国家级精品课程主干教材:半导体集成电路
出版时间:
2011-08
版次:
1
ISBN:
9787030317926
定价:
38.00
装帧:
平装
开本:
16开
纸张:
胶版纸
页数:
299页
138人买过
-
《普通高等教育电子科学与技术类特色专业系列教材·国家级精品课程主干教材:半导体集成电路》在简述了集成电路的基本概念、发展和面临的主要问题后,首先介绍了半导体集成电路的主要制造工艺、基本元器件的结构和工作原理;然后重点讨论了数字集成电路中的组合逻辑电路、时序逻辑电路、存储器、逻辑功能部件;最后介绍了模拟集成电路中的关键电路和数一模、模一数转换电路。《普通高等教育电子科学与技术类特色专业系列教材·国家级精品课程主干教材:半导体集成电路》内容系统全面,与实际紧密结合。叙述深人浅出,易于自学。为了方便教师授课,全书配有课件。《普通高等教育电子科学与技术类特色专业系列教材·国家级精品课程主干教材:半导体集成电路》可作为大专院校电子科学与技术和半导体专业的专业课教材,也可作为相关领域研究生和工程技术人员的参考书。 丛书序
序
前言
第1章绪论
1.1半导体集成电路的概念
1.1.1半导体集成电路的基本概念
1.1.2半导体集成电路的分类
1.2半导体集成电路的发展过程
1.3半导体集成电路的发展规律
1.4半导体集成电路面临的问题
1.4.1深亚微米集成电路设计面临的问题与挑战
1.4.2深亚微米集成电路性能面临的问题与挑战
1.4.3深亚微米集成电路工艺面临的问题与挑战
技术展望:摩尔定律的扩展
习题
第2章双极集成电路中的元件形成及其寄生效应
2.1双极集成电路的制造工艺
2.1.1双极型晶体管的单管结构和工作原理
2.1.2双极集成晶体管的结构与制造工艺
2.2理想本征双极晶体管的埃伯斯一莫尔(EM)模型
2.2.1一结两层二极管(单结晶体管)的EM模型
2.2.2两结三层三极管(双结晶体管)的EM模型
2.2.3三结四层三极管(多结晶体管)的EM模型
2.3集成双极晶体管的有源寄生效应
2.3.1npn管工作于正向工作区和截止区的情况
2.3.2npn管工作于反向工作区的情况
2.3.3npn管工作于饱和区的情况
2.3.4降低寄生pnp管的方法
技术展望:SiGe异质结双极晶体管
习题
第3章MOS集成电路中的元件形成及其寄生效应
3.1MOSFET晶体管的制造工艺
3.1.1MOSFET晶体管器件结构与工作原理
3.1.2MOSFET的制造工艺
3.2CMOS集成电路的制造工艺
3.2.1p阱CMOS工艺
3.2.2n阱CMOS工艺
3.2.3双阱CMOS工艺
3.3Bi-CMOS集成电路的制造工艺
3.3.1以CMOS工艺为基础的Bi-CMOS工艺
3.3.2以双极型工艺为基础的Bi-CMOS工艺
3.4MOS集成电路中的有源寄生效应
3.4.1场区寄生MOSFET
3.4.2寄生双极型晶体管
3.4.3CMOS集成电路中的闩锁效应
技术展望:绝缘体上硅(SOI)技术
习题
第4章集成电路中的无源元件
4.1集成电阻器
4.1.1双极集成电路中的常用电阻
4.1.2MOS集成电路中常用的电阻
4.2集成电容器
4.2.1双极集成电路中常用的集成电容器
4.2.2MOS集成电路中常用的电容器
4.3互连线
4.3.1多晶硅互连线
4.3.2扩散层连线
4.3.3金属互连线
技术展望:铁电电容器
习题
第5章MOS晶体管基本原理与MOS反相器电路
5.1MOS晶体管的电学特性
5.1.1MOS晶体管基本电流方程的导出
