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微电子制造原理与工艺

微电子制造原理与工艺

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作者: 张威

出版社: 哈尔滨工业大学出版社

出版时间: 2020-11

版次: 1

ISBN: 9787560390567

定价: 44.00

装帧: 其他

开本: 16开

纸张: 胶版纸

页数: 314页

字数: 480千字

分类: 教材教辅考试>教材>大学教材>工程技术

15人买过

本书首先介绍微电子的技术背景、工艺现状以及发展趋势，并阐述作为半导体衬底材料的单晶硅的生长方法及硅片的制作工艺；然后从基本原理和工艺过程两方面，阐述热氧化、热扩散、离子注入、光刻、刻蚀、蒸发、溅射、化学气相淀积、外延等微电子制造单项工艺过程；再以典型互补金属氧化物半导体（CMOS）器件为例，介绍制造完整器件并实现集成电路中各器件间隔离和金属化互连的关键工艺技术以及工艺集成的具体步骤；*后介绍工艺监控及电学测试方法。
本书适合作为普通高等学校电子封装技术、电子科学与技术、微电子技术等专业高年级本科生和研究生的专业课教材，也可作为微电子制造领域及相关专业工程技术人员的参考书。目录

第1章绪论

1.1 微电子制造的基本概念

1.2 微电子制造技术的发展历史

1.3微电子制造技术的发展趋势

1.4本书的内容安排

第2章硅衬底

2.1 单晶硅特性

2.2 硅片的制备

第3章氧化与掺杂

3.1 热氧化

3.2热扩散

3.3离子注入

第4章图形转移

4.1光刻

4.2刻蚀

第5章薄膜制备

5.1物理气相淀积

5.2化学气相淀积

5.3外延

第6章工艺集成

6.1 MOS器件简介

6.2 CMOS工艺技术

6.3 CMOS工艺流程

第7章监控与测试

7.1 工艺监控

7.2 测试技术

文考文献
内容简介:
本书首先介绍微电子的技术背景、工艺现状以及发展趋势，并阐述作为半导体衬底材料的单晶硅的生长方法及硅片的制作工艺；然后从基本原理和工艺过程两方面，阐述热氧化、热扩散、离子注入、光刻、刻蚀、蒸发、溅射、化学气相淀积、外延等微电子制造单项工艺过程；再以典型互补金属氧化物半导体（CMOS）器件为例，介绍制造完整器件并实现集成电路中各器件间隔离和金属化互连的关键工艺技术以及工艺集成的具体步骤；*后介绍工艺监控及电学测试方法。
本书适合作为普通高等学校电子封装技术、电子科学与技术、微电子技术等专业高年级本科生和研究生的专业课教材，也可作为微电子制造领域及相关专业工程技术人员的参考书。
目录:
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第1章绪论

1.1 微电子制造的基本概念

1.2 微电子制造技术的发展历史

1.3微电子制造技术的发展趋势

1.4本书的内容安排

第2章硅衬底

2.1 单晶硅特性

2.2 硅片的制备

第3章氧化与掺杂

3.1 热氧化

3.2热扩散

3.3离子注入

第4章图形转移

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4.2刻蚀

第5章薄膜制备

5.1物理气相淀积

5.2化学气相淀积

5.3外延

第6章工艺集成

6.1 MOS器件简介

6.2 CMOS工艺技术

6.3 CMOS工艺流程

第7章监控与测试

7.1 工艺监控

7.2 测试技术

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