忆阻电路导论
出版时间:
2014-06
版次:
1
ISBN:
9787030405470
定价:
45.00
装帧:
平装
开本:
16开
纸张:
其他
页数:
164页
正文语种:
简体中文
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忆阻电路导论主要介绍忆阻电路的基本概念、建模分析与仿真实验，内容包括：忆阻元件与忆阻电路概述，忆阻电路的时域分析、频域分析与动力学分析，忆阻电路降维建模，记忆元件与记忆系统，荷控忆阻等效分析和忆阻电路映射等效分析等。 包伯成，常州大学信恩科学与工程学院教授，博士，硕导；有近20年的企业工作经验，长期从事电子通信类产品开发、工程设计与服务等工作；2008年6月进入高校以来，从事高校电路等课程教学与科研工作，主要研究方向为非线性电路与系统、电力电子控制技术和混沌信息动力学系统；主持国家火炬计划项目、国家自然科学基金面上项目、国家科技型中小企业技术创新基金项目、江苏省自然科学基金项目等十余项；获江苏省科学技术进步奖三等奖2项，常州市科技进步奖二等奖2项，国家发明专利5项，出版学术专著1部，发表教学与科研论文百余篇，其中SCI检索50余篇。 前言
第1章忆阻元件概述·1
1.1引言1
1.1.1基本电路元件2
1.1.2理想忆阻的定义·3
1.1.3忆阻伏安关系4
1.2忆阻模型5
1.2.1物理器件模型5
1.2.2数学理论模型8
1.3忆阻的特征11
1.3.1忆阻的一般定义11
1.3.2忆阻的本质特征12
1.3.3磁滞回线横截性16
1.4忆阻模型特征比较·17
第2章忆阻电路概述21
2.1引言·21
2.2忆阻等效电路·22
2.2.1忆阻模型电路22
2.2.2广义忆阻电路25
2.2.3等效模拟电路26
2.3基础忆阻电路·29
2.3.1复合忆阻电路30
2.3.2简单忆阻电路32
2.4忆阻应用电路·32
2.4.1忆阻混沌电路32
2.4.2忆阻桥突触电路35
2.4.3类正弦忆阻振荡器37
2.5小结·40
第3章忆阻电路时域分析41
3.1引言·41
3.2三次非线性磁控忆阻41
3.2.1磁控忆阻模型42
3.2.2正弦激励分析43
3.2.3磁控忆阻特征44
3.3并联忆阻电路时域分析·45
3.3.1并联MC电路分析·45
3.3.2并联ML电路分析47
3.4并联忆阻电路仿真与实验48
3.4.1磁控忆阻等效电路48
3.4.2并联MC电路验证·50
3.4.3并联ML电路验证51
3.5小结·53
第4章忆阻电路频域分析54
4.1引言·54
4.2二次非线性有源磁控忆阻54
4.2.1有源磁控忆阻模型55
4.2.2有源磁控忆阻特征56
4.2.3有源磁控忆阻等效电路58
4.2.4有源磁控忆阻电路仿真59
4.3串联忆阻电路频域分析·60
4.3.1忆阻电路频率特性61
4.3.2忆阻电路频率响应曲线63
4.3.3等效电路仿真验证64
4.4小结·65
第5章忆阻电路动力学分析66
5.1引言·66
5.2四阶忆阻混沌电路·67
5.2.1模型与混沌吸引子67
5.2.2平衡集与稳定性70
5.2.3依赖于初始状态的动力学71
5.2.4依赖于电路参数的动力学72
5.3两个忆阻的混沌电路73
5.3.1模型与混沌吸引子74
5.3.2平衡集与稳定性76
5.3.3复杂非线性现象分析·78
第6章忆阻电路降维建模81
6.1引言·81
6.2忆阻电路建模问题·82
6.2.1蔡氏忆阻电路82
6.2.2蔡氏忆阻电路常规建模83
6.2.3蔡氏忆阻电路降维建模84
6.3忆阻电路降维建模·85
6.3.1两个忆阻的混沌电路·85
6.3.2动力学降维建模86
6.3.3降维模型的混沌吸引子88
6.4降维模型的动力学特性·89
6.4.1平衡点与稳定性89
