半导体物理与器件

半导体物理与器件
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作者: [美] ,
2011-10
版次: 4
ISBN: 9787121146985
定价: 89.00
装帧: 平装
开本: 16开
纸张: 胶版纸
页数: 772页
字数: 1204千字
正文语种: 英语
原版书名: Semiconductor Physics and Devices:Basic Principles Fourth Edition
分类: 工程技术
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  • 《半导体物理与器件(第4版)(英文版)》是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容,共三部分(合计15章)。第一部分是基础物理,包括固体晶格结构、量子力学和固体物理;第二部分是半导体材料物理,主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象;第三部分是半导体器件物理,主要讨论同质pn结、金属半导体接触、异质结以及双极晶体管、MOS场效应晶体管、结型场效应晶体管等。最后论述光子器件和功率半导体器件。书中既讲述了半导体基础知识,也分析讨论了小尺寸器件物理问题,具有一定的深度和广度。 尼曼,DonaldA.Neamen(唐纳德.A.尼曼),美国新墨西哥大学电气与计算机工程系教授,于新墨西哥大学取得博士学位后.成为Hanscom空军基地固态科学实验室电子工程师。1976年,加入新墨西哥大学电气与计算机工程系,从事半导体物理与器件课程和电路课程的教学工作。目前,尼曼仍是该系的返聘教员。近来,他曾任教于中国上海的密歇根-上海交通大学联合研究所。

    1980年,尼曼教授获得新墨西哥大学“杰出教师奖”;1983年和1985年.获得由美国最悠久的工程荣誉学会TauBetaPi(TBI)颁发的“工程学院杰出教师奖”。1990年及从1994年开始至2001年的每一年,获得由电气和计算机工程系毕业生授予的“荣誉教师奖”。他还于1994年获得工程学院的“优秀教学奖”。

    除教学外,尼曼教授曾任电气与计算机工程系副主任,并曾与业界的MartinMarietta公司、Sandia美国国家实验室和Raytheon公司合作。发表过许多论文,同时是MicroelectronicsCircuitAnalysisandDesign,FourthEdition和AnIntroductiontoSemiconductorDevices两书的作者。 第一部分半导体材料属性
    第1章固体晶格结构
    1.0预习
    1.1半导体材料
    1.2固体类型
    1.3空间晶格
    1.3.1原胞和晶胞
    1.3.2基本的晶体结构
    1.3.3晶面和密勒指数
    1.3.4晶向
    1.4金刚石结构
    1.5原子价键
    *1.6固体中的缺陷和杂质
    1.6.1固体中的缺陷
    1.6.2固体中的杂志
    *1.7半导体材料的生长
    1.7.1在熔融体中生长
    1.7.2外延生长
    1.8小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第2章量子力学初步
    2.0预习
    2.1量子力学的基本原理
    2.1.1能量量子化
    2.1.2波粒二相性
    2.1.3不确定原理
    2.2薛定谔波动方程
    2.2.1波动方程
    2.2.2波函数的物理意义
    2.2.3边界条件
    2.3薛定谔波动方程的应用
    2.3.1自由空间中的电子
    2.3.2无限深势阱
    2.3.3阶跃势函数
    2.3.4势垒和隧道效应
    2.4原子波动理论的延伸
    2.4.1单电子原子
    2.4.2周期表
    2.5小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第3章固体量子理论初步
    3.0预习
    3.1允带与禁带
    3.1.1能带的形成
    3.1.2克龙尼克-潘纳模型
    3.1.3k空间能带图
    3.2固体中电的传导
    3.2.1能带和键模型
    3.2.2漂移电流
    3.2.3电子的有效质量
    3.2.4空穴的概念
    3.2.5金属、绝缘体和半导体
    3.3三维扩展
    3.3.1硅和砷化镓的k空间能带图
    3.3.2有效质量的补充概念
    3.4状态密度函数
    3.4.1数学推导
    3.4.2扩展到半导体
    3.5统计力学
    3.5.1统计规律
    3.5.2费米-狄拉克概率函数
