国外名校最新教材精选：半导体器件物理（第3版）

作者: [美] 施敏（S.M.SZE）著 , [美] 伍国珏（KWOK K.NG）著 , 耿莉译 , 张瑞智译

出版社: 西安交通大学出版社

出版时间: 2008-06

版次: 1

ISBN: 9787560525969

定价: 76.00

装帧: 平装

开本: 16开

纸张: 胶版纸

页数: 598页

字数: 933千字

正文语种: 简体中文

原版书名: Physics of Semiconductor Devices

丛书: 国外名校最新教材精选

分类: 教材教辅考试>教材>大学教材>工程技术

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　　《国外名校最新教材精选：半导体器件物理（第3版）》这本经典著作在半导体器件领域已经树立起了先进的学习和参考典范。此书的第3版保留了重要半导体器件的最为详尽的知识内容，并做了更新和重新组织，反映了当今器件在概念和性能等方面的巨大进展，它可以使读者快速地了解当今半导体物理和所有主要器件，如双极、场效应、微波、光子器件和传感器的性能特点。《半导体器件物理》（第3版）专为研究生教材和参考所需设计，新版本包括：以最新进展进行了全面更新；包括了对三维MOSFET、MODFET、共振隧穿二极管、半导体传感器、量子级联激光器、单电子晶体管、实空间转移器件等新型器件的叙述；对内容进行了重新组织和安排；各章后面配备了习题；重新高质量地制作了书中的所有插图。　　施敏，（S.M.SZE），获斯坦福大学电气工程专业博士学位，1963-1989年在贝尔实验室工作，1990年起在台湾新竹交通大学（NCTU）电子工程系任教，施敏博士现在为NCTU的讲座教授和斯坦福大学的顾问教授，并担任多所院校及研究机构的客座教授，他对半导体器件有着基础性和先驱性的贡献，特别重要的是他合作发明了非挥发存储器，如闪存和EEPROM。施敏博士已经作为作者和合作作者发表学术论文200余篇、专著12部，他的《半导体器件物理》（Wiley出版）一书是同时代工程和应用科学出版物中被引用最多的著作（由ISI统计，引用超过15000条）。施敏博士获得过多项奖励，为IEEE的终身会士、台湾中央研究院院士和姜国国家工程院院士。伍国珏（KWOKK．NG），1979年获哥伦比亚大学电气工程专业博士学位，1975年获罗格斯大学电气工程专业学士学位。1980年进入位于新泽西州MurrayHill的AT&T贝尔实验室，1996年作为朗讯科技的一部分剥离出来．后来隶属于宾夕法尼亚州Allentown的杰尔系统（AgereSystems），2001年作为微电子部独立出来。2005至2007年期间．他在加利福尼亚州SanJose的MVC和北卡罗莱纳州Durham的半导体研究公司工作。伍国珏博士还扭任IEEEEle，ctronicLetters编辑及IEEE出版社的联络员，他是《半导体器件完全指导》（CompleteguidetoSereicondtIClOrDevices）第2版（Wiley出版）的作者。译者序前言导言第1部分半导体物理第1章半导体物理学和半导体性质概要1.1 引言1.2 晶体结构1.3 能带和能隙1.4 热平衡时的载流子浓度1.5 载流子输运现象1.6 声子、光学和热特性1.7 异质结和纳米结构1.8 基本方程和实例
第2部分器件的基本构件第2章 p-n结二极管2.1 引言2.2 耗尽区2.3 电流-电压特性2.4 结击穿2.5 瞬变特性与噪声2.6 端功能2.7 异质结第3章金属-半导体接触3.1 引言3.2 势垒的形成3.3 电流输运过程3.4 势垒高度的测量3.5 器件结构3.6 欧姆接触第4章金属-绝缘体-半导体电容4.1 引言4.2 理想MIS电容4.3 硅MOS电容
第3部分晶体管第5章双极晶体管5.1 引言5.2 静态特性5.3 微波特性5.4 相关器件结构5.5 异质结双极晶体管第6章 MOS场效应晶体管6.1 引言6.2 器件的基本特性6.3 非均匀掺杂和埋沟器件6.4 器件按比例缩小和短沟道效应6.5 MOSFET的结构6.6 电路应用6.7 非挥发存储器6.8 单电子晶体管第7章 JFET，MESFET和MODFET器件7.1 引言7.2 JFET和MODFET7.3 MODFET
第4部分负阻器件和功率器件第8章隧道器件8.1 引言8.2 隧道二极管8.3 相关的隧道器件8.4 共振遂穿二极管第9章碰撞电离雪崩渡越时间二极管第10章转移电子器件和实空间转移器件第11章晶闸管和功率器件
