模拟/射频集成电路设计的晶体管级建模（影印版）

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作者: [瑞士] 格宾斯基（Grabinski W.）著

出版社: 科学出版社

出版时间: 2007-01

版次: 1

ISBN: 9787030182418

定价: 45.00

装帧: 平装

开本: 16开

纸张: 胶版纸

页数: 293页

字数: 481千字

正文语种: 英语

丛书: 国外电子信息精品著作

分类: 工程技术

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《模拟/射频集成电路设计的晶体管级建模（影印版）》作者对于MOS晶体管模型有很深刻的理解。第一章涉及2/3D工艺和器件仿真，以此作为理解半导体结构内部行为的有力工具。在接下来的章节中，作者详细讨论了PSP和EKV模型的主流发展，比较了基于物理的MOSFET模型和通常用于射频电路的基于测量的模型，这些比较包括相关的经验模型和测量模型。在后续的章节中，作者讨论了小尺寸MOSFET器件的改善方法。最后，介绍了诸如VHDL-AMS和Verilog-A等硬件描述语言，说明了前述不同模型的实际可实现性及标准化。 Foreword
HiroshiIwai
Introduction
WladekGrabinski，BartNauwelaersandDominiqueSchreurs
12/3-Dprocessanddevicesimulation.Aneffectivetoolforbetterunderstandingofinternalbehaviorofsemiconductorstructures
DanielDonoval，AndrejVrbicky，AlesChvala，andPeterBeno
2PSP：Anadvancedsurface-potential-basedMOSFETmodel
R.vanLangevelde，andG.Gildenblat
3EKV3.0：AnadvancedchargebasedMOStransistormodel.Adesign-orientedMOStransistorcompactmodelfornextgenerationCMOS
MatthiasBucher，AntoniosBazigos，FrancoisKrummenacher，Jean-MicehlSallese，andChristianEnz
4Modellingusinghigh-frequencymeasurements
DominiqueSchreurs
5EmpiricalFETmodels
IltchoAngelov
6ModelingtheSOIMOSFETnonlinearities.Anempiricalapproach
B.Parvais，A.Siligaris
7CircuitlevelRFmodelinganddesign
NobuyukiItoh
8Onincorporatingparasiticquantumeffectsinclassicalcircuitsimulations
FrankFelgenhauer，MaikBegoinandWolfgangMathis
9CompactmodelingoftheMOSFETinVHDL-AMS
ChristopheLallement，FrancoisPecheux，AlainVachouxandFabienPregaldiny
10CompactmodelinginVerilog-A
BorisTroyanovsky，PatrickOHalloranandMarekMierzwinski
Index
内容简介:
《模拟/射频集成电路设计的晶体管级建模（影印版）》作者对于MOS晶体管模型有很深刻的理解。第一章涉及2/3D工艺和器件仿真，以此作为理解半导体结构内部行为的有力工具。在接下来的章节中，作者详细讨论了PSP和EKV模型的主流发展，比较了基于物理的MOSFET模型和通常用于射频电路的基于测量的模型，这些比较包括相关的经验模型和测量模型。在后续的章节中，作者讨论了小尺寸MOSFET器件的改善方法。最后，介绍了诸如VHDL-AMS和Verilog-A等硬件描述语言，说明了前述不同模型的实际可实现性及标准化。
目录:
Foreword
HiroshiIwai
Introduction
WladekGrabinski，BartNauwelaersandDominiqueSchreurs
12/3-Dprocessanddevicesimulation.Aneffectivetoolforbetterunderstandingofinternalbehaviorofsemiconductorstructures
DanielDonoval，AndrejVrbicky，AlesChvala，andPeterBeno
2PSP：Anadvancedsurface-potential-basedMOSFETmodel
R.vanLangevelde，andG.Gildenblat
3EKV3.0：AnadvancedchargebasedMOStransistormodel.Adesign-orientedMOStransistorcompactmodelfornextgenerationCMOS
MatthiasBucher，AntoniosBazigos，FrancoisKrummenacher，Jean-MicehlSallese，andChristianEnz
4Modellingusinghigh-frequencymeasurements
DominiqueSchreurs
5EmpiricalFETmodels
IltchoAngelov
6ModelingtheSOIMOSFETnonlinearities.Anempiricalapproach
B.Parvais，A.Siligaris
7CircuitlevelRFmodelinganddesign
NobuyukiItoh
8Onincorporatingparasiticquantumeffectsinclassicalcircuitsimulations
FrankFelgenhauer，MaikBegoinandWolfgangMathis
9CompactmodelingoftheMOSFETinVHDL-AMS
ChristopheLallement，FrancoisPecheux，AlainVachouxandFabienPregaldiny
10CompactmodelinginVerilog-A
BorisTroyanovsky，PatrickOHalloranandMarekMierzwinski
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