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半导体器件基础

作者: 皮埃罗

出版社: 电子工业出版社

出版时间: 2004-11

版次: 1

ISBN: 9787505399150

定价: 53.00

装帧: 平装

开本: 其他

纸张: 胶版纸

页数: 562页

字数: 934千字

分类: 教材教辅考试>教材>大学教材>工程技术

139人买过

　　本书是一本微电子技术方面的入门书籍，全面介绍了半导体器件的基础知识。全书分为三个部分共19章，首先介绍了半导体基础，讲解了半导体物理方面的相关知识以及半导体制备工艺方面的基本概念。书中阐述了pn结、双极结型晶体管（BJT）和其他结型器件的基本物理特性，并给出了相关特性的定性与定量分析。最后，作者讨论了场效应器件，除了讲解基础知识之外，还分析了小尺寸器件相关的物理问题，并介绍了一些新型场效应器件。全书内容丰富、层次分明，兼顾了相关知识的深度与广度，系统讲解了解决实际器件问题所必需的分析工具，并且提供了大量利用计算机实现的练习与习题。


  本书可作为微电子专业的本科生及研究生的教材或参考书，也是该领域工程技术人员的宝贵参考资料。 Robert F.Pierret是美国普度大学电子与计算机工程学院的教授，1970年成为普度大学的教师并管理本科生的半导体量实验室。近年来Pierret教授在担任电子计算机工程课程委员会主席期间，对课程建设提出了一种提高总体质量的革新方法。Pierret教授还是Addison-Wesley出版的固第一部分  半导体基础

