半导体物理学(第6版)/高等学校电子科学与技术专业教材
出版时间:
2006-07
版次:
1
ISBN:
9787505389854
定价:
38.00
装帧:
平装
开本:
其他
纸张:
胶版纸
页数:
448页
字数:
650千字
101人买过
-
本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面——包括pn结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、半导体异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体。
本书可作为工科电子信息类微电子技术、半导体器件专业学生的教材，也可供从事相关专业的科技人员参考。 主要参数符号表
第1章 半导体中的电子状态
1.1 半导体的晶格结构和结合性质
1.1.1 金刚石型结构和共价键
1.1.2 闪锌矿型结构和混合键
1.1.3 纤锌矿型结构
1.2 半导体中的电子状态和能带
1.2.1 原子的能级和晶体的能带
1.2.2 半导体中电子的状态和能带
1.2.3 导体、半导体、绝缘体的能带
1.3 半导体中电子的运动 有效质量
1.3.1 半导体中E(k)与k的关系
1.3.2 半导体中电子的平均速度
1.3.3 半导体中电子的加速度
1.3.4 有效质量的意义
1.4 本征半导体的导电机构空穴
1.5 回旋共振
1.5.1 k空间等能面
1.5.2 回旋共振
1.6 硅和锗的能带结构
1.6.1 硅和锗的导带结构
1.6.2 硅和锗的价带结构
1.7 ⅢⅤ族化合物半导体的能带结构
1.7.1 锑化铟的能带结构
1.7.2 砷化镓的能带结构
1.7.3 磷化镓和磷化铟的能带结构
1.7.4 混合晶体的能带结构
1.8 ⅡⅥ族化合物半导体的能带结构
1.8.1 二元化合物的能带结构
1.8.2 混合晶体的能带结构
1.9 Si1-x Ge x合金的能带
1.10 宽禁带半导体材料
1.10.1 SiC的晶格结构与能带
1.10.2 GaN，AIN的晶格结构与能带
习题
参考资料
第2章 半导体中杂质和缺陷能级
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质
2.1.2 施主杂质、施主能级
2.1.3 受主杂质、受主能级
2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算
2.1.5 杂质的补偿作用
2.1.6 深能级杂质
2.2 ⅢⅤ族化合物中的杂质能级
2.3 缺陷、位错能级
2.3.1 点缺陷
2.3.2 位错
习题
参考资料
第3章 半导体中载流子的统计分布
3.1 状态密度
3.1.1 k空间中量子态的分布
3.1.2 状态密度
3.2 费米能级和载流子的统计分布
3.2.1 费米分布函数
3.2.2 玻耳兹曼分布函数
3.2.3 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度
3.2.4 载流子浓度乘积n0p0
3.3 本征半导体的载流子浓度
3.4 杂质半导体的载流子浓度
3.4.1 杂质能级上的电子和空穴
3.4.2 n型半导体的载流子浓度
3.5 一般情况下的载流子统计分布
3.6 简并半导体
3.6.1 简并半导体的载流子浓度
3.6.2 简并化条件
3.6.3 低温载流子冻析效应
3.6.4 禁带变窄效应
*3.7 电子占据杂质能级的概率
3.7.1 求解统计分布函数
习题
参考资料
第4章 半导体的导电性
第5章 非平衡载流子
第6章 pn结
第7章 金属和半导体的接触
第8章 半导体表面与MIS结构
第9章 半导体异质结构
第10章 半导体的光学性质和光电与发光现象
第11章 半导体的热电性质
第12章 半导体磁和压阻效应
第13章 非晶态半导体
附录A 常用物理常数和能量表达变换表
附录B 半导体材料物理性质表
参考文献
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内容简介:
本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面——包括pn结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、半导体异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体。
本书可作为工科电子信息类微电子技术、半导体器件专业学生的教材，也可供从事相关专业的科技人员参考。
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目录:
主要参数符号表
第1章 半导体中的电子状态
1.1 半导体的晶格结构和结合性质
1.1.1 金刚石型结构和共价键
1.1.2 闪锌矿型结构和混合键
1.1.3 纤锌矿型结构
1.2 半导体中的电子状态和能带
1.2.1 原子的能级和晶体的能带
