电子电路分析与设计

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出版社: 电子工业出版社
2006-01
版次: 1
ISBN: 9787505376212
定价: 86.00
装帧: 平装
开本: 其他
纸张: 胶版纸
页数: 972页
字数: 1594千字
原版书名: Electronic Circuit Analysis and Design
  • 本书系统地介绍了电子学的基本概念,模拟电路和数字电路的结构及特点,以及各种电路的设计方法。电子学的内容包括半导体材料、器件(二极管、三极管、场效应管)及其基本电路、理想的集成运算放大器;模拟电路包括理想运算放大器及其组成部分、构成运算放大器的各种电路、集成运算放大器的非理想效应、运算放大器在有源滤波器、振荡器中的应用;数字电路包括BJT和FET逻辑门在内的数字电子技术的基本内容和设计方法。本书结构设计合理,理论讲述透彻,包含大量实际应用模型的例题,全面清晰地剖析了电路的分析和设计方法。
      
      
      本书可以作为电子学、通信、计算机等专业的本科或研究生教材,也可供电子工程技术人员参考。 Donald Neamen是New Mexico大学与计算机工程系的教授、副系主任。他在New Mexico 大学获得博士学位后,成为Hanscom空军基地固态科学实验室的电子工程师。1976年,他在New Mexico大学EECE系任助理教授,负责讲授半导体物理与器件、电子数等课程。    1980年Neamen教授获得Ne 第1部分 半导体器件及其基本应用

