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微电子专业英语

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作者: 编
出版社: 电子工业出版社
2012-09
版次: 1
ISBN: 9787121177606
定价: 39.80
装帧: 平装
开本: 16开
纸张: 胶版纸
页数: 336页
分类: 语言文字
3 张插图图片
193人买过
  • 本书以英文的形式介绍了微电子学和集成电路设计的相关技术。全书共分四部分：第一部分为半导体物理基础知识，包括晶格结构、能带结构、载流子浓度和输运等；第二部分介绍半导体器件物理基础理论，包括pn结、肖特基二极管、异质结二极管、双极型晶体管和场效应晶体管；第三部分简要阐述半导体集成电路的设计过程和设计方法；第四部分介绍
    半导体集成电路的制造工艺。
    本书可作为高等学校微电子学、集成电路设计及相关专业的“专业英语”课程的教材，也可作为从事微电子和集成电路相关科研和工程技术人员的参考书。 目录

    Session1IntroductiontoSemiconductor
    1.1WhatisSemiconductor
    1.2ClassificationofSemiconductor
    ReadingMaterials
    Session2CrystalStructure
    2.1PrimitiveCellandCrystalPlane
    2.2AtomicBonding
    ReadingMaterials
    Session3BandModel
    3.1IntroductiontoQuantumMechanics
    3.2Band
    3.3EffectiveMassTheory
    ReadingMaterials
    Session4TheSemiconductorinEquilibrium
    4.1ChargeCarriersinSemiconductor
    4.2IntrinsicSemiconductor
    4.3ExtrinsicSemiconductor
    ReadingMaterials
    Session5CarrierTransport
    5.1OverviewofCarrierTransport
    5.2LowFieldTransport
    5.3HighFieldTransport
    5.4DiffusionCurrent
    Session6NonequilibriumExcessCarriersinSemiconductor
    6.1Recombination
    6.2MinorityCarrierLifetime
    6.3AmbipolarTransport
    ReadingMaterials
    Session7ThepnJunction（Ⅰ）
    7.1Introduction
    7.2BasicStructureofthepnJunction
    7.3EnergyBandsforapnJunction
    7.4IdealCurrentVoltageRelationship
    7.5CharacteristicsofaPracticalDiode
    ReadingMaterials
    Session8ThepnJunction（Ⅱ）
    8.1BreakdowninpnJunction
    8.2SmallSignalDiffusionResistanceofthepnJunction
    8.3JunctionCapacitance
    8.4DiffusionorStorageCapacitance
    8.5DiodeTransients
    8.6CircuitModelsforJunctionDiodes
    ReadingMaterials
    Session9MetalSemiconductorContacts
    9.1SchottkyContacts
    9.2OhmicContacts
    ReadingMaterials
    Session10Heterojunctions
    10.1StrainandStressatHeterointerfaces
    10.2HeterojunctionMaterials
    10.3EnergyBandDiagrams
    ReadingMaterials.
    Session11TheBipolarJunctionTransistor（Ⅰ）
    11.1TheBipolarJunctionTransistorConstruction
    11.2TransistorAction
    11.3NonidealEffects
    11.4BaseResistance
    ReadingMaterials
    Session12TheBipolarJunctionTransistor(Ⅱ)
    12.1BreakdownVoltage
    12.2FrequencyLimitsofBJT
    12.3TheSchottkyClampedTransistor
    12.4SmallsignalTransistorModel
    ReadingMaterials
    Session13BasicsofMOSFETs
    13.1Introduction
    13.2GeneralCharacteristicsofaMOSFET
    13.3MOSSystem
    13.4WorkFunctionDifferences
    13.5FlatBandVoltage
    13.6ThresholdVoltage
    ReadingMaterials
    Session14NonidealEffectsofMOSFETs
    14.1Introduction
    14.2EffectiveMobility
    14.3VelocitySaturation
    14.4ChannellengthModulation
    14.5DIBL
    14.6HotcarrierEffect
    14.7GIDL
    ReadingMaterials
    Session15AdvancedMOSFETDevices
    15.1Introduction
    15.2ChannelDopingProfile
    15.3GateStack
    15.4Source/DrainDesign
    15.5SchottkyBarrierSource/Drain
    15.6RaisedSource/Drain
    15.7SOI
    15.8ThreeDimensionalStructure
    ReadingMaterials
    Session16IntroductiontoIntegratedCircuits
    16.1Introduction
    16.2SizeandComplexityofIntegratedCircuits
    16.3SemiconductorDeviceforIntegratedCircuits
    16.4ICDesignProcess
    ReadingMaterials
    Session17AnalogIntegratedCircuitsDesign
    17.1Introduction
    17.2AnalogSignalProcessing
    17.3CMOSTechnology
    17.4Amplifiers
    17.5DifferentialAmplifiers
    17.6OperationalAmplifiers
    17.7CharacterizationofOpAmps
    ReadingMaterials
    Session18DigitalIntegratedCircuitsDesign
    18.1Introduction
    18.2TheStaticCMOSInverter
    18.3DesigningCombinationalLogicGatesinCMOS
    ReadingMaterials
    Session19RadioFrequencyIntegratedCircuitsDesign
    19.1Introduction
    19.2RFSystemPerformanceMetrics
    19.3RFTransceiverArchitectures
    19.4RFPassiveComponent
  • 内容简介:
    本书以英文的形式介绍了微电子学和集成电路设计的相关技术。全书共分四部分：第一部分为半导体物理基础知识，包括晶格结构、能带结构、载流子浓度和输运等；第二部分介绍半导体器件物理基础理论，包括pn结、肖特基二极管、异质结二极管、双极型晶体管和场效应晶体管；第三部分简要阐述半导体集成电路的设计过程和设计方法；第四部分介绍
    半导体集成电路的制造工艺。
    本书可作为高等学校微电子学、集成电路设计及相关专业的“专业英语”课程的教材，也可作为从事微电子和集成电路相关科研和工程技术人员的参考书。
  • 目录:
    目录