5.1.2MOS晶体管I-V特性
5.1.3MOS晶体管的阈值电压和导电特性
5.1.4MOS晶体管的衬底偏压效应
5.1.5MOS晶体管的二级效应
5.1.6MOS晶体管的电容
5.2MOS反相器
5.2.1反相器的基本概念
5.2.2E/R型nMOS反相器(电阻负载型MOS反相器)
5.2.3E/E型nMOS反相器(增强型nMOS负载反相器)
5.2.4E/D型nMOS反相器(耗尽型nMOS负载反相器)
5.2.5CMOS反相器
技术展望:3D晶体管
习题
第6章CMOS静态门电路
6.1基本CMOS静态门
6.1.1CMOS与非门
6.1.2CMOS或非门
6.2CMOS复合逻辑门
6.2.1异或门
6.2.2其他复合逻辑门
6.3MOS管的串并联特性
6.3.1晶体管串联的情况
6.3.2晶体管并联的情况
6.3.3晶体管尺寸的设计
6.4CMOS静态门电路的功耗
6.4.1CMOS静态逻辑门电路功耗的组成
6.4.2降低电路功耗的方法
6.5CMOS静态门电路的延迟
6.5.1延迟时间的估算方法
6.5.2缓冲器最优化设计
6.6功耗和延迟的折中
技术展望:减少短脉冲干扰信号功耗
习题
第7章传输门逻辑和动态逻辑电路
7.1基本的传输门
7.1.1nMOS传输门
7.1.2pMOS传输门
7.1.3CMOS传输门
7.2传输门逻辑电路
7.2.1传输门逻辑电路举例
7.2.2传输门逻辑的特点
7.3基于二叉判决图BDD的传输门逻辑生成方法
7.4基本动态CMOS逻辑电路
7.4.1基本CMOS动态逻辑电路的工作原理
7.4.2动态逻辑电路的优缺点
7.5传输门隔离动态逻辑电路
7.5.1传输门隔离动态逻辑电路工作原理
7.5.2传输门隔离多级动态逻辑电路的时钟信号
7.5.3多米诺逻辑
7.6动态逻辑电路中存在的问题及解决方法
7.6.1电荷泄漏
7.6.2电荷共享
7.6.3时钟馈通
7.6.4体效应
技术展望:如何选择逻辑类型
习题
第8章时序逻辑电路
8.1电荷的存储机理
8.1.1静态存储机理
8.1.2动态存储机理
8.2电平敏感锁存器
8.2.1SR静态锁存器
8.2.2时钟脉冲控制SR静态锁存器
8.2.3CMOS静态逻辑结构D锁存器
8.2.4基于传输门多选器的D锁存器
8.2.5动态锁存器
8.3边沿触发寄存器
8.3.1寄存器的几个重要参数(建立时间、维持时间、传输时间)
8.3.2CMOS静态主从结构寄存器
8.3.3传输门多路开关型寄存器
8.3.4C2MOS寄存器
8.4其他类型寄存器
8.4.1脉冲触发锁存器
8.4.2灵敏放大器型寄存器
8.4.3灵敏放大器型寄存器
8.5带复位及使能信号的D寄存器
8.5.1同步复位D寄存器
8.5.2异步复位D寄存器
8.5.3带使能信号的同步复位D寄存器
8.6寄存器的应用及时序约束
8.6.1计数器
8.6.2时序电路的时序约束
技术展望:异步数字系统
习题
第9章MOS逻辑功能部件
9.1多路开关
9.2加法器和进位链
9.2.1加法器定义
9.2.2全加器电路设计
9.2.3进位链
9.3算术逻辑单元
9.3.1以传输门为主体的算术逻辑单元
9.3.2以静态逻辑门电路为主体的算术逻辑单元
9.4移位器
9.5乘法器
技术展望:片上系统(SOC)技术
习题
第10章半导体存储器
10.1存储器概述
10.1.1存储器的分类
10.1.2存储器的相关性能参数
10.1.3半导体存储器的结构
10.2非挥发性只读存储器
10.2.1ROM的基本存储单元
10.2.2MOSOR和NOR型ROM
