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等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用（高端集成电路制造工艺丛书）

等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用（高端集成电路制造工艺丛书）

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作者: 张海洋著

出版社: 清华大学出版社

出版时间: 2018-03

版次: 1

ISBN: 9787302489597

定价: 128.00

装帧: 平装

开本: 16开

纸张: 胶版纸

页数: 376页

字数: 619千字

正文语种: 简体中文

分类: 工程技术

5 张插图图片

本书共9章，基于公开文献全方位地介绍了低温等离子体蚀刻技术在半导体产业中的应用及潜在发展方向。以低温等离子体蚀刻技术发展史开篇，对传统及已报道的先进等离子体蚀刻技术的基本原理做相应介绍，随后是占据了本书近半篇幅的逻辑和存储器产品中等离子体蚀刻工艺的深度解读。此外，还详述了逻辑产品可靠性及良率与蚀刻工艺的内在联系，聚焦了特殊气体及特殊材料在等离子体蚀刻方面的潜在应用。最后是先进过程控制技术在等离子体蚀刻应用方面的重要性及展望。

本书可以作为从事等离子体蚀刻工艺研究和应用的研究生和工程技术人员的参考书籍。

目录
第1章低温等离子体蚀刻技术发展史
1.1绚丽多彩的等离子体世界
1.2低温等离子体的应用领域
1.3低温等离子体蚀刻技术混沌之初
1.4低温等离子体蚀刻技术世纪初的三国演义
1.5三维逻辑和存储器时代低温等离子体蚀刻技术的变迁
1.6华人在低温等离子体蚀刻机台发展中的卓越贡献
1.7未来低温等离子体蚀刻技术展望
参考文献
第2章低温等离子体蚀刻简介
2.1等离子体的基本概念
2.2低温等离子体蚀刻基本概念
2.3等离子体蚀刻机台简介
2.3.1电容耦合等离子体机台
2.3.2电感耦合等离子体机台
2.3.3电子回旋共振等离子体机台
2.3.4远距等离子体蚀刻机台
2.3.5等离子体边缘蚀刻机台
2.4等离子体先进蚀刻技术简介
2.4.1等离子体脉冲蚀刻技术
2.4.2原子层蚀刻技术
2.4.3中性粒子束蚀刻技术
2.4.4带状束方向性蚀刻技术
2.4.5气体团簇离子束蚀刻技术
参考文献
第3章等离子体蚀刻在逻辑集成电路制造中的应用
3.1逻辑集成电路的发展
3.2浅沟槽隔离蚀刻
3.2.1浅沟槽隔离的背景和概况
3.2.2浅沟槽隔离蚀刻的发展
3.2.3膜层结构对浅沟槽隔离蚀刻的影响
3.2.4浅沟槽隔离蚀刻参数影响
3.2.5浅沟槽隔离蚀刻的重要物理参数及对器件性能的影响
3.2.6鳍式场效应晶体管中鳍(Fin)的自对准双图形的蚀刻
3.2.7鳍式场效应晶体管中的物理性能对器件的影响
3.2.8浅沟槽隔离蚀刻中的负载调节
3.3多晶硅栅极的蚀刻
3.3.1逻辑集成电路中的栅及其材料的演变
3.3.2多晶硅栅极蚀刻
3.3.3台阶高度对多晶硅栅极蚀刻的影响
3.3.4多晶硅栅极的线宽粗糙度
3.3.5多晶硅栅极的双图形蚀刻
3.3.6鳍式场效应晶体管中的多晶硅栅极蚀刻
3.4等离子体蚀刻在锗硅外延生长中的应用
3.4.1西格玛型锗硅沟槽成型控制
3.4.2蚀刻后硅锗沟槽界面对最终西格玛型沟槽形状及
硅锗外延生长的影响
3.5伪栅去除
3.5.1高介电常数金属栅极工艺
3.5.2先栅极工艺和后栅极工艺
3.5.3伪栅去除工艺
3.6偏置侧墙和主侧墙的蚀刻
3.6.1偏置侧墙的发展
3.6.2侧墙蚀刻
3.6.3先进侧墙蚀刻技术
3.6.4侧墙蚀刻对器件的影响
3.7应力临近技术
3.7.1应力临近技术在半导体技术中的应用
3.7.2应力临近技术蚀刻
3.8接触孔的等离子体蚀刻
3.8.1接触孔蚀刻工艺的发展历程
3.8.2接触孔掩膜层蚀刻步骤中蚀刻气体对接触孔尺寸及