1.2.2 半导体中电子的状态和能带
1.2.3 导体、半导体、绝缘体的能带
1.3 半导体中电子的运动 有效质量
1.3.1 半导体中E(k)与k的关系
1.3.2 半导体中电子的平均速度
1.3.3 半导体中电子的加速度
1.3.4 有效质量的意义
1.4 本征半导体的导电机构空穴
1.5 回旋共振
1.5.1 k空间等能面
1.5.2 回旋共振
1.6 硅和锗的能带结构
1.6.1 硅和锗的导带结构
1.6.2 硅和锗的价带结构
1.7 ⅢⅤ族化合物半导体的能带结构
1.7.1 锑化铟的能带结构
1.7.2 砷化镓的能带结构
1.7.3 磷化镓和磷化铟的能带结构
1.7.4 混合晶体的能带结构
1.8 ⅡⅥ族化合物半导体的能带结构
1.8.1 二元化合物的能带结构
1.8.2 混合晶体的能带结构
1.9 Si1-x Ge x合金的能带
1.10 宽禁带半导体材料
1.10.1 SiC的晶格结构与能带
1.10.2 GaN，AIN的晶格结构与能带
习题
参考资料
第2章 半导体中杂质和缺陷能级
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质
2.1.2 施主杂质、施主能级
2.1.3 受主杂质、受主能级
2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算
2.1.5 杂质的补偿作用
2.1.6 深能级杂质
2.2 ⅢⅤ族化合物中的杂质能级
2.3 缺陷、位错能级
2.3.1 点缺陷
2.3.2 位错
习题
参考资料
第3章 半导体中载流子的统计分布
3.1 状态密度
3.1.1 k空间中量子态的分布
3.1.2 状态密度
3.2 费米能级和载流子的统计分布
3.2.1 费米分布函数
3.2.2 玻耳兹曼分布函数
3.2.3 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度
3.2.4 载流子浓度乘积n0p0
3.3 本征半导体的载流子浓度
3.4 杂质半导体的载流子浓度
3.4.1 杂质能级上的电子和空穴
3.4.2 n型半导体的载流子浓度
3.5 一般情况下的载流子统计分布
3.6 简并半导体
3.6.1 简并半导体的载流子浓度
3.6.2 简并化条件
3.6.3 低温载流子冻析效应
3.6.4 禁带变窄效应
*3.7 电子占据杂质能级的概率
3.7.1 求解统计分布函数
习题
参考资料
第4章 半导体的导电性
第5章 非平衡载流子
第6章 pn结
第7章 金属和半导体的接触
第8章 半导体表面与MIS结构
第9章 半导体异质结构
第10章 半导体的光学性质和光电与发光现象
第11章 半导体的热电性质
第12章 半导体磁和压阻效应
第13章 非晶态半导体
附录A 常用物理常数和能量表达变换表
附录B 半导体材料物理性质表
参考文献
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八五品
四川省成都市
平均发货7小时
成功完成率93.85%
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八五品
江苏省常州市
平均发货8小时
成功完成率95.37%
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九品
江苏省南京市
平均发货4小时
成功完成率97.83%
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八品
广西桂林市
平均发货14小时
成功完成率75.54%
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八品
上海市奉贤区
平均发货8小时
成功完成率97.3%
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八五品
北京市海淀区
平均发货10小时
成功完成率92.93%
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八五品
江苏省宿迁市
平均发货8小时
成功完成率97.4%
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八五品
广东省广州市
平均发货7小时
成功完成率97.92%
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八品
河南省郑州市
平均发货7小时
成功完成率96.39%
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八品
四川省成都市
平均发货26小时
成功完成率73.86%
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八五品
陕西省西安市
平均发货12小时
成功完成率73.74%
占位居中
