改性锗半导体物理

改性锗半导体物理
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作者:
2020-12
版次: 1
ISBN: 9787560659510
定价: 20.00
装帧: 其他
开本: 16开
纸张: 胶版纸
页数: 112页
字数: 161千字
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  • 本书共7章,主要介绍了改性锗半导体物理的相关内容,包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗 MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习,可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。
      本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书,也可供其他相关专业的学生参考。
  • 内容简介:
    本书共7章,主要介绍了改性锗半导体物理的相关内容,包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗 MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习,可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。
      本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书,也可供其他相关专业的学生参考。
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