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Springer手册精选原版系列：半导体物理性能手册（第2卷 上册）

Springer手册精选原版系列：半导体物理性能手册（第2卷 上册）
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作者: [日] （Sadao Adachi） 著
出版社: 哈尔滨工业大学出版社
2014-04
版次: 1
ISBN: 9787560345161
定价: 148.00
装帧: 平装
开本: 16开
纸张: 胶版纸
页数: 232页
正文语种: 简体中文，英语
丛书: Springer手册精选原版系列
分类: 自然科学
3 张插图图片
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  • 　　《Springer手册精选原版系列：半导体物理性能手册（第2卷 上册）》介绍了各族半导体、化合物半导体的物理性能，包括：结构特性、热学性质、弹性性质、声子与晶格振动性质、集体效应及相关性质、能带结构：能带隙、能带结构：电子和空穴的有效质量、电子形变势、电子亲和能与肖特基势垒高度、光学性质、弹光、电光和非线性光学性质、载流子输运性质。 Preface
    Acknowledgments
    ContentsofOtherVolumes
    1CubicBoronNitride(c-BN)
    1.1StructuralProperties
    1.1.1Ionicity
    1.1.2ElementalIsotopicAbundanceandMolecularWeight
    1.1.3CrystalStructureandSpaceGroup
    1.1.4LatticeConstantandItsRelatedParameters
    1.1.5StructuralPhaseTransition
    1.1.6CleavagePlane
    1.2ThermalProperties
    1.2.1MeltingPointandItsRelatedParameters
    1.2.2SpecificHeat
    1.2.3DebyeTemperature
    1.2.4ThermalExpansionCoefficient
    1.2.5ThermalConductivityandDiffusivity
    1.3ElasticProperties
    1.3.1ElasticConstant
    1.3.2Third-OrderElasticConstant
    1.3.3Young'sModulus,Poisson'sRatio,andSimilar
    1.3.4Microhardness
    1.3.5SoundVelocity
    1.4PhononsandLatticeVibronicProperties
    1.4.1PhononDispersionRelation
    1.4.2PhononFrequency
    1.4.3ModeGruneisenParameter
    1.4.4PhononDeformationPotential
    1.5CollectiveEffectsandRelatedProperties
    1.5.1PiezoelectricConstant
    1.5.2FrohlichCouplingConstant
    1.6Energy-BandStructure:Energy-BandGaps
    1.6.1BasicProperties
    1.6.2Eo-GapRegion
    1.6.3Higher-LyingDirectGap
    1.6.4LowestIndirectGap
    1.6.5Conduction-ValleyEnergySeparation
    1.6.6Direct-Indirect-GapTransitionPressure
    1.7Energy-BandStructure:ElectronandHoleEffectiveMassesl
    1.7.1ElectronEffectiveMass:FValley
    1.7.2ElectronEffectiveMass:SatelliteValley
    1.7.3HoleEffectiveMass
    1.8'ElectronicDeformationPotential
    1.8.1IntravalleyDeformationPotential:I-Point
    1.8.2IntravalleyDeformationPotential:High-SymmetryPoints
    1.8.3IntervalleyDeformationPotential
    1.9ElectronAffinityandSchottkyBarrierHeight
    1.9.1ElectronAffinity
    1.9.2SchottkyBarrierHeight
    1.10OpticalProperties
    1.10.1SummaryofOpticalDispersionRelations
    1.10.2TheReststrahlenRegion
    1.10.3AtorNeartheFundamentalAbsorptionEdge
    1.10.4TheInterbandTransitionRegion
    1.10.5Free-CarrierAbsorptionandRelatedPhenomena
    1.11Elastooptic,Electrooptic,andNonlinearOpticalProperties
    1.11.1ElastoopticEffect
    1.11.2LinearElectroopticConstant
    1.11.3QuadraticElectroopticConstant
    1.11.4Franz-KeldyshEffect
    1.11.5NonlinearOpticalConstant
    1.12CarrierTransportProperties
    1.12.1Low-FieldMobility:Electrons
    1.12.2Low-FieldMobility:Holes
    1.12.3High-FieldTransport:Electrons
    1.12.4High-FieldTransport:Holes
    1.12.5Minority-CarrierTransport:Electronsinp-TypeMaterials
    1.12.6Minority-CarrierTransport:Holesinn-TypeMaterials
    ……