    3.5.3分布函数和费米能级
    3.6小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第4章平衡半导体
    4.0预习
    4.1半导体中的载流子
    4.1.1电子和空穴的平衡分布
    4.1.2n0方程和p0方程
    4.1.3本征载流子浓度
    4.1.4本征费米能级位置
    4.2掺杂原子与能级
    4.2.1定性描述
    4.2.2电离能
    4.2.3III-V族半导体
    4.3非本征半导体
    4.3.1电子和空穴的平衡状态分布
    4.3.2n0和p0的乘积
    *4.3.3费米-狄拉克积分
    4.3.4简并与非简并半导体
    4.4施主和受主的统计学分布
    4.4.1概率函数
    4.4.2完全电离与束缚态
    4.5电中性状态
    4.5.1补偿半导体
    4.5.2平衡电子和空穴浓度
    4.6费米能级的位置
    4.6.1数学推导
    4.6.2EF随掺杂浓度和温度的变化
    4.6.3费米能级的应用
    4.7小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第5章载流子输运现象
    5.0预习
    5.1载流子的漂移运动
    5.1.1漂移电流密度
    5.1.2迁移率
    5.1.3电导率
    5.1.4饱和速度
    5.2载流子扩散
    5.2.1扩散电流密度
    5.2.2总电流密度
    5.3杂质梯度分布
    5.3.1感生电场
    5.3.2爱因斯坦关系
    *5.4霍尔效应
    5.5小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第6章半导体中的非平衡过剩载流子
    6.0预习
    6.1载流子的产生与复合
    6.1.1平衡态半导体
    6.1.2过剩载流子的产生与复合
    6.2过剩载流子的性质
    6.2.1连续性方程
    6.2.2与时间有关的扩散方程
    6.3双极输运
    6.3.1双极输运方程的推导
    6.3.2掺杂及小注入的约束条件
    6.3.3双极输运方程的应用
    6.3.4介电弛豫时间常数
    *6.3.5海恩斯-肖克莱实验
    6.4准费米能级
    *6.5过剩载流子的寿命
    6.5.1肖克莱-里德-霍尔复合理论
    6.5.2非本征掺杂和小注入的约束条件
    *6.6表面效应
    6.6.1表面态
    6.6.2表面复合速度
    6.7小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第二部分半导体器件基础
    第7章pn结
    7.0预习
    7.1pn结的基本结构
    7.2零偏
    7.2.1内建电势差
    7.2.2电场强度
    7.2.3空间电荷区宽度
    7.3反偏
    7.3.1空间电荷区宽度与电场
    7.3.2势垒电容(结电容)
    7.3.3单边突变结
    7.4结击穿
    *7.5非均匀掺杂pn结
    7.5.1线性缓变结
    7.5.2超突变结
    7.6小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第8章pn结二极管
    8.0预习
    8.1pn结电流
    8.1.1pn结内电荷流动的定性描述
    8.1.2理想的电流-电压关系
    8.1.3边界条件
    8.1.4少数载流子分布
    8.1.5理想pn结电流
    8.1.6物理学小结
    8.1.7温度效应
    8.1.8短二极管
    8.2产生-复合电流和高注入级别
    8.2.1产生复合电流
    8.2.2高级注入
    8.3pn结的小信号模型
    8.3.1扩散电阻
    8.3.2小信号导纳
    8.3.3等效电路
    *8.4电荷存储与二极管瞬态
    8.4.1关瞬态
    8.4.2开瞬态
    *8.5隧道二极管
    8.6小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第9章金属半导体和半导体异质结
    9.0预习
    9.1肖特基势垒二极管
    9.1.1性质上的特征
    9.1.2理想结的特性
    9.1.3影响肖特基势垒高度的非理想因素
    9.1.4电流-电压关系
    9.1.5肖特基势垒二极管与pn结二极管的比较
    9.2金属-半导体的欧姆接触
    9.2.1理想非整流接触势垒
    9.2.2隧道效应
