半导体物理学(第7版)

半导体物理学(第7版)
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作者:
出版社: 电子工业出版社
2011-03
版次: 7
ISBN: 9787121129902
定价: 45.00
装帧: 平装
  •   《半导体物理学(第7版)》较全面地论述了半导体物理的基础知识。《半导体物理学(第7版)》共13章,主要内容为:半导体的晶格结构和电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的统计分布;载流子的散射及电导问题;非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;pn结;金属和半导体的接触;半导体表面及mis结构;半导体异质结构;半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶态半导体。
      《半导体物理学(第7版)》可作为工科电子信息类微电子技术、半导体器件专业学生的教材,也可供从事相关专业的科技人员参考。
    第1章  半导体中的电子状态1.1  半导体的晶格结构和结合性质1.1.1  金刚石型结构和共价键1.1.2  闪锌矿型结构和混合键1.1.3  纤锌矿型结构1.2  半导体中的电子状态和能带1.2.1  原子的能级和晶体的能带1.2.2  半导体中电子的状态和能带1.2.3  导体、半导体、绝缘体的能带1.3  半导体中电子的运动  有效质量1.3.1  半导体中E(k)与k  的关系1.3.2  半导体中电子的平均速度1.3.3  半导体中电子的加速度1.3.4  有效质量的意义1.4  本征半导体的导电机构  空穴1.5  回旋共振1.5.1  k  空间等能面1.5.2  回旋共振1.6  硅和锗的能带结构1.6.1  硅和锗的导带结构1.6.2  硅和锗的价带结构1.7  ⅢⅤ族化合物半导体的能带结构1.7.1  锑化铟的能带结构1.7.2  砷化镓的能带结构1.7.3  磷化镓和磷化铟的能带结构1.7.4  混合晶体的能带结构1.8  ⅡⅥ族化合物半导体的能带结构1.8.1  二元化合物的能带结构1.8.2  混合晶体的能带结构1.9  Si1-xGex合金的能带1.10  宽禁带半导体材料1.10.1  GaN、AlN的晶格结构和能带1.10.2  SiC的晶格结构与能带习题参考资料第2章  半导体中杂质和缺陷能级2.1  硅、锗晶体中的杂质能级2.1.1  替位式杂质  间隙式杂质2.1.2  施主杂质、施主能级2.1.3  受主杂质、受主能级2.1.4  浅能级杂质电离能的简单计算2.1.5  杂质的补偿作用2.1.6  深能级杂质2.2  ⅢⅤ族化合物中的杂质能级2.3  氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级2.4  缺陷、位错能级2.4.1  点缺陷2.4.2  位错习题参考资料第3章  半导体中载流子的统计分布3.1  状态密度3.1.1    空间中量子态的分布3.1.2  状态密度3.2  费米能级和载流子的统计分布3.2.1  费米分布函数3.2.2  玻耳兹曼分布函数3.2.3  导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度3.2.4  载流子浓度乘积n0p03.3  本征半导体的载流子浓度3.4  杂质半导体的载流子浓度3.4.1  杂质能级上的电子和空穴3.4.2  n型半导体的载流子浓度3.5  一般情况下的载流子统计分布3.6  简并半导体3.6.1  简并半导体的载流子浓度3.6.2  简并化条件3.6.3  低温载流子冻析效应3.6.4  禁带变窄效应*3.7  电子占据杂质能级的概率3.7.1  电子占据杂质能级概率的讨论3.7.2  求解统计分布函数习题参考资料第4章  半导体的导电性4.1  载流子的漂移运动和迁移率4.1.1  欧姆定律4.1.2  漂移速度和迁移率4.1.3  半导体的电导率和迁移率4.2  载流子的散射4.2.1  