圆整度的影响
3.8.3接触孔主蚀刻步骤中源功率和偏置功率对接触孔侧壁
形状的影响
3.8.4接触孔主蚀刻步骤中氧气使用量的影响及优化
3.8.5接触孔蚀刻停止层蚀刻步骤的优化
3.8.6晶圆温度对接触孔蚀刻的影响
3.9后段互连工艺流程及等离子体蚀刻的应用
3.9.1后段互连工艺的发展历程
3.9.2集成电路制造后段互连工艺流程
3.10第一金属连接层的蚀刻
3.10.1第一金属连接层蚀刻工艺的发展历程
3.10.2工艺整合对第一金属连接层蚀刻工艺的要求
3.10.3第一金属连接层蚀刻工艺参数对关键尺寸、轮廓图形及
电性能的影响
3.11通孔的蚀刻
3.11.1工艺整合对通孔蚀刻工艺的要求
3.11.2通孔蚀刻工艺参数对关键尺寸、轮廓图形及电性能的影响
3.12金属硬掩膜层的蚀刻
3.12.1金属硬掩膜层蚀刻参数对负载效应的影响
3.12.2金属硬掩膜层材料应力对负载效应的影响
3.12.3金属硬掩膜层蚀刻侧壁轮廓对负载效应的影响
3.13介电材料沟槽的蚀刻
3.13.1工艺整合对介电材料沟槽蚀刻工艺的要求
3.13.2先通孔工艺流程沟槽蚀刻工艺参数对关键尺寸、
轮廓图形及电性能的影响
3.13.3金属硬掩膜先沟槽工艺流程沟槽蚀刻工艺对关键尺寸、
轮廓图形及电性能的影响
3.14钝化层介电材料的蚀刻
3.15铝垫的金属蚀刻
参考文献
第4章等离子体蚀刻在存储器集成电路制造中的应用
4.1闪存的基本介绍
4.1.1基本概念
4.1.2发展历史
4.1.3工作原理
4.1.4性能
4.1.5主要厂商
4.2等离子体蚀刻在标准浮栅闪存中的应用
4.2.1标准浮栅闪存的浅槽隔离蚀刻工艺
4.2.2标准浮栅闪存的浅槽隔离氧化层回刻工艺
4.2.3标准浮栅闪存的浮栅蚀刻工艺
4.2.4标准浮栅闪存的控制栅极蚀刻工艺
4.2.5标准浮栅闪存的侧墙蚀刻工艺
4.2.6标准浮栅闪存的接触孔蚀刻工艺
4.2.7特殊结构闪存的蚀刻工艺
4.2.8标准浮栅闪存的SADP蚀刻工艺
4.33DNAND关键工艺介绍
4.3.1为何开发3DNAND闪存
4.3.23DNAND的成本优势
4.3.33DNAND中的蚀刻工艺
4.4新型存储器与系统集成芯片
4.4.1SoC芯片市场主要厂商
4.4.2SoC芯片中嵌入式存储器的要求与器件种类
4.5新型相变存储器的介绍及等离子体蚀刻的应用
4.5.1相变存储器的下电极接触孔蚀刻工艺
4.5.2相变存储器的GST蚀刻工艺
4.6新型磁性存储器的介绍及等离子体蚀刻的应用
4.7新型阻变存储器的介绍及等离子体蚀刻的应用
4.8新型存储器存储单元为何多嵌入在后段互连结构中
4.8.1新型存储器存储单元在后段互连结构中的嵌入形式
4.8.2存储单元连接工艺与标准逻辑工艺的异同及影响
参考文献
第5章等离子体蚀刻工艺中的经典缺陷介绍
5.1缺陷的基本介绍
5.2等离子体蚀刻工艺相关的经典缺陷及解决方法
5.2.1蚀刻机台引起的缺陷
5.2.2工艺间的互相影响
5.2.3蚀刻工艺不完善所导致的缺陷
参考文献
第6章特殊气体及低温工艺在等离子体蚀刻中的应用
6.1特殊气体在等离子体蚀刻中的应用
6.1.1气体材料在半导体工业中的应用及分类
6.1.2气体材料在等离子体蚀刻中的应用及解离原理
6.1.3特殊气体等离子体蚀刻及其应用
6.2超低温工艺在等离子体蚀刻中的应用
6.2.1超低温等离子体蚀刻技术简介
6.2.2超低温等离子体蚀刻技术原理分析
6.2.3超低温等离子体蚀刻技术应用
参考文献
内容简介:
本书共9章，基于公开文献全方位地介绍了低温等离子体蚀刻技术在半导体产业中的应用及潜在发展方向。以低温等离子体蚀刻技术发展史开篇，对传统及已报道的先进等离子体蚀刻技术的基本原理做相应介绍，随后是占据了本书近半篇幅的逻辑和存储器产品中等离子体蚀刻工艺的深度解读。此外，还详述了逻辑产品可靠性及良率与蚀刻工艺的内在联系，聚焦了特殊气体及特殊材料在等离子体蚀刻方面的潜在应用。最后是先进过程控制技术在等离子体蚀刻应用方面的重要性及展望。