6.4.2分岔分析90
6.5两种模型的特性比较93
6.5.1平衡点与稳定性比较·93
6.5.2动力学特性比较94
6.6小结·96
第7章记忆元件与记忆系统97
7.1引言·97
7.2记忆元件建模·98
7.2.1记忆元件定义98
7.2.2紧磁滞回线·99
7.3混沌记忆系统100
7.3.1数学模型和混沌吸引子·100
7.3.2平衡集与稳定性101
7.4混沌记忆系统复杂动力学103
7.4.1依赖于记忆元件初始状态103
7.4.2复杂瞬态转移现象104
7.5实验和PSIM仿真验证107
7.5.1记忆元件实验测量107
7.5.2混沌记忆系统实验测量·108
7.5.3依赖于初始状态的PSIM仿真109
7.6小结111
第8章荷控忆阻等效分析112
8.1引言112
8.2荷控忆阻等效模型113
8.3荷控忆阻特性分析114
8.3.1无源荷控忆阻分析114
8.3.2有源荷控忆阻分析117
8.4等效电路与实验验证119
8.4.1等效分析电路·119
8.4.2实验验证121
8.5小结123
第9章忆阻电路映射等效分析124
9.1引言124
9.2映射等效法125
9.2.1非线性伏安电路模型125
9.2.2非线性韦库电路模型126
9.2.3映射等效法127
9.3忆阻混沌电路等效分析128
9.3.1忆阻混沌电路动力学分析128
9.3.2采用蔡氏混沌电路等效分析130
9.3.3两个混沌电路的动力学说明131
9.4忆阻混沌电路等效实现133
9.4.1统一等效电路设计133
9.4.2电路实验观察·134
9.5小结135
附录忆阻是动态元件吗？136
A.1引言·136
A.2两个电路定律·137
A.3基础元件韦库关系·138
A.4忆阻电路的动力学方程·138
A.5结论·140参考文献143中英文名词对照表148
-
内容简介:
忆阻电路导论主要介绍忆阻电路的基本概念、建模分析与仿真实验，内容包括：忆阻元件与忆阻电路概述，忆阻电路的时域分析、频域分析与动力学分析，忆阻电路降维建模，记忆元件与记忆系统，荷控忆阻等效分析和忆阻电路映射等效分析等。
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作者简介:
包伯成，常州大学信恩科学与工程学院教授，博士，硕导；有近20年的企业工作经验，长期从事电子通信类产品开发、工程设计与服务等工作；2008年6月进入高校以来，从事高校电路等课程教学与科研工作，主要研究方向为非线性电路与系统、电力电子控制技术和混沌信息动力学系统；主持国家火炬计划项目、国家自然科学基金面上项目、国家科技型中小企业技术创新基金项目、江苏省自然科学基金项目等十余项；获江苏省科学技术进步奖三等奖2项，常州市科技进步奖二等奖2项，国家发明专利5项，出版学术专著1部，发表教学与科研论文百余篇，其中SCI检索50余篇。
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目录:
前言
第1章忆阻元件概述·1
1.1引言1
1.1.1基本电路元件2
1.1.2理想忆阻的定义·3
1.1.3忆阻伏安关系4
1.2忆阻模型5
1.2.1物理器件模型5
1.2.2数学理论模型8
1.3忆阻的特征11
1.3.1忆阻的一般定义11
1.3.2忆阻的本质特征12
1.3.3磁滞回线横截性16
1.4忆阻模型特征比较·17
第2章忆阻电路概述21
2.1引言·21
2.2忆阻等效电路·22
2.2.1忆阻模型电路22
2.2.2广义忆阻电路25
2.2.3等效模拟电路26
2.3基础忆阻电路·29
2.3.1复合忆阻电路30
2.3.2简单忆阻电路32
2.4忆阻应用电路·32
2.4.1忆阻混沌电路32
2.4.2忆阻桥突触电路35