载流子散射的概念4.2.2  半导体的主要散射机构4.3  迁移率与杂质浓度和温度的关系4.3.1  平均自由时间和散射概率的关系4.3.2  电导率、迁移率与平均自由时间的关系4.3.3  迁移率与杂质和温度的关系4.4  电阻率及其与杂质浓度和温度的关系4.4.1  电阻率和杂质浓度的关系4.4.2  电阻率随温度的变化4.5  玻耳兹曼方程、电导率的统计理论4.5.1  玻耳兹曼方程4.5.2  弛豫时间近似4.5.3  弱电场近似下玻耳兹曼方程的解4.5.4  球形等能面半导体的电导率4.6  强电场下的效应、热载流子4.6.1  欧姆定律的偏离4.6.2  平均漂移速度与电场强度的关系4.7  多能谷散射、耿氏效应4.7.1  多能谷散射、体内负微分电导4.7.2  高场畴区及耿氏振荡习题参考资料第5章  非平衡载流子5.1  非平衡载流子的注入与复合5.2  非平衡载流子的寿命5.3  准费米能级5.4  复合理论5.4.1  直接复合5.4.2  间接复合5.4.3  表面复合5.4.4  俄歇复合5.5  陷阱效应5.6  载流子的扩散运动5.7  载流子的漂移扩散,爱因斯坦关系式5.8  连续性方程式5.9  硅的少数载流子寿命与扩散长度参考资料第6章  pn结6.1  pn结及其能带图6.1.1  pn结的形成和杂质分布6.1.2  空间电荷区6.1.3  pn结能带图6.1.4  pn结接触电势差6.1.5  pn结的载流子分布6.2  pn结电流电压特性6.2.1  非平衡状态下的pn结6.2.2  理想pn结模型及其电流电压方程6.2.3  影响pn结电流电压特性偏离理想方程的各种因素6.3  pn结电容6.3.1  pn结电容的来源6.3.2  突变结的势垒电容6.3.3  线性缓变结的势垒电容6.3.4  扩散电容6.4  pn结击穿6.4.1  雪崩击穿6.4.2  隧道击穿(齐纳击穿)6.4.3  热电击穿6.5  pn结隧道效应习题参考资料第7章  金属和半导体的接触7.1  金属半导体接触及其能级图7.1.1  金属和半导体的功函数7.1.2  接触电势差7.1.3  表面态对接触势垒的影响7.2  金属半导体接触整流理论7.2.1  扩散理论7.2.2  热电子发射理论7.2.3  镜像力和隧道效应的影响7.2.4  肖特基势垒二极管7.3  少数载流子的注入和欧姆接触7.3.1  少数载流子的注入7.3.2  欧姆接触参考资料第8章  半导体表面与MIS结构8.1  表面态8.2  表面电场效应8.2.1  空间电荷层及表面势8.2.2  表面空间电荷层的电场、电势和电容8.3  MIS结构的CV特性8.3.1  理想MIS结构的CV特性8.3.2  金属与半导体功函数差对MIS结构CV特性的影响8.3.3  绝缘层中电荷对MIS结构CV特性的影响8.4  硅—二氧化硅系统的性质8.4.1  二氧化硅中的可动离子8.4.2  二氧化硅层中的固定表面电荷8.4.3  在硅—二氧化硅界面处的快界面态8.4.4  二氧化硅中的陷阱电荷8.5  表面电导及迁移率8.5.1  表面电导8.5.2  表面载流子的有效迁移率8.6  表面电场对pn结特性的影响8.6.1  表面电场作用下pn结的能带图8.6.2  表面电场作用下pn结的反向电流8.6.3  表面电场对pn结击穿特性的影响8.6.4  表面纯化习题参考资料第9章  半导体异质结构9.1  半导体异质结及其能带图9.1.1  半导体异质结的能带图9.1.2  突变反型异质结的接触电势差及势垒区宽度9.1.3  突变反型异质结的势垒电容9.1.4  突变同型异质结的若干公式9.2  半导体异质pn结的电流电压特性及注入特性9.2.1  突变异质pn结的电流—电压特性9.2.2  异质pn结的注入特性9.3  半导体异质结量子阱结构及其电子能态与特性9.3.1  半导体调制掺杂异质结构界面量子阱9.3.2  双异质结间的单量子阱结构9.3.3  双势垒单量子阱结构及共振隧穿效应9.4  半导体应变异质结构9.4.1  应变异质结9.4.2  应变异质结构中应变层材料能带的改性9.5  GaN基半导体异质结构9.5.1  