    2HexagonalBoronNitride(h-BN)
    3BoronPhosphide(BP)
    4BoronArsenide(BAs)
    5WurtziteAluminumNitride(w-AIN)
    6CubicAluminumNitride(c-AIN)
    8AluminumArsenide(AIAs)
    9AluminumAntimonide(AISb)
  • 内容简介:
    　　《Springer手册精选原版系列：半导体物理性能手册（第2卷 上册）》介绍了各族半导体、化合物半导体的物理性能，包括：结构特性、热学性质、弹性性质、声子与晶格振动性质、集体效应及相关性质、能带结构：能带隙、能带结构：电子和空穴的有效质量、电子形变势、电子亲和能与肖特基势垒高度、光学性质、弹光、电光和非线性光学性质、载流子输运性质。
  • 目录:
    Preface
    Acknowledgments
    ContentsofOtherVolumes
    1CubicBoronNitride(c-BN)
    1.1StructuralProperties
    1.1.1Ionicity
    1.1.2ElementalIsotopicAbundanceandMolecularWeight
    1.1.3CrystalStructureandSpaceGroup
    1.1.4LatticeConstantandItsRelatedParameters
    1.1.5StructuralPhaseTransition
    1.1.6CleavagePlane
    1.2ThermalProperties
    1.2.1MeltingPointandItsRelatedParameters
    1.2.2SpecificHeat
    1.2.3DebyeTemperature
    1.2.4ThermalExpansionCoefficient
    1.2.5ThermalConductivityandDiffusivity
    1.3ElasticProperties
    1.3.1ElasticConstant
    1.3.2Third-OrderElasticConstant
    1.3.3Young'sModulus,Poisson'sRatio,andSimilar
    1.3.4Microhardness
    1.3.5SoundVelocity
    1.4PhononsandLatticeVibronicProperties
    1.4.1PhononDispersionRelation
    1.4.2PhononFrequency
    1.4.3ModeGruneisenParameter
    1.4.4PhononDeformationPotential
    1.5CollectiveEffectsandRelatedProperties
    1.5.1PiezoelectricConstant
    1.5.2FrohlichCouplingConstant
    1.6Energy-BandStructure:Energy-BandGaps
    1.6.1BasicProperties
    1.6.2Eo-GapRegion
    1.6.3Higher-LyingDirectGap
    1.6.4LowestIndirectGap
    1.6.5Conduction-ValleyEnergySeparation
    1.6.6Direct-Indirect-GapTransitionPressure
    1.7Energy-BandStructure:ElectronandHoleEffectiveMassesl
    1.7.1ElectronEffectiveMass:FValley
    1.7.2ElectronEffectiveMass:SatelliteValley
    1.7.3HoleEffectiveMass
    1.8'ElectronicDeformationPotential
    1.8.1IntravalleyDeformationPotential:I-Point
    1.8.2IntravalleyDeformationPotential:High-SymmetryPoints
    1.8.3IntervalleyDeformationPotential
    1.9ElectronAffinityandSchottkyBarrierHeight
    1.9.1ElectronAffinity
    1.9.2SchottkyBarrierHeight
    1.10OpticalProperties
    1.10.1SummaryofOpticalDispersionRelations
    1.10.2TheReststrahlenRegion
    1.10.3AtorNeartheFundamentalAbsorptionEdge
    1.10.4TheInterbandTransitionRegion
    1.10.5Free-CarrierAbsorptionandRelatedPhenomena
    1.11Elastooptic,Electrooptic,andNonlinearOpticalProperties
    1.11.1ElastoopticEffect
    1.11.2LinearElectroopticConstant
    1.11.3QuadraticElectroopticConstant
    1.11.4Franz-KeldyshEffect
    1.11.5NonlinearOpticalConstant
    1.12CarrierTransportProperties
    1.12.1Low-FieldMobility:Electrons
    1.12.2Low-FieldMobility:Holes
    1.12.3High-FieldTransport:Electrons
    1.12.4High-FieldTransport:Holes
    1.12.5Minority-CarrierTransport:Electronsinp-TypeMaterials
    1.12.6Minority-CarrierTransport:Holesinn-TypeMaterials
    ……
    2HexagonalBoronNitride(h-BN)
    3BoronPhosphide(BP)
    4BoronArsenide(BAs)
    5WurtziteAluminumNitride(w-AIN)
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