    9.2.3比接触电阻
    9.3异质结
    9.3.1形成异质结的材料
    9.3.2能带图
    9.3.3二维电子气
    *9.3.4静电平衡态
    *9.3.5电流-电压特性
    9.4小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第10章金属-氧化物-半导体
    场效应晶体管基础
    10.0预习
    10.1双端MOS结构
    10.1.1能带图
    10.1.2耗尽层厚度
    10.1.3面电荷密度
    10.1.4功函数差
    10.1.5平带电压
    10.1.6阈值电压
    10.2电容-电压特性
    10.2.1理想C-V特性
    10.2.2频率特性
    10.2.3固定栅氧化层电荷和界面电荷效应
    10.3MOSFET基本工作原理
    10.3.1MOSFET结构
    10.3.2电流-电压关系--概念
    *10.3.3电流-电压关系--数学推导
    *10.3.4跨导
    10.3.5衬底偏置效应
    10.4频率限制特性
    10.4.1小信号等效电路
    10.4.2频率限制因素和截止频率
    *10.5CMOS技术
    10.6小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第11章金属-氧化物-半导体场效应晶体管:概念的深入
    11.0预习
    11.1非理想效应
    11.1.1亚阈值电导
    11.1.2沟道长度调制效应
    11.1.3迁移率变化
    11.1.4速度饱和
    11.1.5弹道输运
    11.2MOSFET按比例缩小理论
    11.2.1恒定电场按比例缩小
    11.2.2阈值电压--一级近似
    11.2.3全部按比例缩小理论
    11.3阈值电压的修正
    11.3.1短沟道效应
    11.3.2窄沟道效应
    11.4附加电学特性
    11.4.1击穿电压
    *11.4.2轻掺杂漏晶体管
    11.4.3通过离子注入进行阈值调整
    *11.5辐射和热电子效应
    11.5.1辐射引入的氧化层电荷
    11.5.2辐射引入的界面态
    11.5.3热电子充电效应
    11.6小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第12章双极晶体管
    12.0预习
    12.1双极晶体管的工作原理
    12.1.1基本工作原理
    12.1.2晶体管电流的简化表达式
    12.1.3工作模式
    12.1.4双极晶体管放大电路
    12.2少子的分布
    12.2.1正向有源模式
    12.2.2其他工作模式
    12.3低频共基极电流增益
    12.3.1有用的因素
    12.3.2电流增益的数学表达式
    12.3.3小结
    12.3.4电流增益的计算
    12.4非理想效应
    12.4.1基区宽度调制效应
    12.4.2大注入效应
    12.4.3发射区禁带变窄
    12.4.4电流集边效应
    *12.4.5基区非均匀掺杂的影响
    12.4.6击穿电压
    12.5等效电路模型
    *12.5.1Ebers-Moll模型
    12.5.2Gummel-Poon模型
    12.5.3H-P模型
    12.6频率上限
    12.6.1延时因子
    12.6.2晶体管截止频率
    12.7大信号开关
    12.7.1开关特性
    12.7.2肖特基钳位晶体管
    *12.8其他的双极晶体管结构
    12.8.1多晶硅发射区双极结型晶体管
    12.8.2SiGe基于晶体管
    12.8.3异质结双极晶体管
    12.9小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第13章结型场效应晶体管
    13.0预习
    13.1JFET概念
    13.1.1pnJFET的基本工作原理
    13.1.2MESFET的基本工作原理
    13.2器件的特性
    13.2.1内建夹断电压、夹断电压和漏源饱和电压
    13.2.2耗尽型JFET的理想直流I-V特性
    13.2.3跨导
    13.2.4MESFET
    *13.3非理想因素
    13.3.1沟道长度调制效应
    13.3.2饱和速度影响
    13.3.3亚阈值特性和栅电流效应
    *13.4等效电路和频率限制
    13.4.1小信号等效电路
    13.4.2频率限制因子和截止频率
    *13.5高电子迁移率晶体管