2.4.3类正弦忆阻振荡器37
2.5小结·40
第3章忆阻电路时域分析41
3.1引言·41
3.2三次非线性磁控忆阻41
3.2.1磁控忆阻模型42
3.2.2正弦激励分析43
3.2.3磁控忆阻特征44
3.3并联忆阻电路时域分析·45
3.3.1并联MC电路分析·45
3.3.2并联ML电路分析47
3.4并联忆阻电路仿真与实验48
3.4.1磁控忆阻等效电路48
3.4.2并联MC电路验证·50
3.4.3并联ML电路验证51
3.5小结·53
第4章忆阻电路频域分析54
4.1引言·54
4.2二次非线性有源磁控忆阻54
4.2.1有源磁控忆阻模型55
4.2.2有源磁控忆阻特征56
4.2.3有源磁控忆阻等效电路58
4.2.4有源磁控忆阻电路仿真59
4.3串联忆阻电路频域分析·60
4.3.1忆阻电路频率特性61
4.3.2忆阻电路频率响应曲线63
4.3.3等效电路仿真验证64
4.4小结·65
第5章忆阻电路动力学分析66
5.1引言·66
5.2四阶忆阻混沌电路·67
5.2.1模型与混沌吸引子67
5.2.2平衡集与稳定性70
5.2.3依赖于初始状态的动力学71
5.2.4依赖于电路参数的动力学72
5.3两个忆阻的混沌电路73
5.3.1模型与混沌吸引子74
5.3.2平衡集与稳定性76
5.3.3复杂非线性现象分析·78
第6章忆阻电路降维建模81
6.1引言·81
6.2忆阻电路建模问题·82
6.2.1蔡氏忆阻电路82
6.2.2蔡氏忆阻电路常规建模83
6.2.3蔡氏忆阻电路降维建模84
6.3忆阻电路降维建模·85
6.3.1两个忆阻的混沌电路·85
6.3.2动力学降维建模86
6.3.3降维模型的混沌吸引子88
6.4降维模型的动力学特性·89
6.4.1平衡点与稳定性89
6.4.2分岔分析90
6.5两种模型的特性比较93
6.5.1平衡点与稳定性比较·93
6.5.2动力学特性比较94
6.6小结·96
第7章记忆元件与记忆系统97
7.1引言·97
7.2记忆元件建模·98
7.2.1记忆元件定义98
7.2.2紧磁滞回线·99
7.3混沌记忆系统100
7.3.1数学模型和混沌吸引子·100
7.3.2平衡集与稳定性101
7.4混沌记忆系统复杂动力学103
7.4.1依赖于记忆元件初始状态103
7.4.2复杂瞬态转移现象104
7.5实验和PSIM仿真验证107
7.5.1记忆元件实验测量107
7.5.2混沌记忆系统实验测量·108
7.5.3依赖于初始状态的PSIM仿真109
7.6小结111
第8章荷控忆阻等效分析112
8.1引言112
8.2荷控忆阻等效模型113
8.3荷控忆阻特性分析114
8.3.1无源荷控忆阻分析114
8.3.2有源荷控忆阻分析117
8.4等效电路与实验验证119
8.4.1等效分析电路·119
8.4.2实验验证121
8.5小结123
第9章忆阻电路映射等效分析124
9.1引言124
9.2映射等效法125
9.2.1非线性伏安电路模型125
9.2.2非线性韦库电路模型126
9.2.3映射等效法127
9.3忆阻混沌电路等效分析128
9.3.1忆阻混沌电路动力学分析128
9.3.2采用蔡氏混沌电路等效分析130
9.3.3两个混沌电路的动力学说明131
9.4忆阻混沌电路等效实现133
9.4.1统一等效电路设计133
9.4.2电路实验观察·134
9.5小结135
附录忆阻是动态元件吗？136
A.1引言·136
A.2两个电路定律·137
A.3基础元件韦库关系·138
A.4忆阻电路的动力学方程·138
A.5结论·140参考文献143中英文名词对照表148
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