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国外电子与通信教材系列·CMOS数字集成电路：分析与设计（第四版）

作者: [美] 康松默（Sung-Mo Kang）著 , [瑞士] Yusuf 著 , [韩] Chulwoo Kim 著 , 王志功译 , 窦建华译

出版社: 电子工业出版社

出版时间: 2015-04

版次: 4

ISBN: 9787121249877

定价: 79.00

装帧: 平装

开本: 16开

纸张: 胶版纸

页数: 472页

字数: 787千字

正文语种: 简体中文

丛书: 国外电子与通信教材系列

分类: 教材教辅考试>教材>大学教材>工程技术

6 张插图图片

157人买过

　　《国外电子与通信教材系列·CMOS数字集成电路：分析与设计（第四版）》详细讲述了CMOS数字集成电路的相关内容，在第三版的基础上增加了新的内容和章节，提供了反映现代技术发展水平和电路设计的最新资料。全书共15章。第1章至第8章详细讨论MOS晶体管的相关特性和工作原理、基本反相器电路设计、组合逻辑电路及时序逻辑电路的结构与工作原理；第9章至第13章主要介绍应用于先进VLSI芯片设计的动态逻辑电路、先进的半导体存储电路、低功耗CMOS逻辑电路、数字运算和转换电路、芯片的I/O设计；第14章和第15章分别讨论电路的可制造性设计和可测试性设计这两个重要问题。　　王志功，东南大学教授、电路学科带头人，任射频与光电集成电路研究所所长。
　　
　　窦建华，合肥工业大学副教授，硕士生导师，主要从事电路理论、电子技术、通信电子线路、EDA的教学科研和IC设计方面的教学和科研工作。第1章概论
1.1发展历史
1.2本书的目标和结构
1.3电路设计举例
1.4VLSI设计方法综述
1.5VLSI设计流程
1.6设计分层
1.7规范化、模块化和本地化的概念
1.8VLSI的设计风格
1.9设计质量
1.10封装技术
1.11计算机辅助设计技术
习题

第2章MOS场效应管的制造
2.1概述
2.2制造工艺的基本步骤
2.3CMOSn阱工艺
2.4CMOS技术的发展
2.5版图设计规则
2.6全定制掩膜版图设计
习题

第3章MOS晶体管
3.1金属-氧化物-半导体（MOS）结构
3.2外部偏置下的MOS系统
3.3MOS场效应管（MOSFET）的结构和作用
3.4MOSFET的电流-电压特性
3.5MOSFET的收缩和小尺寸效应
3.6MOSFET电容
习题

第4章用SPICE进行MOS管建模
4.1概述
4.2基本概念
4.3一级模型方程
4.4二级模型方程
4.5三级模型方程
4.6先进的MOSFET模型
4.7电容模型
4.8SPICEMOSFET模型的比较
附录典型SPICE模型参数
习题

第5章MOS反相器的静态特性
5.1概述
5.2电阻负载型反相器
5.3MOSFET负载反相器
5.4CMOS反相器
附录小尺寸器件CMOS反相器的尺寸设计趋势
习题

第6章MOS反相器的开关特性和体效应
6.1概述
6.2延迟时间的定义
6.3延迟时间的计算
6.4延迟限制下的反相器设计
6.5互连线电容的估算
6.6互连线延迟的计算
6.7CMOS反相器的开关功耗
附录超级缓冲器的设计
习题

第7章组合MOS逻辑电路
7.1概述
7.2带伪nMOS（pMOS）负载的MOS逻辑电路
7.3CMOS逻辑电路
7.4复杂逻辑电路
7.5CMOS传输门
习题

第8章时序MOS逻辑电路
8.1概述
8.2双稳态元件的特性
8.3SR锁存电路
8.4钟控锁存器和触发器电路
8.5钟控存储器的时间相关参数
8.6CMOS的D锁存器和边沿触发器
8.7基于脉冲锁存器的钟控存储器
8.8基于读出放大器的触发器
8.9时钟存储器件中的逻辑嵌入
8.10时钟系统的能耗及其节能措施
附录
习题

第9章动态逻辑电路
9.1概述
9.2传输晶体管电路的基本原理
9.3电压自举技术
9.4同步动态电路技术
9.5动态CMOS电路技术
9.6高性能动态逻辑CMOS电路
习题

第10章半导体存储器
10.1概述
10.2动态随机存储器（DRAM）
10.3静态随机存储器（SRAM）
10.4非易失存储器
10.5闪存
10.6铁电随机存储器（FRAM）
习题

第11章低功耗CMOS逻辑电路
11.1概述
11.2功耗综述
11.3电压按比例降低的低功率设计
11.4开关激活率的估算和优化
11.5减小开关电容
11.6绝热逻辑电路
习题

第12章算术组合模块
12.1概述
12.2加法器
12.3乘法器
12.4移位器
习题

第13章时钟电路与输入/输出电路
13.1概述
13.2静电放电（ESD）保护
13.3输入电路
13.4输出电路和L（di/dt）噪声
13.5片内时钟生成和分配
13.6闩锁现象及其预防措施
附录片上网络：下一代片上系统（SoC）的新模式
习题

第14章产品化设计
14.1概述
14.2工艺变化
14.3基本概念和定义
14.4实验设计与性能建模
14.5参数成品率的评估
14.6参数成品率的最大值
14.7最坏情况分析
14.8性能参数变化的最小化
习题

