PET基底磁控共溅射SiOx-(DCPD/MA)f阻隔薄膜的研究

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2021-03
版次: 1
ISBN: 9787514226119
定价: 58.00
装帧: 平装
开本: 16开
页数: 210页
分类: 历史
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  • 高阻隔性包装材料应用极为广泛。食品、药品等包装应用高阻隔材料可以延长包装内容物的保质期并防止有害物质迁移;精密机械零配件、电子零件与太阳能组件应用高阻隔材料封装可以提高其使用寿命。将SiOx等阻隔材料以薄膜形式沉积在塑料片材表面是获得高阻隔性包装材料的  目前,沉积SiOx薄膜的方法主要包括物理气相沉积(PVD)、等离子辅助化学气相沉积(PECVD)等。PVD法制备的SiOx阻隔薄膜存在大量裂纹、针孔等缺陷并且在使用过程中易脆裂,本书针对此问题,结合作者多年研究成果,通过磁控共溅射有机高分子环氧树脂靶 刘壮,哈尔滨商业大学硕导/博士。从事印刷与包装工程相关的科研与教学工作,主持完成课题10余项,发表文章50多篇。2006年起,开展国家重大科技支撑项目研究,掌握PVD等方法制备高阻隔材料的关键技术;博士课题解决传统PVD制备阻隔材料裂纹问题;2013年,阻隔薄膜研究获国自然青年基金资助;2016年赴美,合作开展薄膜CVD法制备。在包装阻隔防护功能材料开发有较好的研究基础与经验。 章   绪论1.1  研究的目的和意义1.2  SiOx 薄膜类阻隔包装材料研究进展1.2.1  SiOx薄膜制备方法1.2.2  SiOx薄膜类气体阻隔薄膜制备及发展1.2.3  聚合物表面镀膜类高阻隔包装材料的阻隔机制1.3  磁控共溅射含高分子靶材的复合薄膜研究进展1.3.1  磁控单靶溅射高分子靶材1.3.2  磁控共溅射氧化硅/高分子复合薄膜1.4  本文主要研究的内容第2 章   试验设计及表征方法2.1  引言2.2  高分子靶材的设计及制备2.2.1  阻隔薄膜的设计要求2.2.2  高分子靶材设计的思路2.2.3  高分子靶材DCPD/MA的制备2.3  磁控共溅射沉积薄膜基本工艺过程2.3.1  磁控共溅射实验设备2.3.2  薄膜沉积基本工艺过程2.4   磁控溅射过程中等离子组分测量的原位质谱法2.5  SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜分析与表征方法2.5.1  形貌表征方法2.5.2  组织成分及结构分析方法2.5.3  性能检测方法第3 章  磁控溅射过程中等离子组分的分析3.1  磁控溅射SiO2 靶材的等离子组分的测量3.1.1  磁控溅射SiO2靶材等离子组分中的离子检测3.1.2  磁控溅射SiO2靶材等离子组分中的自由基检测3.2  磁控溅射DCPD/MA 靶材等离子组分的测量3.2.1  磁控溅射DCPD/MA靶材等离子组分中的离子检测3.2.2  磁控溅射DCPD/MA靶材等离子组分中的自由基检测3.2.3  磁控溅射DCPD/MA靶材的解离路径3.3  本章小结第4 章  磁控溅射沉积SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的工艺研究4.1   磁控溅射沉积SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的特性4.1.1  磁控溅射高分子DCPD/MA靶材的沉积特性4.1.2  磁控溅射单靶SiO2的沉积特性4.1.3  磁控共溅射SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的沉积特性及轴向均匀性4.2  沉积工艺参数的研究4.2.1  双靶靶材输入功率比PDCPD/MA/PSiO2的研究4.2.2  工作气压的研究4.2.3  卷绕速率的研究4.2.4  沉积时间的研究4.3  本章小结第5 章  SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜成分、结构及形貌分析5.1  双靶输入功率比的影响5.1.1  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的成分分析5.1.2  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的结构分析5.1.3  不同功率比的SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的结构形貌5.1.4  不同功率比的SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的表面形态5.2  卷绕速度的影响5.2.1  卷绕速度对薄膜结构的影响5.2.2  卷绕速度影响薄膜沉积过程的数学描述5.3  沉积时间的影响5.3.1  沉积时间对薄膜成分的影响5.3.2  薄膜的深度方向成分分布5.4  SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的结构模型5.4.1  磁控共溅射过程中Si粒子与高分子链段碎片之间的复合形式5.4.2  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的结构模型5.5  本章小结第6 章  PET 基底磁控共溅射SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜性能及阻隔机制的研究6.1   PET 基底磁控共溅射SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的力学特性6.1.1  PET基底磁控共溅射SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的拉伸力学特性6.1.2  聚合物基底磁控共溅射SiOx-(DCPD/MA)f薄膜耐折力学特性6.2  SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的气体阻隔性能6.2.1  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对惰性气体的阻隔性能6.2.2  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对O2的阻隔性能6.2.3  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对水蒸气的阻隔性能6.3   SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜对重金属及有机大分子的阻隔性能6.3.1  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对重金属的阻隔性能6.3.2  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对有机大分子的阻隔性能6.3.3  多层阻隔膜的阻隔性能6.4  SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的阻隔机制6.4.1  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对惰性气体的阻隔机制6.4.2  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对O2的阻隔机制6.4.3  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜防止重金属污染物迁移的阻隔机制6.4.4  多层薄膜的阻隔机制 6.5  本章小结结论参考文献