GaN,AlGaN和InGaN的极化效应9.5.2  AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气的形成9.5.3  InxGa1-xN/GaN异质结构9.6  半导体超晶格习题参考资料第10章  半导体的光学性质和光电与发光现象10.1  半导体的光学常数10.1.1  折射率和吸收系数10.1.2  反射系数和透射系数10.2  半导体的光吸收10.2.1  本征吸收10.2.2  直接跃迁和间接跃迁10.2.3  其他吸收过程10.3  半导体的光电导10.3.1  附加电导率10.3.2  定态光电导及其弛豫过程10.3.3  光电导灵敏度及光电导增益10.3.4  复合和陷阱效应对光电导的影响10.3.5  本征光电导的光谱分布10.3.6  杂质光电导10.4  半导体的光生伏特效应10.4.1  pn结的光生伏特效应10.4.2  光电池的电流电压特性10.5.1  辐射跃迁10.5.2  发光效率10.5.3  电致发光激发机构10.6  半导体激光10.6.1  自发辐射和受激辐射10.6.2  分布反转10.6.3  pn结激光器原理10.6.4  激光材料10.7  半导体异质结在光电子器件中的应用10.7.1  单异质结激光器10.7.2  双异质结激光器10.7.3  大光学腔激光器习题参考资料第11章  半导体的热电性质11.1  热电效应的一般描述11.1.1  塞贝克效应11.1.2  珀耳帖效应11.1.3  汤姆逊效应11.1.4  塞贝克系数、珀耳帖系数和汤姆逊系数间的关系11.2  半导体的温差电动势率11.2.1  一种载流子的热力学温差电动势率11.2.2  两种载流子的热力学温差电动势率11.2.3  两种材料的温差电动势率11.3  半导体的珀耳帖效应11.4  半导体的汤姆逊效应11.5  半导体的热导率11.5.1  载流子对热导率的贡献11.5.2  声子对热导率的贡献11.6  半导体热电效应的应用习题参考资料第12章  半导体磁和压阻效应12.1  霍耳效应12.1.1  一种载流子的霍耳效应12.1.2  载流子在电磁场中的运动12.1.3  两种载流子的霍耳效应12.1.4  霍耳效应的应用12.2  磁阻效应12.2.1  物理磁阻效应12.2.2  几何磁阻效应12.2.3  磁阻效应的应用12.3  磁光效应12.3.1  朗道(Landau)能级12.3.2  带间磁光吸收12.4  量子化霍耳效应12.5  热磁效应12.5.1  爱廷豪森效应12.5.2  能斯脱效应12.5.3  里纪勒杜克效应12.6  光磁电效应12.6.1  光扩散电势差12.6.2  光磁电效应12.7  压阻效应12.7.1  压阻系数12.7.2  液体静压强作用下的效应12.7.3  单轴拉伸或压缩下的效应12.7.4  压阻效应的应用习题参考资料第13章  非晶态半导体13.1  非晶态半导体的结构13.2  非晶态半导体中的电子态13.2.1  无序体系中电子态的定域化13.2.2  迁移率边13.2.3  非晶态半导体的能带模型13.2.4  非晶态半导体的化学键结构13.3  非晶态半导体中的缺陷、隙态与掺杂效应13.3.1  四面体结构非晶态半导体中的缺陷和隙态13.3.2  硫系非晶态半导体的缺陷与缺陷定域态13.3.3  Ⅳ族元素非晶态半导体的掺杂效应13.4  非晶态半导体中的电学性质13.4.1  非晶态半导体的导电机理13.4.2  非晶态半导体的漂移迁移率13.4.3  非晶态半导体的弥散输运过程13.5  非晶态半导体中的光学性质13.5.1  非晶态半导体的光吸收13.5.2  非晶态半导体的光电导13.6  aSi∶H的pn结与金—半接触特性参考资料附录A  常用物理常数和能量表达变换表附录B  半导体材料物理性质表主要参数符号表参考资料
  • 内容简介:
