硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究

硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究
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作者:
2018-12
版次: 1
ISBN: 9787568410304
定价: 35.00
装帧: 平装
开本: 32开
纸张: 胶版纸
页数: 123页
正文语种: 简体中文
分类: 自然科学
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  •   借助STM这个可以提供原子尺度结构和电子态的有 力工具,《硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究》对Sr/Si体系进行了深入的研究,主要 分为以下3个部分:(1)第一部分:Si(100)衬底上的 Sr/Si再构;(2)第二部分:Si(111)衬底上的Sr/Si 再构;(3)第三部分:超薄SrTiO3膜的高温晶化。
  • 内容简介:
      借助STM这个可以提供原子尺度结构和电子态的有 力工具,《硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究》对Sr/Si体系进行了深入的研究,主要 分为以下3个部分:(1)第一部分:Si(100)衬底上的 Sr/Si再构;(2)第二部分:Si(111)衬底上的Sr/Si 再构;(3)第三部分:超薄SrTiO3膜的高温晶化。
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