模拟CMOS集成电路设计

模拟CMOS集成电路设计
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作者: [美]
出版社: 西安交通大学出版社
2013-04
版次: 1
ISBN: 9787560550817
定价: 55.00
装帧: 平装
开本: 16开
纸张: 胶版纸
页数: 335页
正文语种: 简体中文
原版书名: Design of Analog CMOS Integrated Circuits
  •   当代微电子系统广泛应用各种模拟CMOS集成电路。从音频、视频到无线、宽带通信以及计算机磁盘驱动,模拟CMOS设计已成为半导体工业竞争中成功的关键。对从事模拟电路设计技术人员的要求比以往任何时候都高。《国外名校最新教材精选:模拟CMOS集成电路设计(简编版)》提供了模拟CMOS集成电路分析和设计的一些新观点,可作为课堂教学和工业界培训的教材,内容既侧重基础,又侧重现代模拟电路中必需的新的范例。对模拟和混合信号集成电路中的许多重要概念。作者以直观、通俗易懂的语言逐步地启发读者对它们的理解。 毕查德·拉扎维于1985年在沙里夫理工大学的电气工程系获得理学学士学位,并分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT&T贝尔实验室工作,随后又受聘于Hewlett-Packard实验室,直到1996年为止。1996年9月,他成为加州大学洛杉矶分校的电气工程系副教授,随后晋升为教授。目前他从事的研究包括无线收发、频率合成、高速数据通信及数据转换的锁相和时钟恢复。
    拉扎维教授分别于1992年到1994年在普林斯顿大学(新泽西州普林斯顿)和1995年在斯坦福大学任副教授。他是VLSI电路专题讨论会的技术程序委员会和国际固体电子协会(ISSCC)的成员,在其中担任模拟小组委员会的主席。此外,他还分别担任IEEE固体电路杂志、IEEE电路和系统杂志及高速电子学国际杂志的特邀编辑和副编辑。
    拉扎维教授于1994年因为卓越的编辑能力获ISSCC的 Beatrice奖,1994年在欧洲固体电子会议上获最佳论文奖,1995年和1997年ISSCC的最佳专题小组奖,1997年TRW创新教学奖,1998年IEEE定制集成电路会议最佳论文奖。他是《数据转换系统设计原理》(IEEE出版,1995)和《RF 微电子学》(Prentice Hall出版,1998)的作者,以及《单片锁相环和时钟恢复电路》(IEEE出版,1996)的编者。 简编版前言
    原书作者简介
    原书中文版前言(中英文)
    译者序
    原书序
    致谢
    第1章模拟电路设计绪论
    1.1研究模拟电路的重要性
    1.2研究模拟集成电路的重要性
    1.3研究CMOS模拟集成电路的重要性
    1.4本书的特点
    1.5电路设计的一般概念
    1.5.1抽象级别
    1.5.2鲁棒模拟电路设计
    1.5.3符号

    第2章MOS器件物理基础
    2.1基本概念
    2.1.1MOSFET开关
    2.1.2MOSFET的结构
    2.1.3MOS符号
    2.2MOS的I/V特性
    2.2.1阈值电压
    2.2.2I/V特性的推导
    2.3二级效应
    2.4MOS器件模型
    2.4.1MOS器件版图
    2.4.2MOS器件电容
    2.4.3MOS小信号模型
    2.4.4MOSSPICE模型
    2.4.5NMOS与PMOS器件的比较
    2.4.6长沟道器件与短沟道器件的比较
    附录A:用作电容器的MOS器件的特性
    习题

    第3章单级放大器
    3.1基本概念
    3.2共源级
    3.2.1采用电阻负载的共源级
    3.2.2采用二极管连接的负载的共源级
    3.2.3采用电流源负载的共源级
    3.2.4工作在线性区的MOS为负载的共源级
    3.2.5带源极负反馈的共源级
    3.3源跟随器
    3.4共栅级
    3.5共源共栅级
    3.5.1折叠式共源共栅
    3.6器件模型的选择
    习题

    第4章差动放大器
    4.1单端与差动的工作方式
    4.2基本差动对
    4.2.1定性分析
    4.2.2定量分析
    4.3共模响应
    4.4MOS为负载的差动对
    4.5吉尔伯特单元
    习题