      《半导体物理学(第7版)》较全面地论述了半导体物理的基础知识。《半导体物理学(第7版)》共13章,主要内容为:半导体的晶格结构和电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的统计分布;载流子的散射及电导问题;非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;pn结;金属和半导体的接触;半导体表面及mis结构;半导体异质结构;半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶态半导体。
      《半导体物理学(第7版)》可作为工科电子信息类微电子技术、半导体器件专业学生的教材,也可供从事相关专业的科技人员参考。
  • 目录:
    第1章  半导体中的电子状态1.1  半导体的晶格结构和结合性质1.1.1  金刚石型结构和共价键1.1.2  闪锌矿型结构和混合键1.1.3  纤锌矿型结构1.2  半导体中的电子状态和能带1.2.1  原子的能级和晶体的能带1.2.2  半导体中电子的状态和能带1.2.3  导体、半导体、绝缘体的能带1.3  半导体中电子的运动  有效质量1.3.1  半导体中E(k)与k  的关系1.3.2  半导体中电子的平均速度1.3.3  半导体中电子的加速度1.3.4  有效质量的意义1.4  本征半导体的导电机构  空穴1.5  回旋共振1.5.1  k  空间等能面1.5.2  回旋共振1.6  硅和锗的能带结构1.6.1  硅和锗的导带结构1.6.2  硅和锗的价带结构1.7  ⅢⅤ族化合物半导体的能带结构1.7.1  锑化铟的能带结构1.7.2  砷化镓的能带结构1.7.3  磷化镓和磷化铟的能带结构1.7.4  混合晶体的能带结构1.8  ⅡⅥ族化合物半导体的能带结构1.8.1  二元化合物的能带结构1.8.2  混合晶体的能带结构1.9  Si1-xGex合金的能带1.10  宽禁带半导体材料1.10.1  GaN、AlN的晶格结构和能带1.10.2  SiC的晶格结构与能带习题参考资料第2章  半导体中杂质和缺陷能级2.1  硅、锗晶体中的杂质能级2.1.1  替位式杂质  间隙式杂质2.1.2  施主杂质、施主能级2.1.3  受主杂质、受主能级2.1.4  浅能级杂质电离能的简单计算2.1.5  杂质的补偿作用2.1.6  深能级杂质2.2  ⅢⅤ族化合物中的杂质能级2.3  氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级2.4  缺陷、位错能级2.4.1  点缺陷2.4.2  位错习题参考资料第3章  半导体中载流子的统计分布3.1  状态密度3.1.1    空间中量子态的分布3.1.2  状态密度3.2  费米能级和载流子的统计分布3.2.1  费米分布函数3.2.2  玻耳兹曼分布函数3.2.3  导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度3.2.4  载流子浓度乘积n0p03.3  本征半导体的载流子浓度3.4  杂质半导体的载流子浓度3.4.1  杂质能级上的电子和空穴3.4.2  n型半导体的载流子浓度3.5  一般情况下的载流子统计分布3.6  简并半导体3.6.1  简并半导体的载流子浓度3.6.2  简并化条件3.6.3  低温载流子冻析效应3.6.4  禁带变窄效应*3.7  电子占据杂质能级的概率3.7.1  电子占据杂质能级概率的讨论3.7.2  求解统计分布函数习题参考资料第4章  半导体的导电性4.1  载流子的漂移运动和迁移率4.1.1  欧姆定律4.1.2  漂移速度和迁移率4.1.3  半导体的电导率和迁移率4.2  载流子的散射4.2.1  载流子散射的概念4.2.2  半导体的主要散射机构4.3  迁移率与杂质浓度和温度的关系4.3.1  平均自由时间和散射概率的关系4.3.2  电导率、迁移率与平均自由时间的关系4.3.3  迁移率与杂质和温度的关系4.4  电阻率及其与杂质浓度和温度的关系4.4.1  电阻率和杂质浓度的关系4.4.2  电阻率随温度的变化4.5  玻耳兹曼方程、电导率的统计理论4.5.1  玻耳兹曼方程4.5.2  弛豫时间近似4.5.3  弱电场近似下玻耳兹曼方程的解4.5.4  