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高新科技译丛：纳米半导体器件与技术

高新科技译丛：纳米半导体器件与技术
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作者: [加拿大] （Krzysztof Iniewski） 编 , 译 , 译
出版社: 国防工业出版社
2013-12
版次: 1
ISBN: 9787118090789
定价: 95.00
装帧: 平装
开本: 16开
纸张: 胶版纸
页数: 361页
字数: 576千字
正文语种: 简体中文
丛书: 高新科技译丛
分类: 工程技术
11人买过
  • 　　《纳米半导体器件与技术》（作者印纽斯基）这《高新科技译丛:纳米半导体器件与技术》由来自工业界和学术界的国际顶级专家参与撰写，是一本对未来纳米制造技术有浓厚兴趣的人必读的书。
    　　《纳米半导体器件与技术》介绍了半导体工艺从标准的CMOS硅工艺到新型器件结构的演变，包括碳纳米管、石墨烯、量子点、III-V族材料。《高新科技译丛:纳米半导体器件与技术》涉及纳米电子器件的研究现状，提供了包罗万象的关于材料和器件结构的资源．包括从微电子到纳电子的革命。
    　　《高新科技译丛:纳米半导体器件与技术》分三个部分：
    　　半导体材料（例如，碳纳米管，忆阻器及自旋有机器件）；
    　　硅器件与技术（如BICMOS，SOI，各种三维集成和RAM技术．以及太阳能电池）；
    　　复合半导体器件与技术。
    　　《高新科技译丛:纳米半导体器件与技术》探索了能够在微电子系统性能上超越传统CMOS的新兴材料。讨论的主题涉及碳纳米管的电子输运GANHEMTS技术及应用。针对万亿美元纳米技术产业的真实市场需求和技术壁垒，《高新科技译丛:纳米半导体器件与技术》提供了新型元器件结构的重要信息．而这将使其向未来的发展迈出一大步。 第一部分半导体材料
    第1章碳纳米管中的电子运动：从电子动力学到电路模型
    1.1引言
    1.2碳纳米管的电子动力学
    1.2.1概述
    1.2.2碳纳米管的能带结构
    1.2.3碳纳米管的构造
    1.2.4单壁和多壁碳纳米管中有效的沟道数量
    1.3电磁学中的应用：碳纳米管作为一种新型的散射材料
    1.3.1概述
    1.3.2碳纳米管散射的电磁学模型
    1.4电路中的应用：碳纳米管作为一种新型的互连材料
    1.4.1纳米级互连中的碳纳米管
    1.4.2碳纳米管互连的TL模型
    1.4.3束状碳纳米管作为新型的芯片封装的互连材料
    1.5结论
    参考文献

    第2章碳纳米管与cMos的单片集成
    第3章便捷的、可扩展的外围电化学方法制备二氧化钛忆阻器
    第4章有机半导体中的自旋传输：最初八年的简要概述

    第二部分硅器件和技术
    第5章siGcBicMoS技术与器件
    第6章新型的高性能低功耗器件范例：极限FDSOI多栅MOSFET和多势垒促进栅极共振隧穿FET
    第7章三维芯片集成技术的发展
    第8章嵌入式STT-MRAM
    第9章非易挥发性存储器件：阻变存储器
    第10章DRAM技术
    第11章单晶硅太阳能电池的优化和模型
    第12章硅器件的辐射效应

    第三部分复合半导体器件与技术
    第13章使用直接生长技术的GaN／InGaN双异质结双极晶体管
    第14章氮化镓高电子迁移率晶体管技术与应用
    第15章基于CaN的金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管的表面处理、工艺和性能
    第16章下一代高功率／高温器件——大尺度硅衬底氮化镓基HEMT器件
    第17章应用于手机终端的砷化镓异质结双极型晶体管及功率放大器设计
    第18章Ⅲ族氯化物的负微分电阻和共振隧穿
    第19章三氮化物半导体子能带光电学的新发展
  • 内容简介:
    　　《纳米半导体器件与技术》（作者印纽斯基）这《高新科技译丛:纳米半导体器件与技术》由来自工业界和学术界的国际顶级专家参与撰写，是一本对未来纳米制造技术有浓厚兴趣的人必读的书。
    　　《纳米半导体器件与技术》介绍了半导体工艺从标准的CMOS硅工艺到新型器件结构的演变，包括碳纳米管、石墨烯、量子点、III-V族材料。《高新科技译丛:纳米半导体器件与技术》涉及纳米电子器件的研究现状，提供了包罗万象的关于材料和器件结构的资源．包括从微电子到纳电子的革命。
    　　《高新科技译丛:纳米半导体器件与技术》分三个部分：
    　　半导体材料（例如，碳纳米管，忆阻器及自旋有机器件）；
    　　硅器件与技术（如BICMOS，SOI，各种三维集成和RAM技术．以及太阳能电池）；
    　　复合半导体器件与技术。
    　　《高新科技译丛:纳米半导体器件与技术》探索了能够在微电子系统性能上超越传统CMOS的新兴材料。讨论的主题涉及碳纳米管的电子输运GANHEMTS技术及应用。针对万亿美元纳米技术产业的真实市场需求和技术壁垒，《高新科技译丛:纳米半导体器件与技术》提供了新型元器件结构的重要信息．而这将使其向未来的发展迈出一大步。
  • 目录:
    第一部分半导体材料
    第1章碳纳米管中的电子运动：从电子动力学到电路模型
    1.1引言
    1.2碳纳米管的电子动力学
    1.2.1概述
    1.2.2碳纳米管的能带结构
    1.2.3碳纳米管的构造
    1.2.4单壁和多壁碳纳米管中有效的沟道数量
    1.3电磁学中的应用：碳纳米管作为一种新型的散射材料
    1.3.1概述
    1.3.2碳纳米管散射的电磁学模型
    1.4电路中的应用：碳纳米管作为一种新型的互连材料
    1.4.1纳米级互连中的碳纳米管
    1.4.2碳纳米管互连的TL模型
    1.4.3束状碳纳米管作为新型的芯片封装的互连材料
    1.5结论
    参考文献

    第2章碳纳米管与cMos的单片集成
    第3章便捷的、可扩展的外围电化学方法制备二氧化钛忆阻器
    第4章有机半导体中的自旋传输：最初八年的简要概述

    第二部分硅器件和技术
    第5章siGcBicMoS技术与器件
    第6章新型的高性能低功耗器件范例：极限FDSOI多栅MOSFET和多势垒促进栅极共振隧穿FET
    第7章三维芯片集成技术的发展
    第8章嵌入式STT-MRAM
    第9章非易挥发性存储器件：阻变存储器
    第10章DRAM技术
    第11章单晶硅太阳能电池的优化和模型
    第12章硅器件的辐射效应

    第三部分复合半导体器件与技术
    第13章使用直接生长技术的GaN／InGaN双异质结双极晶体管
    第14章氮化镓高电子迁移率晶体管技术与应用
    第15章基于CaN的金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管的表面处理、工艺和性能
    第16章下一代高功率／高温器件——大尺度硅衬底氮化镓基HEMT器件
    第17章应用于手机终端的砷化镓异质结双极型晶体管及功率放大器设计
    第18章Ⅲ族氯化物的负微分电阻和共振隧穿
    第19章三氮化物半导体子能带光电学的新发展
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