解释。
本书可作为物理、电子、材料、电气等相关专业的教师、研究生和科研人员的参考书。
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作者简介:
A.K.琼克（A.K.Jonscher，1922-2005），生于波兰华沙，1949年在伦敦大学玛丽皇后学院以一级荣誉学士学位毕业，并在该校HarryTropper教授的指导下于1952年获得博士学位，1951年起在GEC研究实验室工作，从事半导体器件物理原理方面的研究工作，1962年以Reader身份加入伦敦大学切尔西学院，1965年成为固态电子学教授，1987年成为伦敦大学皇家霍洛威与贝德福德斯学院荣誉教授，1990年受邀为IEEE“普适介电晌应”杰出怀特海荣誉讲席。琼克教授在介电弛豫研究方面具有很深的造诣，他于1983年和1996年分别出版的分别出版的学术专著《固体中的介电弛豫》和《普适弛豫定律》，在国际学术界享有盛誉。
姚熹，1935年生于中国江苏苏州。1957年毕业于交通大学电机系，1982年获美国宾夕法尼亚州立大学固态科学博士学位。
1957年至今在西安交通大学任教，1984年起任西安交通大学教授。1989年当选国际陶瓷科学院首批院士。1991年当选中国科学院院士。2002年当选美国陶瓷学会会士。2007年因“在电子陶瓷科学和工程创新方面做出了杰出贡献”当选美国国家工程院外籍院士。
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目录:
Preface
Acknowledgements
UsefulPhysicalConstants
Chapter1THEMEANINGOFUNIVERSALITY
1.1Thelasttwelveyears
1.2Basicdefinitions
1.3Empiricalresponsefunctions
1.4Calculationoftotalpolarisation
1.5Thenatureofuniversality
1.6Negativecapacitance
1.7Recoveryoffieldonopen-circuitBasicequations:
1.8Energylossinthetimedomain
1.9Concludingcomments
Appendix1.1IntegrationinLogarithmicCoordinates
Appendix1.2Valuesofnandcot(nπ/2)
Referencestochapter1
Chapter2DIELECTTRICRESPONSEOFSEMICONDUCTORS
2.1Delayedelectronictransitions
2.2Asimplebarriermodel
2.3ResponseofSchottkydiodes
Adventitiousbarriersonsemi-insulatingmaterial
2.5Responseofp-njunctions
High-purityp-njunctions
Junctionswithdeeplevels
HeavilydopedZenerdiodes
Conclusionsregardingspacechargeregionresponses
2.5Junctiondiffusioncapacitance
a)Low-frequencyresponse
b)High-frequencyresponse
2.6Volumetrapping-detrapping
2.7Hoppingconduction
Electronicprocesses
Semi-insulatingGaAs
IonicTransport
2.8Concludingcomments
ReferencestoChapter2
Chapter3LUMINESCENCEANDPHOTOCONDUCTIVITY
3.1Therelevanceofthesubject
3.2Idealisedlightemissionrates
3.3Analyticalformulation
Thelimitofrapidtrapping
3.4Reviewofluminescencedata
Exponentialdecays
Simplepowerlawdecays
Morecomplexbehaviours
3.5Conclusionsfromluminescence
3.6PhotoconductivityintheF-D
Principlesofphotoconductivebehaviour
Analyticalformulation
3.7Conclusions
ReferencestoChapter3
Chapter4"FLAS"DIELECTRICRESPONSE
Chapter5LOW-FREQUENCYDISPERSION
Chapter6DCANDACCONDUCTIVITY
Chapter7CHEMICALREACTIONDINETICS
Chapter8THERMALLYSTIMULATEDDEPOLARISATION
Chapter9MECHANICALrELAXATION
Chapter10MEASUREMENTANDPRESENTATIONOFDATA
Chapter11THEORETICALINTERPRETATIONS
Chapter12THEENERGYCRITERION
AuthorIndex
SubjectIndex
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