Springer手册精选系列·晶体生长手册（第2册）：熔体法晶体生长技术（影印版）

作者: [美] 德哈纳拉（Govindhan Dhanaraj）编 , [美] 德哈纳拉（Govindhan Dhanaraj）编

出版社: 哈尔滨工业大学出版社

出版时间: 2013-01

版次: 1

ISBN: 9787560338675

定价: 76.00

装帧: 平装

开本: 16开

纸张: 胶版纸

页数: 354页

正文语种: 英语

原版书名: Springer Handbook of Crystal Growth

丛书: Springer手册精选系列

分类: 自然科学

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　　《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第2册）：熔体法晶体生长技术（影印版）》介绍体材料晶体的熔体生长，一种生长大尺寸晶体的关键方法。这一部分阐述了直拉单晶工艺、泡生法、布里兹曼法、浮区熔融等工艺，以及这些方法的最新进展，例如应用磁场的晶体生长、生长轴的取向、增加底基和形状控制。本部分涉及材料从硅和Ⅲ-V族化合物到氧化物和氟化物的广泛内容。　　GovindhanDhanarajistheManagerofCrystalGrowthTechnologiesatAdvancedRenewableEnergyCompany（ARCEnergy）atNashua，NewHampshire（USA）focusingonthegrowthoflargesizesapphirecrystalsforLEDlightingapplications，characterizationandrelatedcrystalgrowthfurnacedevelopment.HereceivedhisPhDfromtheIndianInstituteofScience，BangaloreandhisMasterofSciencefromAnnaUniversity（India）.Immediatelyafterhisdoctoraldegree，Dr.DhanarajjoinedaNationalLaboratory，presentlyknownasRajaramannaCenterforAdvancedTechnologyinIndia，whereheestablishedanadvancedCrystalGrowthLaboratoryforthegrowthofopticalandlasercrystals.PriortojoiningARCEnergy，Dr.DhanarajservedasaResearchProfessorattheDepartmentofMaterialsScienceandEngineering，StonyBrookUniversity，NY，andalsoheldapositionofResearchAssistantProfessoratHamptonUniversity，VA.Duringhis25yearsoffocusedexpertiseincrystalgrowthresearch，hehasdevelopedoptical，laserandsemiconductorbulkcrystalsandSiCepitaxialfilmsusingsolution，flux，Czochralski，Bridgeman，gelandvapormethods，andcharacterizedthemusingx-raytopography，synchrotrontopography，chemicaletchingandopticalandatomicforcemicroscopictechniques.Heco-organizedasymposiumonIndustrialCrystalGrowthunderthe17thAmericanConferenceonCrystalGrowthandEpitaxyinconjunctionwiththe14thUSBiennialWorkshoponOrganometallicVaporPhaseEpitaxyheldatLakeGeneva，WIin2009.Dr.Dhanarajhasdeliveredinvitedlecturesandalsoservedassessionchairmaninmanycrystalgrowthandmaterialssciencemeetings.Hehaspublishedover100papersandhisresearcharticleshaveattractedover250richcitations. 缩略语
PartB熔体生长晶体技术
7.磷化铟：用稳定的磁场生长晶体及缺陷控制
7.1历史综述
7.2磁场下液体封盖生长法
7.3熔体的磁场接触面
7.4位错密度
7.5磁流量对杂质隔离的影响
7.6InP:Fe的光学特征
7.7总结
参考文献

8.半导体直拉硅单晶和太阳能电池应用
8.1激光扫描光散射技术生长硅单晶和太阳能电池应用
8.2直拉硅单晶的晶体缺陷的控制
8.3太阳能电池应用的多晶硅的生长和特征
8.4总结
参考文献

9.氧化物光折变单晶的直拉生长法
9.1背景
9.2晶体生长
9.3直拉生长系统的设计和发展
9.4铌酸锂晶体的生长及其特性
9.5其他氧化物光折变晶体
9.6软铋矿晶体的生长及其特性
9.7结论
参考文献

10.三元化合物Ⅲ-V族半导体体材料晶体生长
10.1Ⅲ-V族三元化合物半导体
10.2三元化合物衬底的需求
10.3器件级三元化合物衬底标准
10.4布里兹曼晶体生长技术介绍
10.5Ⅲ-V族的二元化合物晶体生长技术综述
10.6三元化合物相平衡
10.7三元化合物半导体合金偏析
10.8三元化合物晶体裂纹的形成
10.9单晶三元化合物籽晶生产工艺
10.10均质合金生长的溶质配备过程
10.11熔体-固体界面形状的作用
10.12结论
参考文献

11.用于红外线探测器的锑基窄禁带Ⅲ-V族半导体晶体的生长与特性
11.1锑基半导体的重要性
11.2相图
11.3晶体结构和成键
11.4材料合成和提纯
11.5体材料InSb的生长
11.6InSb、InAsxSbl-x.InBixSbl-x的结构特性
11.7InSb、InAsxSb1_x.InBixSb1_x的物理性质
11.8应用
11.9结语与展望
参考文献