第15章可测试性设计
15.1概述
15.2故障类型和模型
15.3可控性和可观察性
15.4专用可测试性设计技术
15.5基于扫描的技术
15.6内建自测（BIST）技术
15.7电流监控IDDQ检测
习题
参考文献
物理和材料常数
公式
内容简介:
　　《国外电子与通信教材系列·CMOS数字集成电路：分析与设计（第四版）》详细讲述了CMOS数字集成电路的相关内容，在第三版的基础上增加了新的内容和章节，提供了反映现代技术发展水平和电路设计的最新资料。全书共15章。第1章至第8章详细讨论MOS晶体管的相关特性和工作原理、基本反相器电路设计、组合逻辑电路及时序逻辑电路的结构与工作原理；第9章至第13章主要介绍应用于先进VLSI芯片设计的动态逻辑电路、先进的半导体存储电路、低功耗CMOS逻辑电路、数字运算和转换电路、芯片的I/O设计；第14章和第15章分别讨论电路的可制造性设计和可测试性设计这两个重要问题。
作者简介:
　　王志功，东南大学教授、电路学科带头人，任射频与光电集成电路研究所所长。
　　
　　窦建华，合肥工业大学副教授，硕士生导师，主要从事电路理论、电子技术、通信电子线路、EDA的教学科研和IC设计方面的教学和科研工作。
目录:
第1章概论
1.1发展历史
1.2本书的目标和结构
1.3电路设计举例
1.4VLSI设计方法综述
1.5VLSI设计流程
1.6设计分层
1.7规范化、模块化和本地化的概念
1.8VLSI的设计风格
1.9设计质量
1.10封装技术
1.11计算机辅助设计技术
习题

第2章MOS场效应管的制造
2.1概述
2.2制造工艺的基本步骤
2.3CMOSn阱工艺
2.4CMOS技术的发展
2.5版图设计规则
2.6全定制掩膜版图设计
习题

第3章MOS晶体管
3.1金属-氧化物-半导体（MOS）结构
3.2外部偏置下的MOS系统
3.3MOS场效应管（MOSFET）的结构和作用
3.4MOSFET的电流-电压特性
3.5MOSFET的收缩和小尺寸效应
3.6MOSFET电容
习题

第4章用SPICE进行MOS管建模
4.1概述
4.2基本概念
4.3一级模型方程
4.4二级模型方程
4.5三级模型方程
4.6先进的MOSFET模型
4.7电容模型
4.8SPICEMOSFET模型的比较
附录典型SPICE模型参数
习题

第5章MOS反相器的静态特性
5.1概述
5.2电阻负载型反相器
5.3MOSFET负载反相器
5.4CMOS反相器
附录小尺寸器件CMOS反相器的尺寸设计趋势
习题

第6章MOS反相器的开关特性和体效应
6.1概述
6.2延迟时间的定义
6.3延迟时间的计算
6.4延迟限制下的反相器设计
6.5互连线电容的估算
6.6互连线延迟的计算
6.7CMOS反相器的开关功耗
附录超级缓冲器的设计
习题

第7章组合MOS逻辑电路
7.1概述
7.2带伪nMOS（pMOS）负载的MOS逻辑电路
7.3CMOS逻辑电路
7.4复杂逻辑电路
7.5CMOS传输门
习题

第8章时序MOS逻辑电路
8.1概述
8.2双稳态元件的特性
8.3SR锁存电路
8.4钟控锁存器和触发器电路
8.5钟控存储器的时间相关参数
8.6CMOS的D锁存器和边沿触发器
8.7基于脉冲锁存器的钟控存储器
8.8基于读出放大器的触发器
8.9时钟存储器件中的逻辑嵌入
8.10时钟系统的能耗及其节能措施
附录
习题

第9章动态逻辑电路
9.1概述
9.2传输晶体管电路的基本原理
9.3电压自举技术
9.4同步动态电路技术
9.5动态CMOS电路技术
9.6高性能动态逻辑CMOS电路
习题

第10章半导体存储器
10.1概述
10.2动态随机存储器（DRAM）
10.3静态随机存储器（SRAM）
10.4非易失存储器
10.5闪存
10.6铁电随机存储器（FRAM）
习题

第11章低功耗CMOS逻辑电路
11.1概述
11.2功耗综述
11.3电压按比例降低的低功率设计
11.4开关激活率的估算和优化
11.5减小开关电容
11.6绝热逻辑电路
习题

第12章算术组合模块
12.1概述
12.2加法器
12.3乘法器
12.4移位器
习题

第13章时钟电路与输入/输出电路
13.1概述
13.2静电放电（ESD）保护
13.3输入电路
13.4输出电路和L（di/dt）噪声
13.5片内时钟生成和分配
13.6闩锁现象及其预防措施
附录片上网络：下一代片上系统（SoC）的新模式
习题

第14章产品化设计
14.1概述
14.2工艺变化
14.3基本概念和定义
14.4实验设计与性能建模
14.5参数成品率的评估
14.6参数成品率的最大值
14.7最坏情况分析
14.8性能参数变化的最小化
习题

第15章可测试性设计
15.1概述
15.2故障类型和模型
15.3可控性和可观察性
15.4专用可测试性设计技术
15.5基于扫描的技术
15.6内建自测（BIST）技术
15.7电流监控IDDQ检测
习题
参考文献
物理和材料常数
公式

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