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Springer手册精选原版系列：半导体数据手册（上册第2册）

Springer手册精选原版系列：半导体数据手册（上册第2册）

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作者: [德] 马德朗（Otfried Madelung）编

出版社: 哈尔滨工业大学出版社

出版时间: 2014-03

版次: 1

ISBN: 9787560345147

定价: 158.00

装帧: 平装

开本: 16开

纸张: 胶版纸

页数: 396页

正文语种: 简体中文，英语

丛书: Springer手册精选原版系列

分类: 工程技术

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　　《Springer手册精选原版系列：半导体数据手册（上册第2册）》是包含了几乎所有的半导体材料实验数据的参考书，适用对象包括材料、微电子学、电子科学与技术等专业的本科生和研究生，以及从事半导体研究的专业人员。本手册内容包括：四面体键元素及其化合物特性的实验数据（B）；III、V、VI族元素特性的实验数据（C）；各族元素的二元化合物特性的实验数据（D）；各族元素的三元化合物特性的实验数据（E）;硼、过渡金属和稀土化合物半导体特性的实验数据（F）；以及相关材料的晶体结构、电学特性、晶格属性、传输特性、光学特性、杂质和缺陷等内容。 AIntroduction
Generalremarkstothestructureofthisvolume
2Physicalquantitiestabulatedinthisvolume
BTetrahedrallybondedelementsandcompounds
1ElementsoftheIVthgroupandIV-IVcompounds
1.0Crystalstructureandelectronicstructure
1.1Diamond(C)
1.2Silicon(Si)
1.3Gcrmanium(Ge)
1.4Greytin(a-Sn)
1.5Siliconcarbide(SiC)
1.6Silicongermaniummixedcrystals(SixGe1-x)

2III-Vcompounds
2.0Crystalstructureandelectronicstructure
2.1Boronnitride(BN)
2.2Boronphosphide(BP)
2.3Boronarsenide(BAs)
2.4Boronantimonide(BSb)
2.5Aluminumnitride(AIN)
2.6Aluminumphosphide(AIP)
2.7Aluminumarsenide(AIAs)
2.8Aluminumantimonide(AISb)
2.9Galliumnitride(GaN)
2.10Galliumphosphide(GaP)
2.11Galliumarsenide(GaAs)
2.12Galliumantimonide(GaSb)
2.13Indiumnitride(InN)
2.14Indiumphosphide(InP)
2.15Indiumarsenide(InAs)
2.16Indiumantimonide(InSb)
2.17TernaryalloyslatticematchedtobinaryIII-Vcompounds
2.18QuaternaryalloyslatticematchedtobinaryIII-Vcompounds

3II-VIcompounds
3.0Crystalstructureandelectronicstructure
3.1Berylliumoxide(Be0)
3.2Berylliumsulfide(BeS)
3.3Berylliumselenide(BeSe)
3.4Berylliumtelluride(BeTe)
3.5Magnesiumoxide(Mg0)
3.6Magnesiumsulfide(MgS)
3.7Magnesiumselenide(MgSe)
3.8Magnesiumtelluride(MgTe)
3.9Calciumoxide(Ca0)
3.10Strontiumoxide(Sr0)
3.11Bariumoxide(Ba0)
3.12Zincoxide(Zn0)
3.13Zincsulfide(ZnS)
3.14Zincselenide(ZnSe)
3.15Zinctelluride(ZnTe)
3.16Cadmiumoxide(Cd0)
3.17Cadmiumsulfide(CdS)
3.18Cadmiumselenide(CdSe)
3.19Cadmiumtelluride(CdTe)
3.20Mercuryoxide(Hg0)
3.21Mercurysulfide(HgS)
3.22Mercuryselenide(HgSe)
3.23Mercurytelluride(HgTe)