本书可以作为从事等离子体蚀刻工艺研究和应用的研究生和工程技术人员的参考书籍。
目录:

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第1章低温等离子体蚀刻技术发展史
1.1绚丽多彩的等离子体世界
1.2低温等离子体的应用领域
1.3低温等离子体蚀刻技术混沌之初
1.4低温等离子体蚀刻技术世纪初的三国演义
1.5三维逻辑和存储器时代低温等离子体蚀刻技术的变迁
1.6华人在低温等离子体蚀刻机台发展中的卓越贡献
1.7未来低温等离子体蚀刻技术展望
参考文献
第2章低温等离子体蚀刻简介
2.1等离子体的基本概念
2.2低温等离子体蚀刻基本概念
2.3等离子体蚀刻机台简介
2.3.1电容耦合等离子体机台
2.3.2电感耦合等离子体机台
2.3.3电子回旋共振等离子体机台
2.3.4远距等离子体蚀刻机台
2.3.5等离子体边缘蚀刻机台
2.4等离子体先进蚀刻技术简介
2.4.1等离子体脉冲蚀刻技术
2.4.2原子层蚀刻技术
2.4.3中性粒子束蚀刻技术
2.4.4带状束方向性蚀刻技术
2.4.5气体团簇离子束蚀刻技术
参考文献
第3章等离子体蚀刻在逻辑集成电路制造中的应用
3.1逻辑集成电路的发展
3.2浅沟槽隔离蚀刻
3.2.1浅沟槽隔离的背景和概况
3.2.2浅沟槽隔离蚀刻的发展
3.2.3膜层结构对浅沟槽隔离蚀刻的影响
3.2.4浅沟槽隔离蚀刻参数影响
3.2.5浅沟槽隔离蚀刻的重要物理参数及对器件性能的影响
3.2.6鳍式场效应晶体管中鳍(Fin)的自对准双图形的蚀刻
3.2.7鳍式场效应晶体管中的物理性能对器件的影响
3.2.8浅沟槽隔离蚀刻中的负载调节
3.3多晶硅栅极的蚀刻
3.3.1逻辑集成电路中的栅及其材料的演变
3.3.2多晶硅栅极蚀刻
3.3.3台阶高度对多晶硅栅极蚀刻的影响
3.3.4多晶硅栅极的线宽粗糙度
3.3.5多晶硅栅极的双图形蚀刻
3.3.6鳍式场效应晶体管中的多晶硅栅极蚀刻
3.4等离子体蚀刻在锗硅外延生长中的应用
3.4.1西格玛型锗硅沟槽成型控制
3.4.2蚀刻后硅锗沟槽界面对最终西格玛型沟槽形状及
硅锗外延生长的影响
3.5伪栅去除
3.5.1高介电常数金属栅极工艺
3.5.2先栅极工艺和后栅极工艺
3.5.3伪栅去除工艺
3.6偏置侧墙和主侧墙的蚀刻
3.6.1偏置侧墙的发展
3.6.2侧墙蚀刻
3.6.3先进侧墙蚀刻技术
3.6.4侧墙蚀刻对器件的影响
3.7应力临近技术
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3.7.2应力临近技术蚀刻
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3.8.2接触孔掩膜层蚀刻步骤中蚀刻气体对接触孔尺寸及
圆整度的影响
3.8.3接触孔主蚀刻步骤中源功率和偏置功率对接触孔侧壁
形状的影响
3.8.4接触孔主蚀刻步骤中氧气使用量的影响及优化
3.8.5接触孔蚀刻停止层蚀刻步骤的优化
3.8.6晶圆温度对接触孔蚀刻的影响
3.9后段互连工艺流程及等离子体蚀刻的应用