    第5章无源与有源电流镜
    5.1基本电流镜
    5.2共源共栅电流镜
    5.3有源电流镜
    5.3.1大信号分析
    5.3.2小信号分析
    5.3.3共模特性
    习题

    第6章放大器的频率特性
    6.1概述
    6.1.1密勒效应
    6.1.2极点与结点的关联
    6.2共源级
    6.3源跟随器
    6.4共栅级
    6.5共源共栅级
    6.6差动对
    附录A:密勒定理的对偶
    习题

    第7章运算放大器
    7.1概述
    7.1.1性能参数
    7.2一级运放
    7.3两级运放
    7.4增益的提高
    7.5性能比较
    7.6共模反馈
    7.7输入范围限制
    7.8转换速率
    7.9电源抑制
    7.10运放的噪声
    习题

    第8章稳定性与频率补偿
    8.1概述
    8.2多极点系统
    8.3相位裕度
    8.4频率补偿
    8.5两级运放的补偿
    8.5.1两级运放中的转换
    8.6其它补偿技术
    习题

    第9章带隙基准
    9.1概述
    9.2与电源无关的偏置
    9.3与温度无关的基准
    9.3.1负温度系数电压
    9.3.2正温度系数电压
    9.3.3带隙基准
    9.4PTAT电流的产生
    9.5恒定Gm偏置
    9.6速度与噪声问题
    9.7实例分析
    习题

    第10章开关电容电路导论
    10.1概述
    10.2采样开关
    10.2.1MOSFETs开关
    10.2.2速度问题
    10.2.3精度问题
    10.2.4电荷注入抵消一
    10.3开关电容放大器
    10.3.1单位增益采样器/缓冲器
    10.3.2同相放大器
    10.3.3精确乘2电路
    10.4开关电容积分器
    10.5开关电容共模反馈
    习题

    第11章版图与封装
    11.1版图概述
    11.1.1设计规则
    11.1.2天线效应
    11.2模拟电路的版图技术
    11.2.1叉指晶体管
    11.2.2对称性
    11.2.3参考源的分布
    11.2.4无源器件
    11.2.5连线
    11.2.6焊盘与静电放电保护
    11.3衬底耦合
    11.4封装
    习题
    原书英汉词汇对照
  • 内容简介:
      当代微电子系统广泛应用各种模拟CMOS集成电路。从音频、视频到无线、宽带通信以及计算机磁盘驱动,模拟CMOS设计已成为半导体工业竞争中成功的关键。对从事模拟电路设计技术人员的要求比以往任何时候都高。《国外名校最新教材精选:模拟CMOS集成电路设计(简编版)》提供了模拟CMOS集成电路分析和设计的一些新观点,可作为课堂教学和工业界培训的教材,内容既侧重基础,又侧重现代模拟电路中必需的新的范例。对模拟和混合信号集成电路中的许多重要概念。作者以直观、通俗易懂的语言逐步地启发读者对它们的理解。
  • 作者简介:
    毕查德·拉扎维于1985年在沙里夫理工大学的电气工程系获得理学学士学位,并分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT&T贝尔实验室工作,随后又受聘于Hewlett-Packard实验室,直到1996年为止。1996年9月,他成为加州大学洛杉矶分校的电气工程系副教授,随后晋升为教授。目前他从事的研究包括无线收发、频率合成、高速数据通信及数据转换的锁相和时钟恢复。
    拉扎维教授分别于1992年到1994年在普林斯顿大学(新泽西州普林斯顿)和1995年在斯坦福大学任副教授。他是VLSI电路专题讨论会的技术程序委员会和国际固体电子协会(ISSCC)的成员,在其中担任模拟小组委员会的主席。此外,他还分别担任IEEE固体电路杂志、IEEE电路和系统杂志及高速电子学国际杂志的特邀编辑和副编辑。
    拉扎维教授于1994年因为卓越的编辑能力获ISSCC的 Beatrice奖,1994年在欧洲固体电子会议上获最佳论文奖,1995年和1997年ISSCC的最佳专题小组奖,1997年TRW创新教学奖,1998年IEEE定制集成电路会议最佳论文奖。他是《数据转换系统设计原理》(IEEE出版,1995)和《RF 微电子学》(Prentice Hall出版,1998)的作者,以及《单片锁相环和时钟恢复电路》(IEEE出版,1996)的编者。
  • 目录:
    简编版前言
    原书作者简介
    原书中文版前言(中英文)
    译者序
    原书序
    致谢
    第1章模拟电路设计绪论
    1.1研究模拟电路的重要性
    1.2研究模拟集成电路的重要性
    1.3研究CMOS模拟集成电路的重要性
    1.4本书的特点
    1.5电路设计的一般概念
    1.5.1抽象级别
    1.5.2鲁棒模拟电路设计
    1.5.3符号