     第1章 半导体材料及二极管

      1.0 概述

      1.1 半导体材料及其特性

      1.2 PN 结

      1.3 二极管电路:直流分析及其模型

      1.4 二极管电路: 交流等效电路

      1.5 其他类型的二极管

      1.6 小结

     第2章 二极管电路

      2.0 概述

      2.1 整流电路

      2.2 齐纳二极管电路

      2.3 限幅器和钳位电路

      2.4 多二极管电路

      2.5 光电二极管和发光二极管电路

      2.6 小结

     第3章 双极型晶体管

      3.0 概述

      3.1 双极型晶体管基础

      3.2 晶体管电路的直流分析

      3.3 晶体管的基本应用

      3.4 双极型晶体管的偏置

      3.5 多级电路

      3.6 小结

     第4章 基本BJT放大器

      4.0 概述

      4.1 模拟信号和线性放大器

      4.2 双极型线性放大器

      4.3 晶体管放大器的基本结构

      4.4 共射极放大器

     第5章 场效应晶体管

      5.0 概述

      5.1 MOS 场效应晶体管

      5.2 MOSFET 直流电路的分析

      5.3 基于MOSFET应用:开关、数字逻辑门及放大器

        5.4 结型场效应晶体管

      5.5 小结

     第6章 基本 FET 放大器

      6.0 概述

      6.1 MOSFET 放大器

      6.2 晶体管放大器的基本组态

      6.3 共源极放大器

      6.4 源极跟随器

      6.5 共栅极结构

      6.6 三种基本放大器组态:总结与比较

      6.7 单级集成电路 MOSFET 放大器

      6.8 多级放大器

      6.9 基本 JFET 放大器

      6.10 小结

     第7章 频率响应

      7.0 概述

      7.1 放大器的频率响应

      7.2 系统传递函数

      7.3 频率响应:含有电路电容的晶体管放大器

      7.4 频率响应:双极型晶体管

      7.5 频率响应:FET

      7.6 晶体管电路的高频响应

      7.7 小结

     第8章 输出级和功率放大器

      8.0 概述

      8.1 功率放大器

      8.2 功率管

     ……

    第2部分 模拟电子技术

     第9章 理想运算放大器

     第10章 集成电路的偏置和有源负载

     第11章 差动放大器和多级放大器

     第12章 反馈和稳定性

     第13章 运算放大器

     第14章 非理想运算放大器电路

     第15章 集成电路的应用与设计

    第3部分 数字电子学

     第16章 MOSFET数字电路

     第17章 双极型数字电路

    附录A

    附录B

    附录C

    附录D

    附录E

    参考文献
  • 内容简介:
    本书系统地介绍了电子学的基本概念,模拟电路和数字电路的结构及特点,以及各种电路的设计方法。电子学的内容包括半导体材料、器件(二极管、三极管、场效应管)及其基本电路、理想的集成运算放大器;模拟电路包括理想运算放大器及其组成部分、构成运算放大器的各种电路、集成运算放大器的非理想效应、运算放大器在有源滤波器、振荡器中的应用;数字电路包括BJT和FET逻辑门在内的数字电子技术的基本内容和设计方法。本书结构设计合理,理论讲述透彻,包含大量实际应用模型的例题,全面清晰地剖析了电路的分析和设计方法。
      
      
      本书可以作为电子学、通信、计算机等专业的本科或研究生教材,也可供电子工程技术人员参考。
  • 作者简介:
    Donald Neamen是New Mexico大学与计算机工程系的教授、副系主任。他在New Mexico 大学获得博士学位后,成为Hanscom空军基地固态科学实验室的电子工程师。1976年,他在New Mexico大学EECE系任助理教授,负责讲授半导体物理与器件、电子数等课程。    1980年Neamen教授获得Ne
  • 目录:
    第1部分 半导体器件及其基本应用

     第1章 半导体材料及二极管

      1.0 概述

      1.1 半导体材料及其特性

      1.2 PN 结

      1.3 二极管电路:直流分析及其模型

      1.4 二极管电路: 交流等效电路

      1.5 其他类型的二极管

      1.6 小结

     第2章 二极管电路

      2.0 概述

      2.1 整流电路

      2.2 齐纳二极管电路

      2.3 限幅器和钳位电路

      2.4 多二极管电路

      2.5 光电二极管和发光二极管电路

      2.6 小结

     第3章 双极型晶体管

      3.0 概述

      3.1 双极型晶体管基础

      3.2 晶体管电路的直流分析

      3.3 晶体管的基本应用

      3.4 双极型晶体管的偏置

      3.5 多级电路

      3.6 小结

     第4章 基本BJT放大器

      4.0 概述

      4.1 模拟信号和线性放大器

      4.2 双极型线性放大器

      4.3 晶体管放大器的基本结构

      4.4 共射极放大器

     第5章 场效应晶体管

      5.0 概述

      5.1 MOS 场效应晶体管

      5.2 MOSFET 直流电路的分析

      5.3 基于MOSFET应用:开关、数字逻辑门及放大器

        5.4 结型场效应晶体管

      5.5 小结

     第6章 基本 FET 放大器

      6.0 概述

      6.1 MOSFET 放大器

      6.2 晶体管放大器的基本组态

      6.3 共源极放大器

      6.4 源极跟随器

      6.5 共栅极结构

      6.6 三种基本放大器组态:总结与比较

      6.7 单级集成电路 MOSFET 放大器

      6.8 多级放大器

      6.9 基本 JFET 放大器

      6.10 小结

     第7章 频率响应

      7.0 概述

      7.1 放大器的频率响应

      7.2 系统传递函数

      7.3 频率响应:含有电路电容的晶体管放大器

      7.4 频率响应:双极型晶体管

      7.5 频率响应:FET

      7.6 晶体管电路的高频响应

      7.7 小结

     第8章 输出级和功率放大器

      8.0 概述

      8.1 功率放大器

      8.2 功率管

     ……

    第2部分 模拟电子技术

     第9章 理想运算放大器

     第10章 集成电路的偏置和有源负载

     第11章 差动放大器和多级放大器

     第12章 反馈和稳定性

     第13章 运算放大器

     第14章 非理想运算放大器电路

     第15章 集成电路的应用与设计

    第3部分 数字电子学

     第16章 MOSFET数字电路

     第17章 双极型数字电路

    附录A

    附录B

    附录C

    附录D

    附录E

    参考文献
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