第5部分光学器件和传感器第12章发光二极管和半导体激光器第13章光电探测器和太阳电池第14章传感器
附录A.符号表B.国际单位制C.单位词头D.希腊字母表E.物理常数F.重要半导体的特性G.Si和GaAs的特性H.SiO2和Si3N4的特性
内容简介:
　　《国外名校最新教材精选：半导体器件物理（第3版）》这本经典著作在半导体器件领域已经树立起了先进的学习和参考典范。此书的第3版保留了重要半导体器件的最为详尽的知识内容，并做了更新和重新组织，反映了当今器件在概念和性能等方面的巨大进展，它可以使读者快速地了解当今半导体物理和所有主要器件，如双极、场效应、微波、光子器件和传感器的性能特点。《半导体器件物理》（第3版）专为研究生教材和参考所需设计，新版本包括：以最新进展进行了全面更新；包括了对三维MOSFET、MODFET、共振隧穿二极管、半导体传感器、量子级联激光器、单电子晶体管、实空间转移器件等新型器件的叙述；对内容进行了重新组织和安排；各章后面配备了习题；重新高质量地制作了书中的所有插图。
作者简介:
　　施敏，（S.M.SZE），获斯坦福大学电气工程专业博士学位，1963-1989年在贝尔实验室工作，1990年起在台湾新竹交通大学（NCTU）电子工程系任教，施敏博士现在为NCTU的讲座教授和斯坦福大学的顾问教授，并担任多所院校及研究机构的客座教授，他对半导体器件有着基础性和先驱性的贡献，特别重要的是他合作发明了非挥发存储器，如闪存和EEPROM。施敏博士已经作为作者和合作作者发表学术论文200余篇、专著12部，他的《半导体器件物理》（Wiley出版）一书是同时代工程和应用科学出版物中被引用最多的著作（由ISI统计，引用超过15000条）。施敏博士获得过多项奖励，为IEEE的终身会士、台湾中央研究院院士和姜国国家工程院院士。伍国珏（KWOKK．NG），1979年获哥伦比亚大学电气工程专业博士学位，1975年获罗格斯大学电气工程专业学士学位。1980年进入位于新泽西州MurrayHill的AT&T贝尔实验室，1996年作为朗讯科技的一部分剥离出来．后来隶属于宾夕法尼亚州Allentown的杰尔系统（AgereSystems），2001年作为微电子部独立出来。2005至2007年期间．他在加利福尼亚州SanJose的MVC和北卡罗莱纳州Durham的半导体研究公司工作。伍国珏博士还扭任IEEEEle，ctronicLetters编辑及IEEE出版社的联络员，他是《半导体器件完全指导》（CompleteguidetoSereicondtIClOrDevices）第2版（Wiley出版）的作者。
目录:
译者序前言导言第1部分半导体物理第1章半导体物理学和半导体性质概要1.1 引言1.2 晶体结构1.3 能带和能隙1.4 热平衡时的载流子浓度1.5 载流子输运现象1.6 声子、光学和热特性1.7 异质结和纳米结构1.8 基本方程和实例
第2部分器件的基本构件第2章 p-n结二极管2.1 引言2.2 耗尽区2.3 电流-电压特性2.4 结击穿2.5 瞬变特性与噪声2.6 端功能2.7 异质结第3章金属-半导体接触3.1 引言3.2 势垒的形成3.3 电流输运过程3.4 势垒高度的测量3.5 器件结构3.6 欧姆接触第4章金属-绝缘体-半导体电容4.1 引言4.2 理想MIS电容4.3 硅MOS电容
第3部分晶体管第5章双极晶体管5.1 引言5.2 静态特性5.3 微波特性5.4 相关器件结构5.5 异质结双极晶体管第6章 MOS场效应晶体管6.1 引言6.2 器件的基本特性6.3 非均匀掺杂和埋沟器件6.4 器件按比例缩小和短沟道效应6.5 MOSFET的结构6.6 电路应用6.7 非挥发存储器6.8 单电子晶体管第7章 JFET，MESFET和MODFET器件7.1 引言7.2 JFET和MODFET7.3 MODFET
第4部分负阻器件和功率器件第8章隧道器件8.1 引言8.2 隧道二极管8.3 相关的隧道器件8.4 共振遂穿二极管第9章碰撞电离雪崩渡越时间二极管第10章转移电子器件和实空间转移器件第11章晶闸管和功率器件
第5部分光学器件和传感器第12章发光二极管和半导体激光器第13章光电探测器和太阳电池第14章传感器
附录A.符号表B.国际单位制C.单位词头D.希腊字母表E.物理常数F.重要半导体的特性G.Si和GaAs的特性H.SiO2和Si3N4的特性