球形等能面半导体的电导率4.6  强电场下的效应、热载流子4.6.1  欧姆定律的偏离4.6.2  平均漂移速度与电场强度的关系4.7  多能谷散射、耿氏效应4.7.1  多能谷散射、体内负微分电导4.7.2  高场畴区及耿氏振荡习题参考资料第5章  非平衡载流子5.1  非平衡载流子的注入与复合5.2  非平衡载流子的寿命5.3  准费米能级5.4  复合理论5.4.1  直接复合5.4.2  间接复合5.4.3  表面复合5.4.4  俄歇复合5.5  陷阱效应5.6  载流子的扩散运动5.7  载流子的漂移扩散,爱因斯坦关系式5.8  连续性方程式5.9  硅的少数载流子寿命与扩散长度参考资料第6章  pn结6.1  pn结及其能带图6.1.1  pn结的形成和杂质分布6.1.2  空间电荷区6.1.3  pn结能带图6.1.4  pn结接触电势差6.1.5  pn结的载流子分布6.2  pn结电流电压特性6.2.1  非平衡状态下的pn结6.2.2  理想pn结模型及其电流电压方程6.2.3  影响pn结电流电压特性偏离理想方程的各种因素6.3  pn结电容6.3.1  pn结电容的来源6.3.2  突变结的势垒电容6.3.3  线性缓变结的势垒电容6.3.4  扩散电容6.4  pn结击穿6.4.1  雪崩击穿6.4.2  隧道击穿(齐纳击穿)6.4.3  热电击穿6.5  pn结隧道效应习题参考资料第7章  金属和半导体的接触7.1  金属半导体接触及其能级图7.1.1  金属和半导体的功函数7.1.2  接触电势差7.1.3  表面态对接触势垒的影响7.2  金属半导体接触整流理论7.2.1  扩散理论7.2.2  热电子发射理论7.2.3  镜像力和隧道效应的影响7.2.4  肖特基势垒二极管7.3  少数载流子的注入和欧姆接触7.3.1  少数载流子的注入7.3.2  欧姆接触参考资料第8章  半导体表面与MIS结构8.1  表面态8.2  表面电场效应8.2.1  空间电荷层及表面势8.2.2  表面空间电荷层的电场、电势和电容8.3  MIS结构的CV特性8.3.1  理想MIS结构的CV特性8.3.2  金属与半导体功函数差对MIS结构CV特性的影响8.3.3  绝缘层中电荷对MIS结构CV特性的影响8.4  硅—二氧化硅系统的性质8.4.1  二氧化硅中的可动离子8.4.2  二氧化硅层中的固定表面电荷8.4.3  在硅—二氧化硅界面处的快界面态8.4.4  二氧化硅中的陷阱电荷8.5  表面电导及迁移率8.5.1  表面电导8.5.2  表面载流子的有效迁移率8.6  表面电场对pn结特性的影响8.6.1  表面电场作用下pn结的能带图8.6.2  表面电场作用下pn结的反向电流8.6.3  表面电场对pn结击穿特性的影响8.6.4  表面纯化习题参考资料第9章  半导体异质结构9.1  半导体异质结及其能带图9.1.1  半导体异质结的能带图9.1.2  突变反型异质结的接触电势差及势垒区宽度9.1.3  突变反型异质结的势垒电容9.1.4  突变同型异质结的若干公式9.2  半导体异质pn结的电流电压特性及注入特性9.2.1  突变异质pn结的电流—电压特性9.2.2  异质pn结的注入特性9.3  半导体异质结量子阱结构及其电子能态与特性9.3.1  半导体调制掺杂异质结构界面量子阱9.3.2  双异质结间的单量子阱结构9.3.3  双势垒单量子阱结构及共振隧穿效应9.4  半导体应变异质结构9.4.1  应变异质结9.4.2  应变异质结构中应变层材料能带的改性9.5  GaN基半导体异质结构9.5.1  GaN,AlGaN和InGaN的极化效应9.5.2  AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气的形成9.5.3  InxGa1-xN/GaN异质结构9.6  半导体超晶格习题参考资料第10章  半导体的光学性质和光电与发光现象10.1  半导体的光学常数10.1.1  折射率和吸收系数10.1.2  反射系数和透射系数10.2  半导体的光吸收10.2.1  本征吸收10.2.2  