10.2.3MOSNAND型ROM
10.2.4预充式ROM
10.2.5一次性可编程ROM
10.3非挥发性读写存储器
10.3.1可擦除可编程ROM
10.3.2电可擦除可编程ROM
10.3.3FLASH存储器
10.4随机存取存储器
10.4.1SRAM
10.4.2DRAM
10.5存储器外围电路
10.5.1地址译码单元
10.5.2灵敏放大器
10.5.3时序和控制电路
技术展望:高密度存储器
习题
第11章模拟集成电路基础
11.1模拟集成电路中的特殊元件
11.1.1MOS可变电容
11.1.2集成双极型晶体管
11.1.3集成MOS管
11.2MOS晶体管及双极晶体管的小信号模型
11.2.1MOS晶体管的小信号模型
11.2.2双极晶体管的小信号模型
11.3恒流源电路
11.3.1电流源
11.3.2电流基准电路
11.4基准电压源电路
11.4.1基准电压源的主要性能指标
11.4.2带隙基准电压源的基本原理
11.5单级放大器
11.5.1MOS集成电路中的单级放大器
11.5.2双极集成电路中的单级放大器
11.6差动放大器
11.6.1MOS差动放大器
11.6.2双极晶体管差动放大器
技术展望:低压低功耗模拟集成电路技术
习题
第12章D/A及A/D变换器
12.1D/A变换器基本概念
12.1.1D/A变换器基本原理
12.1.2D/A变换器的分类
12.1.3D/A变换器的技术指标
12.2D/A变换器的基本类型
12.2.1电流定标D/A变换器
12.2.2电压定标D/A变换器
12.2.3电荷定标D/A变换器
12.3A/D变换器的基本概念
12.3.1A/D变换器基本原理
12.3.2A/D变换器的分类
12.3.3A/D变换器的主要技术指标
12.4A/D变换器的常用类型
12.4.1积分型A/D变换器
12.4.2逐次逼近式(SAR)A/D变换器
12.4.3∑-△A/D变换器
12.4.4全并行ADC
12.4.5流水线A/D变换器
技术展望:A/D变换器的发展方向
习题
参考文献
-
内容简介:
《普通高等教育电子科学与技术类特色专业系列教材·国家级精品课程主干教材:半导体集成电路》在简述了集成电路的基本概念、发展和面临的主要问题后,首先介绍了半导体集成电路的主要制造工艺、基本元器件的结构和工作原理;然后重点讨论了数字集成电路中的组合逻辑电路、时序逻辑电路、存储器、逻辑功能部件;最后介绍了模拟集成电路中的关键电路和数一模、模一数转换电路。《普通高等教育电子科学与技术类特色专业系列教材·国家级精品课程主干教材:半导体集成电路》内容系统全面,与实际紧密结合。叙述深人浅出,易于自学。为了方便教师授课,全书配有课件。《普通高等教育电子科学与技术类特色专业系列教材·国家级精品课程主干教材:半导体集成电路》可作为大专院校电子科学与技术和半导体专业的专业课教材,也可作为相关领域研究生和工程技术人员的参考书。
-
目录:
丛书序
序
前言
第1章绪论
1.1半导体集成电路的概念
1.1.1半导体集成电路的基本概念
1.1.2半导体集成电路的分类
1.2半导体集成电路的发展过程
1.3半导体集成电路的发展规律
1.4半导体集成电路面临的问题
1.4.1深亚微米集成电路设计面临的问题与挑战
1.4.2深亚微米集成电路性能面临的问题与挑战
1.4.3深亚微米集成电路工艺面临的问题与挑战
技术展望:摩尔定律的扩展
习题
第2章双极集成电路中的元件形成及其寄生效应
2.1双极集成电路的制造工艺
2.1.1双极型晶体管的单管结构和工作原理
