抗辐射设计与辐射效应
出版时间:
2015-05
版次:
1
ISBN:
9787504667380
定价:
102.00
装帧:
平装
开本:
16开
纸张:
胶版纸
页数:
343页
字数:
540千字
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《抗辐射设计与辐射效应》作者从辐射环境、辐射效应、辐射损伤机制、辐照试验、辐射屏蔽、抗辐射设计方法、辐射加固保证等方面对抗辐射设计所涉及的内容进行阐述，对漆类材料、聚合物材料、光学材料、MOS工艺器件、二极管、双极晶体管、FPGA、CCD等典型材料与器件的辐射损伤机理和辐射效应数据进行梳理与总结。
沈自才，高级工程师。于中国科学院研究生院和中国科学院上海光学精密机械研究所获得材料学硕士学位和光学工程博士学位。现在中国空间技术研究院北京卫星环境工程研究所从事航天器空间环境效应及深空探测技术研究工作。对空间环境下卫星长寿评估与保障技术、空间辐射环境与效应地面模拟试验技术、研制保障条件的系统论证工作。
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内容简介:
《抗辐射设计与辐射效应》作者从辐射环境、辐射效应、辐射损伤机制、辐照试验、辐射屏蔽、抗辐射设计方法、辐射加固保证等方面对抗辐射设计所涉及的内容进行阐述，对漆类材料、聚合物材料、光学材料、MOS工艺器件、二极管、双极晶体管、FPGA、CCD等典型材料与器件的辐射损伤机理和辐射效应数据进行梳理与总结。
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作者简介:
沈自才，高级工程师。于中国科学院研究生院和中国科学院上海光学精密机械研究所获得材料学硕士学位和光学工程博士学位。现在中国空间技术研究院北京卫星环境工程研究所从事航天器空间环境效应及深空探测技术研究工作。对空间环境下卫星长寿评估与保障技术、空间辐射环境与效应地面模拟试验技术、研制保障条件的系统论证工作。
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