  第1章  半导体概要

    1.1  半导体材料的特性

    1.2  晶体结构

    1.3  晶体的生长

    1.4  小结

  习题

  第2章  载流子模型

    2.1  量子化概念

    2.2  半导体模型

    2.3  载流子的特性

    2.4  状态和载流子分布

    2.5  平衡载流子浓度

    2.6  小结

  习题

  第3章  载流子输运

    3.1  漂移

    3.2  扩散

    3.3  复合-产生

    3.4  状态方程

    3.5  补充的概念

    3.6  小结

  习题

  第4章  器件制备基础

    4.1  制备过程

    4.2  器件制备实例

    4.3  小结

  第一部分补充读物和复习

    可选择的/补充的阅读资料列表

    图的出处/引用的参考文献

    术语复习一览表

    第一部分—复习题和答案

第二部分A  pn结二极管

  第5章  pn结的静电特性

    5.1  前言

    5.2  定量的静电关系式

    5.3  小结

  习题

  第6章  pn结二极管：I-V特性

    6.1  理想二极管方程

    6.2  与理想情况的偏差

    6.3  一些需要特别考虑的因素

    6.4  小结

  习题

  第7章  pn结二极管：小信号导纳

    7.1  引言

    7.2  反向偏置结电容

    7.3  正向偏置扩散导纳

    7.4  小结

  习题

  第8章  pn结二极管：瞬态响应

    8.1  瞬态关断特性

    8.2  瞬态开启特性

    8.3  小结

  习题

  第9章  光电二极管

第二部分B  BJT和其他结型器件

  第10章  BJT 基础知识

  第11章  BJT静态特性

  第12章  BJT动态响应模型

  第13章  PNPN器件

  第14章  MS接触和肖特基二极管

  第二部分补充读物和复习

    可选择的/补充的阅读资料列表

    图的出处 / 引用的参考文献

    术语复习一览表

    第二部分—复习题和答案

第三部分  场效应器件

  第15章  场效应导言—J-FET和MESFET

  第16章  MOS结构基础

  第17章  MOSFET器件基础

  第18章  非理想MOS

  第19章  现代场效应管结构

  第三部分补充读物和复习

    可选择的/补充的阅读资料列表

    图的出处/引用的参考文献

    术语复习一览表

  第三部分—复习题和答案

附录A  量子力学基础

附录B  MOS半导体静电特性—精确解

附录C  MOS C -V补充

附录D  MOS I -V补充

附录E  符号表

附录F  MATLAB程序源代码
内容简介:
　　本书是一本微电子技术方面的入门书籍，全面介绍了半导体器件的基础知识。全书分为三个部分共19章，首先介绍了半导体基础，讲解了半导体物理方面的相关知识以及半导体制备工艺方面的基本概念。书中阐述了pn结、双极结型晶体管（BJT）和其他结型器件的基本物理特性，并给出了相关特性的定性与定量分析。最后，作者讨论了场效应器件，除了讲解基础知识之外，还分析了小尺寸器件相关的物理问题，并介绍了一些新型场效应器件。全书内容丰富、层次分明，兼顾了相关知识的深度与广度，系统讲解了解决实际器件问题所必需的分析工具，并且提供了大量利用计算机实现的练习与习题。


  本书可作为微电子专业的本科生及研究生的教材或参考书，也是该领域工程技术人员的宝贵参考资料。
作者简介:
Robert F.Pierret是美国普度大学电子与计算机工程学院的教授，1970年成为普度大学的教师并管理本科生的半导体量实验室。近年来Pierret教授在担任电子计算机工程课程委员会主席期间，对课程建设提出了一种提高总体质量的革新方法。Pierret教授还是Addison-Wesley出版的固
目录:
第一部分  半导体基础

  第1章  半导体概要

    1.1  半导体材料的特性

    1.2  晶体结构

    1.3  晶体的生长

    1.4  小结

  习题

  第2章  载流子模型

    2.1  量子化概念

    2.2  半导体模型

    2.3  载流子的特性

    2.4  状态和载流子分布

    2.5  平衡载流子浓度

    2.6  小结

  习题

  第3章  载流子输运

    3.1  漂移

    3.2  扩散

    3.3  复合-产生

    3.4  状态方程

    3.5  补充的概念

    3.6  小结

  习题

  第4章  器件制备基础

    4.1  制备过程

    4.2  器件制备实例

    4.3  小结

  第一部分补充读物和复习

    可选择的/补充的阅读资料列表

    图的出处/引用的参考文献

    术语复习一览表

    第一部分—复习题和答案

第二部分A  pn结二极管

  第5章  pn结的静电特性

    5.1  前言

    5.2  定量的静电关系式

    5.3  小结

  习题

  第6章  pn结二极管：I-V特性

    6.1  理想二极管方程

    6.2  与理想情况的偏差

    6.3  一些需要特别考虑的因素

    6.4  小结

  习题

  第7章  pn结二极管：小信号导纳

    7.1  引言

    7.2  反向偏置结电容

    7.3  正向偏置扩散导纳

    7.4  小结

  习题

  第8章  pn结二极管：瞬态响应

    8.1  瞬态关断特性

    8.2  瞬态开启特性

    8.3  小结

  习题

  第9章  光电二极管

第二部分B  BJT和其他结型器件

  第10章  BJT 基础知识

  第11章  BJT静态特性

  第12章  BJT动态响应模型

  第13章  PNPN器件

  第14章  MS接触和肖特基二极管

  第二部分补充读物和复习

    可选择的/补充的阅读资料列表

    图的出处 / 引用的参考文献

    术语复习一览表

    第二部分—复习题和答案

第三部分  场效应器件

  第15章  场效应导言—J-FET和MESFET

  第16章  MOS结构基础

  第17章  MOSFET器件基础

  第18章  非理想MOS

  第19章  现代场效应管结构

  第三部分补充读物和复习

    可选择的/补充的阅读资料列表

    图的出处/引用的参考文献

    术语复习一览表

  第三部分—复习题和答案

附录A  量子力学基础

附录B  MOS半导体静电特性—精确解

附录C  MOS C -V补充

附录D  MOS I -V补充

附录E  符号表

附录F  MATLAB程序源代码

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