2.1.2双极集成晶体管的结构与制造工艺
2.2理想本征双极晶体管的埃伯斯一莫尔(EM)模型
2.2.1一结两层二极管(单结晶体管)的EM模型
2.2.2两结三层三极管(双结晶体管)的EM模型
2.2.3三结四层三极管(多结晶体管)的EM模型
2.3集成双极晶体管的有源寄生效应
2.3.1npn管工作于正向工作区和截止区的情况
2.3.2npn管工作于反向工作区的情况
2.3.3npn管工作于饱和区的情况
2.3.4降低寄生pnp管的方法
技术展望:SiGe异质结双极晶体管
习题
第3章MOS集成电路中的元件形成及其寄生效应
3.1MOSFET晶体管的制造工艺
3.1.1MOSFET晶体管器件结构与工作原理
3.1.2MOSFET的制造工艺
3.2CMOS集成电路的制造工艺
3.2.1p阱CMOS工艺
3.2.2n阱CMOS工艺
3.2.3双阱CMOS工艺
3.3Bi-CMOS集成电路的制造工艺
3.3.1以CMOS工艺为基础的Bi-CMOS工艺
3.3.2以双极型工艺为基础的Bi-CMOS工艺
3.4MOS集成电路中的有源寄生效应
3.4.1场区寄生MOSFET
3.4.2寄生双极型晶体管
3.4.3CMOS集成电路中的闩锁效应
技术展望:绝缘体上硅(SOI)技术
习题
第4章集成电路中的无源元件
4.1集成电阻器
4.1.1双极集成电路中的常用电阻
4.1.2MOS集成电路中常用的电阻
4.2集成电容器
4.2.1双极集成电路中常用的集成电容器
4.2.2MOS集成电路中常用的电容器
4.3互连线
4.3.1多晶硅互连线
4.3.2扩散层连线
4.3.3金属互连线
技术展望:铁电电容器
习题
第5章MOS晶体管基本原理与MOS反相器电路
5.1MOS晶体管的电学特性
5.1.1MOS晶体管基本电流方程的导出
5.1.2MOS晶体管I-V特性
5.1.3MOS晶体管的阈值电压和导电特性
5.1.4MOS晶体管的衬底偏压效应
5.1.5MOS晶体管的二级效应
5.1.6MOS晶体管的电容
5.2MOS反相器
5.2.1反相器的基本概念
5.2.2E/R型nMOS反相器(电阻负载型MOS反相器)
5.2.3E/E型nMOS反相器(增强型nMOS负载反相器)
5.2.4E/D型nMOS反相器(耗尽型nMOS负载反相器)
5.2.5CMOS反相器
技术展望:3D晶体管
习题
第6章CMOS静态门电路
6.1基本CMOS静态门
6.1.1CMOS与非门
6.1.2CMOS或非门
6.2CMOS复合逻辑门
6.2.1异或门
6.2.2其他复合逻辑门
6.3MOS管的串并联特性
6.3.1晶体管串联的情况
6.3.2晶体管并联的情况
6.3.3晶体管尺寸的设计
6.4CMOS静态门电路的功耗
6.4.1CMOS静态逻辑门电路功耗的组成
6.4.2降低电路功耗的方法
6.5CMOS静态门电路的延迟
6.5.1延迟时间的估算方法
6.5.2缓冲器最优化设计
6.6功耗和延迟的折中
技术展望:减少短脉冲干扰信号功耗
习题
第7章传输门逻辑和动态逻辑电路
7.1基本的传输门
7.1.1nMOS传输门
7.1.2pMOS传输门
7.1.3CMOS传输门
7.2传输门逻辑电路
7.2.1传输门逻辑电路举例
7.2.2传输门逻辑的特点
7.3基于二叉判决图BDD的传输门逻辑生成方法
7.4基本动态CMOS逻辑电路
7.4.1基本CMOS动态逻辑电路的工作原理
7.4.2动态逻辑电路的优缺点
7.5传输门隔离动态逻辑电路
7.5.1传输门隔离动态逻辑电路工作原理