12.光学浮区技术用于氧化物晶体生长
12.1历史
12.2光学浮区技术——氧化物的应用
12.3光学浮区及溶区移动晶体生长技术
12.4浮区技术的优势和局限
12.5光学浮区炉
12.6OFZT的陶瓷和晶棒生长的实验细节
12.7同成分和不同成分熔融氧化物的稳定生长
12.8结构过冷和结晶前的稳定性
12.9晶体生长的终止和冷却
12.100FZ技术的晶体生长特点
12.11晶体缺陷测定——实验方法
12.120FZ和TSFZ方法选定氧化物单晶生长的具体条件
……
13.激光加热基座生长氧化物纤维
14.采用壳融技术合成高熔点材料
15.激光基质氟化物和氧化物品体生长
16.晶体生长的成型
参考文献
内容简介:
　　《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第2册）：熔体法晶体生长技术（影印版）》介绍体材料晶体的熔体生长，一种生长大尺寸晶体的关键方法。这一部分阐述了直拉单晶工艺、泡生法、布里兹曼法、浮区熔融等工艺，以及这些方法的最新进展，例如应用磁场的晶体生长、生长轴的取向、增加底基和形状控制。本部分涉及材料从硅和Ⅲ-V族化合物到氧化物和氟化物的广泛内容。
作者简介:
　　GovindhanDhanarajistheManagerofCrystalGrowthTechnologiesatAdvancedRenewableEnergyCompany（ARCEnergy）atNashua，NewHampshire（USA）focusingonthegrowthoflargesizesapphirecrystalsforLEDlightingapplications，characterizationandrelatedcrystalgrowthfurnacedevelopment.HereceivedhisPhDfromtheIndianInstituteofScience，BangaloreandhisMasterofSciencefromAnnaUniversity（India）.Immediatelyafterhisdoctoraldegree，Dr.DhanarajjoinedaNationalLaboratory，presentlyknownasRajaramannaCenterforAdvancedTechnologyinIndia，whereheestablishedanadvancedCrystalGrowthLaboratoryforthegrowthofopticalandlasercrystals.PriortojoiningARCEnergy，Dr.DhanarajservedasaResearchProfessorattheDepartmentofMaterialsScienceandEngineering，StonyBrookUniversity，NY，andalsoheldapositionofResearchAssistantProfessoratHamptonUniversity，VA.Duringhis25yearsoffocusedexpertiseincrystalgrowthresearch，hehasdevelopedoptical，laserandsemiconductorbulkcrystalsandSiCepitaxialfilmsusingsolution，flux，Czochralski，Bridgeman，gelandvapormethods，andcharacterizedthemusingx-raytopography，synchrotrontopography，chemicaletchingandopticalandatomicforcemicroscopictechniques.Heco-organizedasymposiumonIndustrialCrystalGrowthunderthe17thAmericanConferenceonCrystalGrowthandEpitaxyinconjunctionwiththe14thUSBiennialWorkshoponOrganometallicVaporPhaseEpitaxyheldatLakeGeneva，WIin2009.Dr.Dhanarajhasdeliveredinvitedlecturesandalsoservedassessionchairmaninmanycrystalgrowthandmaterialssciencemeetings.Hehaspublishedover100papersandhisresearcharticleshaveattractedover250richcitations.
目录:
缩略语
PartB熔体生长晶体技术
7.磷化铟：用稳定的磁场生长晶体及缺陷控制
7.1历史综述
7.2磁场下液体封盖生长法
7.3熔体的磁场接触面
7.4位错密度
7.5磁流量对杂质隔离的影响
7.6InP:Fe的光学特征
7.7总结
参考文献

8.半导体直拉硅单晶和太阳能电池应用
8.1激光扫描光散射技术生长硅单晶和太阳能电池应用
8.2直拉硅单晶的晶体缺陷的控制
8.3太阳能电池应用的多晶硅的生长和特征
8.4总结
参考文献

9.氧化物光折变单晶的直拉生长法
9.1背景
9.2晶体生长
9.3直拉生长系统的设计和发展
9.4铌酸锂晶体的生长及其特性
9.5其他氧化物光折变晶体
9.6软铋矿晶体的生长及其特性
9.7结论
参考文献

10.三元化合物Ⅲ-V族半导体体材料晶体生长
10.1Ⅲ-V族三元化合物半导体
10.2三元化合物衬底的需求
10.3器件级三元化合物衬底标准
10.4布里兹曼晶体生长技术介绍
10.5Ⅲ-V族的二元化合物晶体生长技术综述
10.6三元化合物相平衡
10.7三元化合物半导体合金偏析
10.8三元化合物晶体裂纹的形成
10.9单晶三元化合物籽晶生产工艺
10.10均质合金生长的溶质配备过程
10.11熔体-固体界面形状的作用
10.12结论
参考文献

11.用于红外线探测器的锑基窄禁带Ⅲ-V族半导体晶体的生长与特性
11.1锑基半导体的重要性
11.2相图
11.3晶体结构和成键
11.4材料合成和提纯
11.5体材料InSb的生长
11.6InSb、InAsxSbl-x.InBixSbl-x的结构特性
11.7InSb、InAsxSb1_x.InBixSb1_x的物理性质
11.8应用
11.9结语与展望
参考文献

12.光学浮区技术用于氧化物晶体生长
12.1历史
12.2光学浮区技术——氧化物的应用
12.3光学浮区及溶区移动晶体生长技术
12.4浮区技术的优势和局限
12.5光学浮区炉
12.6OFZT的陶瓷和晶棒生长的实验细节
12.7同成分和不同成分熔融氧化物的稳定生长
12.8结构过冷和结晶前的稳定性
12.9晶体生长的终止和冷却
12.100FZ技术的晶体生长特点
12.11晶体缺陷测定——实验方法
12.120FZ和TSFZ方法选定氧化物单晶生长的具体条件
……
13.激光加热基座生长氧化物纤维
14.采用壳融技术合成高熔点材料
15.激光基质氟化物和氧化物品体生长
16.晶体生长的成型
参考文献