4I-VIIcompounds
4.0Crystalstructureandelectronicstructure
4.1Cuprousfluoride(CuF)
4.2Cuprouschloride(-{-CuCl)
4.3Cuprousbromide(y-CuBr)
4.4Cuprousiodide(γ-Cul)
4.5Silverfluoride(AgF).,
4.6Silverchloride(AgCl)
4.7Silverbromide(AgBr)
4.8Silveriodide(Agl)
……
5Ⅲ2-Ⅵ3compounds
6Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2compounds(includedareI-Fe-VI2compounds)
7Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2compounds
812-Ⅳ-Ⅵ3compounds
913-Ⅴ-Ⅵ4compounds
内容简介:
　　《Springer手册精选原版系列：半导体数据手册（上册第2册）》是包含了几乎所有的半导体材料实验数据的参考书，适用对象包括材料、微电子学、电子科学与技术等专业的本科生和研究生，以及从事半导体研究的专业人员。本手册内容包括：四面体键元素及其化合物特性的实验数据（B）；III、V、VI族元素特性的实验数据（C）；各族元素的二元化合物特性的实验数据（D）；各族元素的三元化合物特性的实验数据（E）;硼、过渡金属和稀土化合物半导体特性的实验数据（F）；以及相关材料的晶体结构、电学特性、晶格属性、传输特性、光学特性、杂质和缺陷等内容。
目录:
AIntroduction
Generalremarkstothestructureofthisvolume
2Physicalquantitiestabulatedinthisvolume
BTetrahedrallybondedelementsandcompounds
1ElementsoftheIVthgroupandIV-IVcompounds
1.0Crystalstructureandelectronicstructure
1.1Diamond(C)
1.2Silicon(Si)
1.3Gcrmanium(Ge)
1.4Greytin(a-Sn)
1.5Siliconcarbide(SiC)
1.6Silicongermaniummixedcrystals(SixGe1-x)

2III-Vcompounds
2.0Crystalstructureandelectronicstructure
2.1Boronnitride(BN)
2.2Boronphosphide(BP)
2.3Boronarsenide(BAs)
2.4Boronantimonide(BSb)
2.5Aluminumnitride(AIN)
2.6Aluminumphosphide(AIP)
2.7Aluminumarsenide(AIAs)
2.8Aluminumantimonide(AISb)
2.9Galliumnitride(GaN)
2.10Galliumphosphide(GaP)
2.11Galliumarsenide(GaAs)
2.12Galliumantimonide(GaSb)
2.13Indiumnitride(InN)
2.14Indiumphosphide(InP)
2.15Indiumarsenide(InAs)
2.16Indiumantimonide(InSb)
2.17TernaryalloyslatticematchedtobinaryIII-Vcompounds
2.18QuaternaryalloyslatticematchedtobinaryIII-Vcompounds

3II-VIcompounds
3.0Crystalstructureandelectronicstructure
3.1Berylliumoxide(Be0)
3.2Berylliumsulfide(BeS)
3.3Berylliumselenide(BeSe)
3.4Berylliumtelluride(BeTe)
3.5Magnesiumoxide(Mg0)
3.6Magnesiumsulfide(MgS)
3.7Magnesiumselenide(MgSe)
3.8Magnesiumtelluride(MgTe)
3.9Calciumoxide(Ca0)
3.10Strontiumoxide(Sr0)
3.11Bariumoxide(Ba0)
3.12Zincoxide(Zn0)
3.13Zincsulfide(ZnS)
3.14Zincselenide(ZnSe)
3.15Zinctelluride(ZnTe)
3.16Cadmiumoxide(Cd0)
3.17Cadmiumsulfide(CdS)
3.18Cadmiumselenide(CdSe)
3.19Cadmiumtelluride(CdTe)
3.20Mercuryoxide(Hg0)
3.21Mercurysulfide(HgS)
3.22Mercuryselenide(HgSe)
3.23Mercurytelluride(HgTe)

4I-VIIcompounds
4.0Crystalstructureandelectronicstructure
4.1Cuprousfluoride(CuF)
4.2Cuprouschloride(-{-CuCl)
4.3Cuprousbromide(y-CuBr)
4.4Cuprousiodide(γ-Cul)
4.5Silverfluoride(AgF).,
4.6Silverchloride(AgCl)
4.7Silverbromide(AgBr)
4.8Silveriodide(Agl)
……
5Ⅲ2-Ⅵ3compounds
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