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光纤通信用光电子器件制作工艺基础——现代通信技术应用丛书

作者: 黄章勇编

出版社: 北京邮电大学出版社有限公司

出版时间: 2005-02

版次: 1

ISBN: 9787563509652

定价: 34.00

装帧: 平装

开本: 其他

纸张: 胶版纸

页数: 306页

字数: 463千字

分类: 教材教辅考试>教材>大学教材>工程技术

16人买过

本书较全面地介绍了光纤通信用光电子器件和组件的制作工艺（包括工艺理论基础和可供参考的工艺数据）。它从激光二极管、光探测器、光调制器和半导体光放大器等主要光电子器件的结构入手，论述为实现这些结构所必须的主要制作工艺技术，重点介绍了Si基和Ⅲ-V族化合物基光电子器件的材料制备（包括各种外延生长技术）、光刻和腐蚀、掺杂、介质膜和金属膜制备、器件和组件的组装和封装等工艺技术。


  本书是编著者多年工作经验之积累，也展示制作工艺中的最新技术，是一部光纤通信用光电子器件较为全面的制作工艺类技术书。该书可供从事光纤通信用光电子器件的设计、研究、制作人员的使用和参考，也可供大专院校光通信、光电子技术专业师生使用和参考。黄章勇，1945年5月22日出生，汉族，浙江义乌市人。现任深圳飞通光电股份有限公司董事、总裁，教授级高级工程师，北京邮电大学兼职教授（博士生导师），哈尔滨工业大学深圳研究生院兼职教授，美国光学学会会员，中国电子学会半导体与集成技术分会委员，信息产业部通信科技第1章器件与工艺技术物理基础

  1.1 能带概念

  1.2 本征半导体与态密度

  1.3 施主与受主

  1.4 杂质电离

  1.5 载流子的运动

  1.6 p-n结

  1.7 p-n结击穿

  1.8 异质结

第2章光电子器件的基本结构及其关键制作工艺

  2.1 激光二级管的基本结构和制作

  2.2 光电探测器的结构和制作

  2.3 半导体放大器的结构和制作

  2.4 光调制器的结构与制作

  2.5 半导体光开关的结构和制作

  2.6 集成光电子器件的结构和制作

第3章光电子器件的材料制备技术

  3.1 基底片制备

  3.2 光电子器件用Si基材料的制备

  3.3 光电子器件用Ⅲ-V族化合物半导体材料和外延生长

  3.4 Ⅲ-V族化合物的液相外延生长

  3.5 Ⅲ-V族化合物的卤化物输运汽相外延生长

  3.6 金属有机化合物汽相淀积

  3.7 分子束外延生长

  3.8 化学束外延生长

  3.9 原子层、分子层外延生长

  3.10 Ⅲ-V族化合物低维半导体材料的制备技术

  3.11 光子晶体薄膜有其制备

  3.12 异质材料的晶片键合技术

  3.13 光电子器件外延层质量检测

第4章光电子器件制作中的光刻和腐蚀

第5章光电子器件的掺杂技术

第6章光电子器件中的介质薄膜及其制备

第7章光电子器件的电极金属膜及其制备

第8章光电子器件和组件的组装和封装

第9章光电子器件在制作和使用中引入缺陷及其缺陷控制和检测

附录英文缩写词

参考文献
内容简介:
本书较全面地介绍了光纤通信用光电子器件和组件的制作工艺（包括工艺理论基础和可供参考的工艺数据）。它从激光二极管、光探测器、光调制器和半导体光放大器等主要光电子器件的结构入手，论述为实现这些结构所必须的主要制作工艺技术，重点介绍了Si基和Ⅲ-V族化合物基光电子器件的材料制备（包括各种外延生长技术）、光刻和腐蚀、掺杂、介质膜和金属膜制备、器件和组件的组装和封装等工艺技术。


  本书是编著者多年工作经验之积累，也展示制作工艺中的最新技术，是一部光纤通信用光电子器件较为全面的制作工艺类技术书。该书可供从事光纤通信用光电子器件的设计、研究、制作人员的使用和参考，也可供大专院校光通信、光电子技术专业师生使用和参考。
作者简介:
黄章勇，1945年5月22日出生，汉族，浙江义乌市人。现任深圳飞通光电股份有限公司董事、总裁，教授级高级工程师，北京邮电大学兼职教授（博士生导师），哈尔滨工业大学深圳研究生院兼职教授，美国光学学会会员，中国电子学会半导体与集成技术分会委员，信息产业部通信科技
目录:
第1章器件与工艺技术物理基础

  1.1 能带概念

  1.2 本征半导体与态密度

  1.3 施主与受主

  1.4 杂质电离

  1.5 载流子的运动

  1.6 p-n结

  1.7 p-n结击穿

  1.8 异质结

第2章光电子器件的基本结构及其关键制作工艺

  2.1 激光二级管的基本结构和制作

  2.2 光电探测器的结构和制作

  2.3 半导体放大器的结构和制作

  2.4 光调制器的结构与制作

  2.5 半导体光开关的结构和制作

  2.6 集成光电子器件的结构和制作

第3章光电子器件的材料制备技术

  3.1 基底片制备

  3.2 光电子器件用Si基材料的制备

  3.3 光电子器件用Ⅲ-V族化合物半导体材料和外延生长

  3.4 Ⅲ-V族化合物的液相外延生长

  3.5 Ⅲ-V族化合物的卤化物输运汽相外延生长

  3.6 金属有机化合物汽相淀积

  3.7 分子束外延生长

  3.8 化学束外延生长

  3.9 原子层、分子层外延生长

  3.10 Ⅲ-V族化合物低维半导体材料的制备技术

  3.11 光子晶体薄膜有其制备

  3.12 异质材料的晶片键合技术

  3.13 光电子器件外延层质量检测

第4章光电子器件制作中的光刻和腐蚀

第5章光电子器件的掺杂技术

第6章光电子器件中的介质薄膜及其制备

第7章光电子器件的电极金属膜及其制备

第8章光电子器件和组件的组装和封装

第9章光电子器件在制作和使用中引入缺陷及其缺陷控制和检测

附录英文缩写词

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