    第2章MOS器件物理基础
    2.1基本概念
    2.1.1MOSFET开关
    2.1.2MOSFET的结构
    2.1.3MOS符号
    2.2MOS的I/V特性
    2.2.1阈值电压
    2.2.2I/V特性的推导
    2.3二级效应
    2.4MOS器件模型
    2.4.1MOS器件版图
    2.4.2MOS器件电容
    2.4.3MOS小信号模型
    2.4.4MOSSPICE模型
    2.4.5NMOS与PMOS器件的比较
    2.4.6长沟道器件与短沟道器件的比较
    附录A:用作电容器的MOS器件的特性
    习题

    第3章单级放大器
    3.1基本概念
    3.2共源级
    3.2.1采用电阻负载的共源级
    3.2.2采用二极管连接的负载的共源级
    3.2.3采用电流源负载的共源级
    3.2.4工作在线性区的MOS为负载的共源级
    3.2.5带源极负反馈的共源级
    3.3源跟随器
    3.4共栅级
    3.5共源共栅级
    3.5.1折叠式共源共栅
    3.6器件模型的选择
    习题

    第4章差动放大器
    4.1单端与差动的工作方式
    4.2基本差动对
    4.2.1定性分析
    4.2.2定量分析
    4.3共模响应
    4.4MOS为负载的差动对
    4.5吉尔伯特单元
    习题

    第5章无源与有源电流镜
    5.1基本电流镜
    5.2共源共栅电流镜
    5.3有源电流镜
    5.3.1大信号分析
    5.3.2小信号分析
    5.3.3共模特性
    习题

    第6章放大器的频率特性
    6.1概述
    6.1.1密勒效应
    6.1.2极点与结点的关联
    6.2共源级
    6.3源跟随器
    6.4共栅级
    6.5共源共栅级
    6.6差动对
    附录A:密勒定理的对偶
    习题

    第7章运算放大器
    7.1概述
    7.1.1性能参数
    7.2一级运放
    7.3两级运放
    7.4增益的提高
    7.5性能比较
    7.6共模反馈
    7.7输入范围限制
    7.8转换速率
    7.9电源抑制
    7.10运放的噪声
    习题

    第8章稳定性与频率补偿
    8.1概述
    8.2多极点系统
    8.3相位裕度
    8.4频率补偿
    8.5两级运放的补偿
    8.5.1两级运放中的转换
    8.6其它补偿技术
    习题

    第9章带隙基准
    9.1概述
    9.2与电源无关的偏置
    9.3与温度无关的基准
    9.3.1负温度系数电压
    9.3.2正温度系数电压
    9.3.3带隙基准
    9.4PTAT电流的产生
    9.5恒定Gm偏置
    9.6速度与噪声问题
    9.7实例分析
    习题

    第10章开关电容电路导论
    10.1概述
    10.2采样开关
    10.2.1MOSFETs开关
    10.2.2速度问题
    10.2.3精度问题
    10.2.4电荷注入抵消一
    10.3开关电容放大器
    10.3.1单位增益采样器/缓冲器
    10.3.2同相放大器
    10.3.3精确乘2电路
    10.4开关电容积分器
    10.5开关电容共模反馈
    习题

    第11章版图与封装
    11.1版图概述
    11.1.1设计规则
    11.1.2天线效应
    11.2模拟电路的版图技术
    11.2.1叉指晶体管
    11.2.2对称性
    11.2.3参考源的分布
    11.2.4无源器件
    11.2.5连线
    11.2.6焊盘与静电放电保护
    11.3衬底耦合
    11.4封装
    习题
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