    13.5.1量子阱结构
    13.5.2晶体管性能
    13.6小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第三部分专用半导体器件
    第14章光器件
    14.0预习
    14.1光学吸收
    14.1.1光子吸收系数
    14.1.2电子-空穴对的产生率
    14.2太阳能电池
    14.2.1pn结太阳能电池
    14.2.2转换效率与太阳光集中
    14.2.3非均匀吸收的影响
    14.2.4异质结太阳能电池
    14.2.5非晶态(无定形)硅太阳能电池
    14.3光电探测器
    14.3.1光电导体
    14.3.2光电二极管
    14.3.3PIN光电二极管
    14.3.4雪崩二极管
    14.3.5光电晶体管
    14.4光致发光和电致发光
    14.4.1基本跃迁
    14.4.2发光效率
    14.4.3材料
    14.5光电二极管
    14.5.1光的产生
    14.5.2内量子效率
    14.5.3外量子效率
    14.5.4LED器件
    14.6激光二极管
    14.6.1受激辐射和分布反转
    14.6.2光学空腔谐振器
    14.6.3阈值电流
    14.6.4器件结构与特性
    14.7小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第15章半导体功率器件
    15.0预习
    15.1隧道二极管
    15.2GUNN二极管
    15.3IMPATT二极管
    15.4功率双极晶体管
    15.4.1垂直式功率晶体管结构
    15.4.2功率晶体管特性
    15.4.3达林顿组态
    15.5功率MOSFET
    15.5.1功率晶体管结构
    15.5.2功率MOSFET特性
    15.5.3寄生双极晶体管
    15.6半导体闸流管
    15.6.1基本特性
    15.6.2SCR的触发机理
    15.6.3SCR的关断
    15.6.4器件结构
    15.7小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    附录A部分参数符号列表
    附录B单位制、单位换算和通用常数
    附录C元素周期表
    附录D能量单位--电子伏特
    附录E薛定谔波动方程的推导
    附录F有效质量概念
    附件G误差函数
    附录H部分习题参考答案
    索引
  • 内容简介:
    《半导体物理与器件(第4版)(英文版)》是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容,共三部分(合计15章)。第一部分是基础物理,包括固体晶格结构、量子力学和固体物理;第二部分是半导体材料物理,主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象;第三部分是半导体器件物理,主要讨论同质pn结、金属半导体接触、异质结以及双极晶体管、MOS场效应晶体管、结型场效应晶体管等。最后论述光子器件和功率半导体器件。书中既讲述了半导体基础知识,也分析讨论了小尺寸器件物理问题,具有一定的深度和广度。
  • 作者简介:
    尼曼,DonaldA.Neamen(唐纳德.A.尼曼),美国新墨西哥大学电气与计算机工程系教授,于新墨西哥大学取得博士学位后.成为Hanscom空军基地固态科学实验室电子工程师。1976年,加入新墨西哥大学电气与计算机工程系,从事半导体物理与器件课程和电路课程的教学工作。目前,尼曼仍是该系的返聘教员。近来,他曾任教于中国上海的密歇根-上海交通大学联合研究所。

    1980年,尼曼教授获得新墨西哥大学“杰出教师奖”;1983年和1985年.获得由美国最悠久的工程荣誉学会TauBetaPi(TBI)颁发的“工程学院杰出教师奖”。1990年及从1994年开始至2001年的每一年,获得由电气和计算机工程系毕业生授予的“荣誉教师奖”。他还于1994年获得工程学院的“优秀教学奖”。

    除教学外,尼曼教授曾任电气与计算机工程系副主任,并曾与业界的MartinMarietta公司、Sandia美国国家实验室和Raytheon公司合作。发表过许多论文,同时是MicroelectronicsCircuitAnalysisandDesign,FourthEdition和AnIntroductiontoSemiconductorDevices两书的作者。
  • 目录:
    第一部分半导体材料属性
    第1章固体晶格结构
    1.0预习
    1.1半导体材料
    1.2固体类型
    1.3空间晶格