3.9.1后段互连工艺的发展历程
3.9.2集成电路制造后段互连工艺流程
3.10第一金属连接层的蚀刻
3.10.1第一金属连接层蚀刻工艺的发展历程
3.10.2工艺整合对第一金属连接层蚀刻工艺的要求
3.10.3第一金属连接层蚀刻工艺参数对关键尺寸、轮廓图形及
电性能的影响
3.11通孔的蚀刻
3.11.1工艺整合对通孔蚀刻工艺的要求
3.11.2通孔蚀刻工艺参数对关键尺寸、轮廓图形及电性能的影响
3.12金属硬掩膜层的蚀刻
3.12.1金属硬掩膜层蚀刻参数对负载效应的影响
3.12.2金属硬掩膜层材料应力对负载效应的影响
3.12.3金属硬掩膜层蚀刻侧壁轮廓对负载效应的影响
3.13介电材料沟槽的蚀刻
3.13.1工艺整合对介电材料沟槽蚀刻工艺的要求
3.13.2先通孔工艺流程沟槽蚀刻工艺参数对关键尺寸、
轮廓图形及电性能的影响
3.13.3金属硬掩膜先沟槽工艺流程沟槽蚀刻工艺对关键尺寸、
轮廓图形及电性能的影响
3.14钝化层介电材料的蚀刻
3.15铝垫的金属蚀刻
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第4章等离子体蚀刻在存储器集成电路制造中的应用
4.1闪存的基本介绍
4.1.1基本概念
4.1.2发展历史
4.1.3工作原理
4.1.4性能
4.1.5主要厂商
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4.2.1标准浮栅闪存的浅槽隔离蚀刻工艺
4.2.2标准浮栅闪存的浅槽隔离氧化层回刻工艺
4.2.3标准浮栅闪存的浮栅蚀刻工艺
4.2.4标准浮栅闪存的控制栅极蚀刻工艺
4.2.5标准浮栅闪存的侧墙蚀刻工艺
4.2.6标准浮栅闪存的接触孔蚀刻工艺
4.2.7特殊结构闪存的蚀刻工艺
4.2.8标准浮栅闪存的SADP蚀刻工艺
4.33DNAND关键工艺介绍
4.3.1为何开发3DNAND闪存
4.3.23DNAND的成本优势
4.3.33DNAND中的蚀刻工艺
4.4新型存储器与系统集成芯片
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4.5.1相变存储器的下电极接触孔蚀刻工艺
4.5.2相变存储器的GST蚀刻工艺
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4.8新型存储器存储单元为何多嵌入在后段互连结构中
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4.8.2存储单元连接工艺与标准逻辑工艺的异同及影响
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5.1缺陷的基本介绍
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6.2.3超低温等离子体蚀刻技术应用
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