    Session1IntroductiontoSemiconductor
    1.1WhatisSemiconductor
    1.2ClassificationofSemiconductor
    ReadingMaterials
    Session2CrystalStructure
    2.1PrimitiveCellandCrystalPlane
    2.2AtomicBonding
    ReadingMaterials
    Session3BandModel
    3.1IntroductiontoQuantumMechanics
    3.2Band
    3.3EffectiveMassTheory
    ReadingMaterials
    Session4TheSemiconductorinEquilibrium
    4.1ChargeCarriersinSemiconductor
    4.2IntrinsicSemiconductor
    4.3ExtrinsicSemiconductor
    ReadingMaterials
    Session5CarrierTransport
    5.1OverviewofCarrierTransport
    5.2LowFieldTransport
    5.3HighFieldTransport
    5.4DiffusionCurrent
    Session6NonequilibriumExcessCarriersinSemiconductor
    6.1Recombination
    6.2MinorityCarrierLifetime
    6.3AmbipolarTransport
    ReadingMaterials
    Session7ThepnJunction（Ⅰ）
    7.1Introduction
    7.2BasicStructureofthepnJunction
    7.3EnergyBandsforapnJunction
    7.4IdealCurrentVoltageRelationship
    7.5CharacteristicsofaPracticalDiode
    ReadingMaterials
    Session8ThepnJunction（Ⅱ）
    8.1BreakdowninpnJunction
    8.2SmallSignalDiffusionResistanceofthepnJunction
    8.3JunctionCapacitance
    8.4DiffusionorStorageCapacitance
    8.5DiodeTransients
    8.6CircuitModelsforJunctionDiodes
    ReadingMaterials
    Session9MetalSemiconductorContacts
    9.1SchottkyContacts
    9.2OhmicContacts
    ReadingMaterials
    Session10Heterojunctions
    10.1StrainandStressatHeterointerfaces
    10.2HeterojunctionMaterials
    10.3EnergyBandDiagrams
    ReadingMaterials.
    Session11TheBipolarJunctionTransistor（Ⅰ）
    11.1TheBipolarJunctionTransistorConstruction
    11.2TransistorAction
    11.3NonidealEffects
    11.4BaseResistance
    ReadingMaterials
    Session12TheBipolarJunctionTransistor(Ⅱ)
    12.1BreakdownVoltage
    12.2FrequencyLimitsofBJT
    12.3TheSchottkyClampedTransistor
    12.4SmallsignalTransistorModel
    ReadingMaterials
    Session13BasicsofMOSFETs
    13.1Introduction
    13.2GeneralCharacteristicsofaMOSFET
    13.3MOSSystem
    13.4WorkFunctionDifferences
    13.5FlatBandVoltage
    13.6ThresholdVoltage
    ReadingMaterials
    Session14NonidealEffectsofMOSFETs
    14.1Introduction
    14.2EffectiveMobility
    14.3VelocitySaturation
    14.4ChannellengthModulation
    14.5DIBL
    14.6HotcarrierEffect
    14.7GIDL
    ReadingMaterials
    Session15AdvancedMOSFETDevices
    15.1Introduction
    15.2ChannelDopingProfile
    15.3GateStack
    15.4Source/DrainDesign
    15.5SchottkyBarrierSource/Drain
    15.6RaisedSource/Drain
    15.7SOI
    15.8ThreeDimensionalStructure
    ReadingMaterials
    Session16IntroductiontoIntegratedCircuits
    16.1Introduction
    16.2SizeandComplexityofIntegratedCircuits
    16.3SemiconductorDeviceforIntegratedCircuits
    16.4ICDesignProcess
    ReadingMaterials
    Session17AnalogIntegratedCircuitsDesign
    17.1Introduction
    17.2AnalogSignalProcessing
    17.3CMOSTechnology
    17.4Amplifiers
    17.5DifferentialAmplifiers
    17.6OperationalAmplifiers
    17.7CharacterizationofOpAmps
    ReadingMaterials
    Session18DigitalIntegratedCircuitsDesign
    18.1Introduction
    18.2TheStaticCMOSInverter
    18.3DesigningCombinationalLogicGatesinCMOS
    ReadingMaterials
    Session19RadioFrequencyIntegratedCircuitsDesign
    19.1Introduction
    19.2RFSystemPerformanceMetrics
    19.3RFTransceiverArchitectures
    19.4RFPassiveComponent
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