    1.3.1原胞和晶胞
    1.3.2基本的晶体结构
    1.3.3晶面和密勒指数
    1.3.4晶向
    1.4金刚石结构
    1.5原子价键
    *1.6固体中的缺陷和杂质
    1.6.1固体中的缺陷
    1.6.2固体中的杂志
    *1.7半导体材料的生长
    1.7.1在熔融体中生长
    1.7.2外延生长
    1.8小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第2章量子力学初步
    2.0预习
    2.1量子力学的基本原理
    2.1.1能量量子化
    2.1.2波粒二相性
    2.1.3不确定原理
    2.2薛定谔波动方程
    2.2.1波动方程
    2.2.2波函数的物理意义
    2.2.3边界条件
    2.3薛定谔波动方程的应用
    2.3.1自由空间中的电子
    2.3.2无限深势阱
    2.3.3阶跃势函数
    2.3.4势垒和隧道效应
    2.4原子波动理论的延伸
    2.4.1单电子原子
    2.4.2周期表
    2.5小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第3章固体量子理论初步
    3.0预习
    3.1允带与禁带
    3.1.1能带的形成
    3.1.2克龙尼克-潘纳模型
    3.1.3k空间能带图
    3.2固体中电的传导
    3.2.1能带和键模型
    3.2.2漂移电流
    3.2.3电子的有效质量
    3.2.4空穴的概念
    3.2.5金属、绝缘体和半导体
    3.3三维扩展
    3.3.1硅和砷化镓的k空间能带图
    3.3.2有效质量的补充概念
    3.4状态密度函数
    3.4.1数学推导
    3.4.2扩展到半导体
    3.5统计力学
    3.5.1统计规律
    3.5.2费米-狄拉克概率函数
    3.5.3分布函数和费米能级
    3.6小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第4章平衡半导体
    4.0预习
    4.1半导体中的载流子
    4.1.1电子和空穴的平衡分布
    4.1.2n0方程和p0方程
    4.1.3本征载流子浓度
    4.1.4本征费米能级位置
    4.2掺杂原子与能级
    4.2.1定性描述
    4.2.2电离能
    4.2.3III-V族半导体
    4.3非本征半导体
    4.3.1电子和空穴的平衡状态分布
    4.3.2n0和p0的乘积
    *4.3.3费米-狄拉克积分
    4.3.4简并与非简并半导体
    4.4施主和受主的统计学分布
    4.4.1概率函数
    4.4.2完全电离与束缚态
    4.5电中性状态
    4.5.1补偿半导体
    4.5.2平衡电子和空穴浓度
    4.6费米能级的位置
    4.6.1数学推导
    4.6.2EF随掺杂浓度和温度的变化
    4.6.3费米能级的应用
    4.7小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第5章载流子输运现象
    5.0预习
    5.1载流子的漂移运动
    5.1.1漂移电流密度
    5.1.2迁移率
    5.1.3电导率
    5.1.4饱和速度
    5.2载流子扩散
    5.2.1扩散电流密度
    5.2.2总电流密度
    5.3杂质梯度分布
    5.3.1感生电场
    5.3.2爱因斯坦关系
    *5.4霍尔效应
    5.5小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第6章半导体中的非平衡过剩载流子
    6.0预习
    6.1载流子的产生与复合
    6.1.1平衡态半导体
    6.1.2过剩载流子的产生与复合
    6.2过剩载流子的性质
    6.2.1连续性方程
    6.2.2与时间有关的扩散方程
    6.3双极输运
    6.3.1双极输运方程的推导
    6.3.2掺杂及小注入的约束条件
    6.3.3双极输运方程的应用
    6.3.4介电弛豫时间常数
    *6.3.5海恩斯-肖克莱实验
    6.4准费米能级
    *6.5过剩载流子的寿命
    6.5.1肖克莱-里德-霍尔复合理论
    6.5.2非本征掺杂和小注入的约束条件
    *6.6表面效应
    6.6.1表面态
    6.6.2表面复合速度
    6.7小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第二部分半导体器件基础