7.5.2传输门隔离多级动态逻辑电路的时钟信号
7.5.3多米诺逻辑
7.6动态逻辑电路中存在的问题及解决方法
7.6.1电荷泄漏
7.6.2电荷共享
7.6.3时钟馈通
7.6.4体效应
技术展望:如何选择逻辑类型
习题
第8章时序逻辑电路
8.1电荷的存储机理
8.1.1静态存储机理
8.1.2动态存储机理
8.2电平敏感锁存器
8.2.1SR静态锁存器
8.2.2时钟脉冲控制SR静态锁存器
8.2.3CMOS静态逻辑结构D锁存器
8.2.4基于传输门多选器的D锁存器
8.2.5动态锁存器
8.3边沿触发寄存器
8.3.1寄存器的几个重要参数(建立时间、维持时间、传输时间)
8.3.2CMOS静态主从结构寄存器
8.3.3传输门多路开关型寄存器
8.3.4C2MOS寄存器
8.4其他类型寄存器
8.4.1脉冲触发锁存器
8.4.2灵敏放大器型寄存器
8.4.3灵敏放大器型寄存器
8.5带复位及使能信号的D寄存器
8.5.1同步复位D寄存器
8.5.2异步复位D寄存器
8.5.3带使能信号的同步复位D寄存器
8.6寄存器的应用及时序约束
8.6.1计数器
8.6.2时序电路的时序约束
技术展望:异步数字系统
习题
第9章MOS逻辑功能部件
9.1多路开关
9.2加法器和进位链
9.2.1加法器定义
9.2.2全加器电路设计
9.2.3进位链
9.3算术逻辑单元
9.3.1以传输门为主体的算术逻辑单元
9.3.2以静态逻辑门电路为主体的算术逻辑单元
9.4移位器
9.5乘法器
技术展望:片上系统(SOC)技术
习题
第10章半导体存储器
10.1存储器概述
10.1.1存储器的分类
10.1.2存储器的相关性能参数
10.1.3半导体存储器的结构
10.2非挥发性只读存储器
10.2.1ROM的基本存储单元
10.2.2MOSOR和NOR型ROM
10.2.3MOSNAND型ROM
10.2.4预充式ROM
10.2.5一次性可编程ROM
10.3非挥发性读写存储器
10.3.1可擦除可编程ROM
10.3.2电可擦除可编程ROM
10.3.3FLASH存储器
10.4随机存取存储器
10.4.1SRAM
10.4.2DRAM
10.5存储器外围电路
10.5.1地址译码单元
10.5.2灵敏放大器
10.5.3时序和控制电路
技术展望:高密度存储器
习题
第11章模拟集成电路基础
11.1模拟集成电路中的特殊元件
11.1.1MOS可变电容
11.1.2集成双极型晶体管
11.1.3集成MOS管
11.2MOS晶体管及双极晶体管的小信号模型
11.2.1MOS晶体管的小信号模型
11.2.2双极晶体管的小信号模型
11.3恒流源电路
11.3.1电流源
11.3.2电流基准电路
11.4基准电压源电路
11.4.1基准电压源的主要性能指标
11.4.2带隙基准电压源的基本原理
11.5单级放大器
11.5.1MOS集成电路中的单级放大器
11.5.2双极集成电路中的单级放大器
11.6差动放大器
11.6.1MOS差动放大器
11.6.2双极晶体管差动放大器
技术展望:低压低功耗模拟集成电路技术
习题
第12章D/A及A/D变换器
12.1D/A变换器基本概念
12.1.1D/A变换器基本原理
12.1.2D/A变换器的分类
12.1.3D/A变换器的技术指标
12.2D/A变换器的基本类型
12.2.1电流定标D/A变换器
12.2.2电压定标D/A变换器
12.2.3电荷定标D/A变换器
12.3A/D变换器的基本概念
12.3.1A/D变换器基本原理
