太阳能光伏产业·硅材料系列教材：半导体硅材料基础

太阳能光伏产业·硅材料系列教材：半导体硅材料基础

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作者: 尹建华编 , 李志伟编

出版社: 化学工业出版社

出版时间: 2009-07

版次: 1

ISBN: 9787122055231

定价: 29.00

装帧: 平装

开本: 16开

纸张: 胶版纸

页数: 151页

字数: 232千字

正文语种: 简体中文

分类: 教材教辅考试>教材>高职教材>工程技术

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　　《太阳能光伏产业·硅材料系列教材：半导体硅材料基础》系统地介绍了半导体硅材料的基本性质、与半导体晶体材料相关的晶体几何学、能带理论、微电子学方面的基础理论知识，系统地介绍了作为光伏技术应用的硅材料的制备基础理论知识，为系统学习多晶硅生产技术和单晶硅及硅片加工技术奠定理论基础，是硅材料技术专业的核心教材。
　　《太阳能光伏产业·硅材料系列教材：半导体硅材料基础》可作为高职高专硅材料技术及光伏专业的教材，同时也可作为中专、技校和从事单晶硅生产的企业员工的培训教材，还可供相关专业工程技术人员学习参考。第1章概论
1.1 硅材料工业的发展
1.2 半导体市场及发展
1.3 中国扩建新建多晶硅厂应注意的问题
本章小结
习题第2章半导体材料基本性质
2.1 半导体材料的分类及性质
2.2 硅的物理化学性质
2.3 硅材料的纯度及多晶硅标准
本章小结
习题第3章晶体几何学基础
3.1 晶体结构
3.2 晶向指数
3.3 晶面指数
3.4 立方晶体
3.5 金刚石和硅晶体结构
3.6 倒格子
本章小结
习题第4章晶体缺陷
4.1 点缺陷
4.2 线缺陷
4.3 面缺陷
4.4 体缺陷
本章小结
习题第5章能带理论基础
5.1 能带理论的引入
5.2 半导体中的载流子
5.3 杂质能级
5.4 缺陷能级
5.5 直接能隙与间接能隙
5.6 热平衡下的载流子
本章小结
习题第6章 p-n结
6.1 p-n结的形成
6.2 p-n结的制备
6.3 p-n结的能带结构
6.4 p-n结的特性
本章小结
习题第7章金属-半导体接触和MIS结构
7.1 金属-半导体接触
7.2 欧姆接触
7.3 金属-绝缘层-半导体结构（MIS）
本章小结
习题第8章多晶硅材料的制取
8.1 冶金级硅材料的制取
8.2 高纯多晶硅的制取
8.3 太阳能级多晶硅的制取
本章小结
习题第9章单晶硅的制备
9.1 结晶学基础
9.2 晶核的形成
9.3 区熔法
9.4 直拉法
9.5 杂质分凝和氧污染
9.6 直拉硅中的碳
9.7 直拉硅中的金属杂质
9.8 磁拉法（MCz）
9.9 CCz法（连续加料法）
本章小结
习题第10章其他形态的硅材料
10.1 铸造多晶硅
10.2 带状硅材料
10.3 非晶硅薄膜
10.4 多晶硅薄膜
本章小结
习题第11章化合物半导体材料
11.1 化合物半导体材料特性
11.2 砷化镓（GaAs）
本章小结
习题第12章硅材料的加工
12.1 切去头尾
12.2 外径滚磨
12.3 磨定位面（槽）
12.4 切片
12.5 倒角（或称圆边）
12.6 研磨
12.7 腐蚀
12.8 抛光
12.9 清洗
本章小结
习题
附录
附录1 常用物理量
附录2 一些杂质元素在硅中的平衡分凝系数、溶解度
参考文献
内容简介:
　　《太阳能光伏产业·硅材料系列教材：半导体硅材料基础》系统地介绍了半导体硅材料的基本性质、与半导体晶体材料相关的晶体几何学、能带理论、微电子学方面的基础理论知识，系统地介绍了作为光伏技术应用的硅材料的制备基础理论知识，为系统学习多晶硅生产技术和单晶硅及硅片加工技术奠定理论基础，是硅材料技术专业的核心教材。
　　《太阳能光伏产业·硅材料系列教材：半导体硅材料基础》可作为高职高专硅材料技术及光伏专业的教材，同时也可作为中专、技校和从事单晶硅生产的企业员工的培训教材，还可供相关专业工程技术人员学习参考。
目录:
第1章概论
1.1 硅材料工业的发展
1.2 半导体市场及发展
1.3 中国扩建新建多晶硅厂应注意的问题
本章小结
习题第2章半导体材料基本性质
2.1 半导体材料的分类及性质
2.2 硅的物理化学性质
2.3 硅材料的纯度及多晶硅标准
本章小结
习题第3章晶体几何学基础
3.1 晶体结构
3.2 晶向指数
3.3 晶面指数
3.4 立方晶体
3.5 金刚石和硅晶体结构
3.6 倒格子
本章小结
习题第4章晶体缺陷
4.1 点缺陷
4.2 线缺陷
4.3 面缺陷
4.4 体缺陷
本章小结
习题第5章能带理论基础
5.1 能带理论的引入
5.2 半导体中的载流子
5.3 杂质能级
5.4 缺陷能级
5.5 直接能隙与间接能隙
5.6 热平衡下的载流子
本章小结
习题第6章 p-n结
6.1 p-n结的形成
6.2 p-n结的制备
6.3 p-n结的能带结构
6.4 p-n结的特性
本章小结
习题第7章金属-半导体接触和MIS结构
7.1 金属-半导体接触
7.2 欧姆接触
7.3 金属-绝缘层-半导体结构（MIS）
本章小结
习题第8章多晶硅材料的制取
8.1 冶金级硅材料的制取
8.2 高纯多晶硅的制取
8.3 太阳能级多晶硅的制取
本章小结
习题第9章单晶硅的制备
9.1 结晶学基础
9.2 晶核的形成
9.3 区熔法
9.4 直拉法
9.5 杂质分凝和氧污染
9.6 直拉硅中的碳
9.7 直拉硅中的金属杂质
9.8 磁拉法（MCz）
9.9 CCz法（连续加料法）
本章小结
习题第10章其他形态的硅材料
10.1 铸造多晶硅
10.2 带状硅材料
10.3 非晶硅薄膜
10.4 多晶硅薄膜
本章小结
习题第11章化合物半导体材料
11.1 化合物半导体材料特性
11.2 砷化镓（GaAs）
本章小结
习题第12章硅材料的加工
12.1 切去头尾
12.2 外径滚磨
12.3 磨定位面（槽）
12.4 切片
12.5 倒角（或称圆边）
12.6 研磨
12.7 腐蚀
12.8 抛光
12.9 清洗
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附录
附录1 常用物理量
附录2 一些杂质元素在硅中的平衡分凝系数、溶解度
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