    第7章pn结
    7.0预习
    7.1pn结的基本结构
    7.2零偏
    7.2.1内建电势差
    7.2.2电场强度
    7.2.3空间电荷区宽度
    7.3反偏
    7.3.1空间电荷区宽度与电场
    7.3.2势垒电容(结电容)
    7.3.3单边突变结
    7.4结击穿
    *7.5非均匀掺杂pn结
    7.5.1线性缓变结
    7.5.2超突变结
    7.6小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第8章pn结二极管
    8.0预习
    8.1pn结电流
    8.1.1pn结内电荷流动的定性描述
    8.1.2理想的电流-电压关系
    8.1.3边界条件
    8.1.4少数载流子分布
    8.1.5理想pn结电流
    8.1.6物理学小结
    8.1.7温度效应
    8.1.8短二极管
    8.2产生-复合电流和高注入级别
    8.2.1产生复合电流
    8.2.2高级注入
    8.3pn结的小信号模型
    8.3.1扩散电阻
    8.3.2小信号导纳
    8.3.3等效电路
    *8.4电荷存储与二极管瞬态
    8.4.1关瞬态
    8.4.2开瞬态
    *8.5隧道二极管
    8.6小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第9章金属半导体和半导体异质结
    9.0预习
    9.1肖特基势垒二极管
    9.1.1性质上的特征
    9.1.2理想结的特性
    9.1.3影响肖特基势垒高度的非理想因素
    9.1.4电流-电压关系
    9.1.5肖特基势垒二极管与pn结二极管的比较
    9.2金属-半导体的欧姆接触
    9.2.1理想非整流接触势垒
    9.2.2隧道效应
    9.2.3比接触电阻
    9.3异质结
    9.3.1形成异质结的材料
    9.3.2能带图
    9.3.3二维电子气
    *9.3.4静电平衡态
    *9.3.5电流-电压特性
    9.4小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第10章金属-氧化物-半导体
    场效应晶体管基础
    10.0预习
    10.1双端MOS结构
    10.1.1能带图
    10.1.2耗尽层厚度
    10.1.3面电荷密度
    10.1.4功函数差
    10.1.5平带电压
    10.1.6阈值电压
    10.2电容-电压特性
    10.2.1理想C-V特性
    10.2.2频率特性
    10.2.3固定栅氧化层电荷和界面电荷效应
    10.3MOSFET基本工作原理
    10.3.1MOSFET结构
    10.3.2电流-电压关系--概念
    *10.3.3电流-电压关系--数学推导
    *10.3.4跨导
    10.3.5衬底偏置效应
    10.4频率限制特性
    10.4.1小信号等效电路
    10.4.2频率限制因素和截止频率
    *10.5CMOS技术
    10.6小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第11章金属-氧化物-半导体场效应晶体管:概念的深入
    11.0预习
    11.1非理想效应
    11.1.1亚阈值电导
    11.1.2沟道长度调制效应
    11.1.3迁移率变化
    11.1.4速度饱和
    11.1.5弹道输运
    11.2MOSFET按比例缩小理论
    11.2.1恒定电场按比例缩小
    11.2.2阈值电压--一级近似
    11.2.3全部按比例缩小理论
    11.3阈值电压的修正
    11.3.1短沟道效应
    11.3.2窄沟道效应
    11.4附加电学特性
    11.4.1击穿电压
    *11.4.2轻掺杂漏晶体管
    11.4.3通过离子注入进行阈值调整
    *11.5辐射和热电子效应
    11.5.1辐射引入的氧化层电荷
    11.5.2辐射引入的界面态
    11.5.3热电子充电效应
    11.6小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第12章双极晶体管
    12.0预习
    12.1双极晶体管的工作原理
    12.1.1基本工作原理
    12.1.2晶体管电流的简化表达式
    12.1.3工作模式
    12.1.4双极晶体管放大电路