12.3.2A/D变换器的分类
12.3.3A/D变换器的主要技术指标
12.4A/D变换器的常用类型
12.4.1积分型A/D变换器
12.4.2逐次逼近式(SAR)A/D变换器
12.4.3∑-△A/D变换器
12.4.4全并行ADC
12.4.5流水线A/D变换器
技术展望:A/D变换器的发展方向
习题
参考文献
查看详情
-
八五品
湖南省长沙市
平均发货13小时
成功完成率91.53%
-
八五品
河南省鹤壁市
平均发货20小时
成功完成率90.88%
-
八五品
河南省鹤壁市
平均发货23小时
成功完成率88.53%
-
全新
广东省广州市
平均发货19小时
成功完成率86.79%
-
九五品
河南省鹤壁市
平均发货23小时
成功完成率88.53%
-
全新
广东省广州市
平均发货7小时
成功完成率94.43%
-
九五品
河南省鹤壁市
平均发货20小时
成功完成率90.88%
-
九品
陕西省西安市
平均发货9小时
成功完成率86.97%
-
九品
陕西省西安市
平均发货9小时
成功完成率86.97%
-
九品
江西省南昌市
平均发货20小时
成功完成率86.13%
-
八五品
福建省福州市
平均发货11小时
成功完成率93.81%
-
全新
四川省成都市
平均发货23小时
成功完成率86.68%
-
九五品
浙江省杭州市
平均发货10小时
成功完成率93.52%
-
八五品
湖南省湘潭市
平均发货9小时
成功完成率97.56%
-
八品
广东省珠海市
平均发货10小时
成功完成率92.45%
-
2021-01 印刷
印次: 8
九品
四川省成都市
平均发货10小时
成功完成率96.77%
-
八五品
四川省成都市
平均发货8小时
成功完成率90.66%
-
全新
山东省淄博市
平均发货36小时
成功完成率84.5%
-
八五品
河南省郑州市
平均发货9小时
成功完成率95.6%
-
八五品
山西省太原市
平均发货3小时
成功完成率95.81%
-
八五品
江西省抚州市
平均发货20小时
成功完成率60.66%
-
2011-08 印刷
印次: 1
全新
河北省保定市
平均发货45小时
成功完成率75.41%
-
九五品
浙江省丽水市
平均发货10小时
成功完成率93.2%
-
八五品
河南省郑州市
平均发货22小时
成功完成率66.44%
-
八品
湖南省长沙市
平均发货22小时
成功完成率90.54%
-
八品
湖南省长沙市
平均发货25小时
成功完成率74.07%
-
八品
湖南省长沙市
平均发货15小时
成功完成率89.69%
-
八五品
河南省郑州市
平均发货15小时
成功完成率68.83%
-
全新
北京市东城区
平均发货21小时
成功完成率82.51%
-
八五品
浙江省杭州市
平均发货14小时
成功完成率89.35%
-
全新
江西省吉安市
平均发货57小时
成功完成率89.53%
-
九品
江西省吉安市
平均发货59小时
成功完成率89.04%
-
全新
江西省吉安市
平均发货62小时
成功完成率87.64%
-
八五品
吉林省长春市
平均发货34小时
成功完成率71.51%
-
八五品
安徽省滁州市
平均发货19小时
成功完成率88.24%
-
八五品
四川省成都市
平均发货11小时
成功完成率91.79%
-
九五品
江西省南昌市
平均发货23小时
成功完成率85.15%
-
八五品
浙江省丽水市
平均发货10小时
成功完成率93.2%
-
八五品
浙江省杭州市
平均发货15小时
成功完成率92.78%