直接跃迁和间接跃迁10.2.3  其他吸收过程10.3  半导体的光电导10.3.1  附加电导率10.3.2  定态光电导及其弛豫过程10.3.3  光电导灵敏度及光电导增益10.3.4  复合和陷阱效应对光电导的影响10.3.5  本征光电导的光谱分布10.3.6  杂质光电导10.4  半导体的光生伏特效应10.4.1  pn结的光生伏特效应10.4.2  光电池的电流电压特性10.5.1  辐射跃迁10.5.2  发光效率10.5.3  电致发光激发机构10.6  半导体激光10.6.1  自发辐射和受激辐射10.6.2  分布反转10.6.3  pn结激光器原理10.6.4  激光材料10.7  半导体异质结在光电子器件中的应用10.7.1  单异质结激光器10.7.2  双异质结激光器10.7.3  大光学腔激光器习题参考资料第11章  半导体的热电性质11.1  热电效应的一般描述11.1.1  塞贝克效应11.1.2  珀耳帖效应11.1.3  汤姆逊效应11.1.4  塞贝克系数、珀耳帖系数和汤姆逊系数间的关系11.2  半导体的温差电动势率11.2.1  一种载流子的热力学温差电动势率11.2.2  两种载流子的热力学温差电动势率11.2.3  两种材料的温差电动势率11.3  半导体的珀耳帖效应11.4  半导体的汤姆逊效应11.5  半导体的热导率11.5.1  载流子对热导率的贡献11.5.2  声子对热导率的贡献11.6  半导体热电效应的应用习题参考资料第12章  半导体磁和压阻效应12.1  霍耳效应12.1.1  一种载流子的霍耳效应12.1.2  载流子在电磁场中的运动12.1.3  两种载流子的霍耳效应12.1.4  霍耳效应的应用12.2  磁阻效应12.2.1  物理磁阻效应12.2.2  几何磁阻效应12.2.3  磁阻效应的应用12.3  磁光效应12.3.1  朗道(Landau)能级12.3.2  带间磁光吸收12.4  量子化霍耳效应12.5  热磁效应12.5.1  爱廷豪森效应12.5.2  能斯脱效应12.5.3  里纪勒杜克效应12.6  光磁电效应12.6.1  光扩散电势差12.6.2  光磁电效应12.7  压阻效应12.7.1  压阻系数12.7.2  液体静压强作用下的效应12.7.3  单轴拉伸或压缩下的效应12.7.4  压阻效应的应用习题参考资料第13章  非晶态半导体13.1  非晶态半导体的结构13.2  非晶态半导体中的电子态13.2.1  无序体系中电子态的定域化13.2.2  迁移率边13.2.3  非晶态半导体的能带模型13.2.4  非晶态半导体的化学键结构13.3  非晶态半导体中的缺陷、隙态与掺杂效应13.3.1  四面体结构非晶态半导体中的缺陷和隙态13.3.2  硫系非晶态半导体的缺陷与缺陷定域态13.3.3  Ⅳ族元素非晶态半导体的掺杂效应13.4  非晶态半导体中的电学性质13.4.1  非晶态半导体的导电机理13.4.2  非晶态半导体的漂移迁移率13.4.3  非晶态半导体的弥散输运过程13.5  非晶态半导体中的光学性质13.5.1  非晶态半导体的光吸收13.5.2  非晶态半导体的光电导13.6  aSi∶H的pn结与金—半接触特性参考资料附录A  常用物理常数和能量表达变换表附录B  半导体材料物理性质表主要参数符号表参考资料
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乔尼·休斯
半导体物理学(第7版)
事邦国之神祇:唐至北宋吉礼变迁研究
朱溢 著
半导体物理学(第7版)
《剑桥非洲史·20世纪卷(1905—1940)》 《剑桥非洲史·20世纪卷(1940—1975)》(丛书2册)
安德鲁·罗伯茨;迈克尔·克劳德
半导体物理学(第7版)
面具与乌托邦:墨西哥人民及其文化剪影
[墨]萨穆埃尔·拉莫斯
半导体物理学(第7版)
苏联的外宾商店:为了工业化所需的黄金
[俄罗斯]叶列娜·亚历山德罗夫娜·奥金娜
半导体物理学(第7版)
警治的终结
[英]亚历克斯·S.维塔莱 著;王飞、张鹏瀚 译
半导体物理学(第7版)
用电影燃尽欲望
[【日】]园子温;余梦娇