    12.2少子的分布
    12.2.1正向有源模式
    12.2.2其他工作模式
    12.3低频共基极电流增益
    12.3.1有用的因素
    12.3.2电流增益的数学表达式
    12.3.3小结
    12.3.4电流增益的计算
    12.4非理想效应
    12.4.1基区宽度调制效应
    12.4.2大注入效应
    12.4.3发射区禁带变窄
    12.4.4电流集边效应
    *12.4.5基区非均匀掺杂的影响
    12.4.6击穿电压
    12.5等效电路模型
    *12.5.1Ebers-Moll模型
    12.5.2Gummel-Poon模型
    12.5.3H-P模型
    12.6频率上限
    12.6.1延时因子
    12.6.2晶体管截止频率
    12.7大信号开关
    12.7.1开关特性
    12.7.2肖特基钳位晶体管
    *12.8其他的双极晶体管结构
    12.8.1多晶硅发射区双极结型晶体管
    12.8.2SiGe基于晶体管
    12.8.3异质结双极晶体管
    12.9小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第13章结型场效应晶体管
    13.0预习
    13.1JFET概念
    13.1.1pnJFET的基本工作原理
    13.1.2MESFET的基本工作原理
    13.2器件的特性
    13.2.1内建夹断电压、夹断电压和漏源饱和电压
    13.2.2耗尽型JFET的理想直流I-V特性
    13.2.3跨导
    13.2.4MESFET
    *13.3非理想因素
    13.3.1沟道长度调制效应
    13.3.2饱和速度影响
    13.3.3亚阈值特性和栅电流效应
    *13.4等效电路和频率限制
    13.4.1小信号等效电路
    13.4.2频率限制因子和截止频率
    *13.5高电子迁移率晶体管
    13.5.1量子阱结构
    13.5.2晶体管性能
    13.6小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第三部分专用半导体器件
    第14章光器件
    14.0预习
    14.1光学吸收
    14.1.1光子吸收系数
    14.1.2电子-空穴对的产生率
    14.2太阳能电池
    14.2.1pn结太阳能电池
    14.2.2转换效率与太阳光集中
    14.2.3非均匀吸收的影响
    14.2.4异质结太阳能电池
    14.2.5非晶态(无定形)硅太阳能电池
    14.3光电探测器
    14.3.1光电导体
    14.3.2光电二极管
    14.3.3PIN光电二极管
    14.3.4雪崩二极管
    14.3.5光电晶体管
    14.4光致发光和电致发光
    14.4.1基本跃迁
    14.4.2发光效率
    14.4.3材料
    14.5光电二极管
    14.5.1光的产生
    14.5.2内量子效率
    14.5.3外量子效率
    14.5.4LED器件
    14.6激光二极管
    14.6.1受激辐射和分布反转
    14.6.2光学空腔谐振器
    14.6.3阈值电流
    14.6.4器件结构与特性
    14.7小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    第15章半导体功率器件
    15.0预习
    15.1隧道二极管
    15.2GUNN二极管
    15.3IMPATT二极管
    15.4功率双极晶体管
    15.4.1垂直式功率晶体管结构
    15.4.2功率晶体管特性
    15.4.3达林顿组态
    15.5功率MOSFET
    15.5.1功率晶体管结构
    15.5.2功率MOSFET特性
    15.5.3寄生双极晶体管
    15.6半导体闸流管
    15.6.1基本特性
    15.6.2SCR的触发机理
    15.6.3SCR的关断
    15.6.4器件结构
    15.7小结
    重要术语解释
    知识点
    复习题
    习题
    参考文献
    附录A部分参数符号列表
    附录B单位制、单位换算和通用常数
    附录C元素周期表
    附录D能量单位--电子伏特
    附录E薛定谔波动方程的推导
    附录F有效质量概念
    附件G误差函数
    附录H部分习题参考答案
    索引
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