  • 内容简介:
    高阻隔性包装材料应用极为广泛。食品、药品等包装应用高阻隔材料可以延长包装内容物的保质期并防止有害物质迁移;精密机械零配件、电子零件与太阳能组件应用高阻隔材料封装可以提高其使用寿命。将SiOx等阻隔材料以薄膜形式沉积在塑料片材表面是获得高阻隔性包装材料的  目前,沉积SiOx薄膜的方法主要包括物理气相沉积(PVD)、等离子辅助化学气相沉积(PECVD)等。PVD法制备的SiOx阻隔薄膜存在大量裂纹、针孔等缺陷并且在使用过程中易脆裂,本书针对此问题,结合作者多年研究成果,通过磁控共溅射有机高分子环氧树脂靶
  • 作者简介:
    刘壮,哈尔滨商业大学硕导/博士。从事印刷与包装工程相关的科研与教学工作,主持完成课题10余项,发表文章50多篇。2006年起,开展国家重大科技支撑项目研究,掌握PVD等方法制备高阻隔材料的关键技术;博士课题解决传统PVD制备阻隔材料裂纹问题;2013年,阻隔薄膜研究获国自然青年基金资助;2016年赴美,合作开展薄膜CVD法制备。在包装阻隔防护功能材料开发有较好的研究基础与经验。
  • 目录:
    章   绪论1.1  研究的目的和意义1.2  SiOx 薄膜类阻隔包装材料研究进展1.2.1  SiOx薄膜制备方法1.2.2  SiOx薄膜类气体阻隔薄膜制备及发展1.2.3  聚合物表面镀膜类高阻隔包装材料的阻隔机制1.3  磁控共溅射含高分子靶材的复合薄膜研究进展1.3.1  磁控单靶溅射高分子靶材1.3.2  磁控共溅射氧化硅/高分子复合薄膜1.4  本文主要研究的内容第2 章   试验设计及表征方法2.1  引言2.2  高分子靶材的设计及制备2.2.1  阻隔薄膜的设计要求2.2.2  高分子靶材设计的思路2.2.3  高分子靶材DCPD/MA的制备2.3  磁控共溅射沉积薄膜基本工艺过程2.3.1  磁控共溅射实验设备2.3.2  薄膜沉积基本工艺过程2.4   磁控溅射过程中等离子组分测量的原位质谱法2.5  SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜分析与表征方法2.5.1  形貌表征方法2.5.2  组织成分及结构分析方法2.5.3  性能检测方法第3 章  磁控溅射过程中等离子组分的分析3.1  磁控溅射SiO2 靶材的等离子组分的测量3.1.1  磁控溅射SiO2靶材等离子组分中的离子检测3.1.2  磁控溅射SiO2靶材等离子组分中的自由基检测3.2  磁控溅射DCPD/MA 靶材等离子组分的测量3.2.1  磁控溅射DCPD/MA靶材等离子组分中的离子检测3.2.2  磁控溅射DCPD/MA靶材等离子组分中的自由基检测3.2.3  磁控溅射DCPD/MA靶材的解离路径3.3  本章小结第4 章  磁控溅射沉积SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的工艺研究4.1   磁控溅射沉积SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的特性4.1.1  磁控溅射高分子DCPD/MA靶材的沉积特性4.1.2  磁控溅射单靶SiO2的沉积特性4.1.3  磁控共溅射SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的沉积特性及轴向均匀性4.2  沉积工艺参数的研究4.2.1  双靶靶材输入功率比PDCPD/MA/PSiO2的研究4.2.2  工作气压的研究4.2.3  卷绕速率的研究4.2.4  沉积时间的研究4.3  本章小结第5 章  SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜成分、结构及形貌分析5.1  双靶输入功率比的影响5.1.1  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的成分分析5.1.2  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的结构分析5.1.3  不同功率比的SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的结构形貌5.1.4  不同功率比的SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的表面形态5.2  卷绕速度的影响5.2.1  卷绕速度对薄膜结构的影响5.2.2  卷绕速度影响薄膜沉积过程的数学描述5.3  沉积时间的影响5.3.1  沉积时间对薄膜成分的影响5.3.2  薄膜的深度方向成分分布5.4  SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的结构模型5.4.1  磁控共溅射过程中Si粒子与高分子链段碎片之间的复合形式5.4.2  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的结构模型5.5  本章小结第6 章  PET 基底磁控共溅射SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜性能及阻隔机制的研究6.1   PET 基底磁控共溅射SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的力学特性6.1.1  PET基底磁控共溅射SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的拉伸力学特性6.1.2  聚合物基底磁控共溅射SiOx-(DCPD/MA)f薄膜耐折力学特性6.2  SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的气体阻隔性能6.2.1  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对惰性气体的阻隔性能6.2.2  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对O2的阻隔性能6.2.3  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对水蒸气的阻隔性能6.3   SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜对重金属及有机大分子的阻隔性能6.3.1  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对重金属的阻隔性能6.3.2  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对有机大分子的阻隔性能6.3.3  多层阻隔膜的阻隔性能6.4  SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的阻隔机制6.4.1  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对惰性气体的阻隔机制6.4.2  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对O2的阻隔机制6.4.3  SiOx-(DCPD/MA)f薄膜防止重金属污染物迁移的阻隔机制6.4.4  多层薄膜的阻隔机制 6.5  本章小结结论参考文献
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