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多层膜集成结构体声波谐振器（英文版）

多层膜集成结构体声波谐振器（英文版）
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作者: 著 , 著
出版社: 上海交通大学出版社
2012-12
版次: 1
ISBN: 9787313087362
定价: 68.00
装帧: 精装
开本: 16开
纸张: 胶版纸
页数: 152页
字数: 214千字
正文语种: 英语
分类: 工程技术
1 张插图图片
4人买过
  • 　　MultilayerIntegratedFilmBulkAcousticResonatorsmainlyintroducesthetheory，design，fabricationtechnologyandapplicationofarecentlydevel-opednewtypeofdevice，multilayerintegratedfilmbulkacousticresona-tors，atthemicroandnanoscaleinvolvingmicroelectronicdevices，integratedarcuits，opticaldevices，sensorsandactuators，acousticresona-tors，micro-nanomanufacturing，multilayerintegration，devicetheoryanddesignprinaples，etc.Thesedevicescanworkatveryhighfrequenciesbyusingthenewlydevelopedtheory，design，andfabricationtechnologyofnanoandmicrodevices.
    　　ReadersinfieldsofIC，electronicdevices，sensors，materials，andfilmsetc.willbenefitfromthisbookbylearningthedetailedfundamentalsandpotentialapplicationsoftheseadvanceddevices.
    　　Prof.YafeiZhangisthedirectoroftheMinistryofEducation'sKeyLabora-toryforTlhinFilmsandMicrofabricationTechnology，PRC;Dr.DaChenwasaPhDstudentinProf.YafeiZhang'sresearchgroup. Chapter1Introduction
    1.1RFFiltersinGHzWirelessApplications
    1.1.1TheRequirementofRFFilters
    1.1.2TypesofRFFilters.
    1.2BulkAcousticWave（BAW）ResonatorandItsDevelopment
    1.2.BAWResonator
    1.2.2MicroElectromechanicalSystems（MEMS）AppliedinBAW
    1.3ThePrincipleandConfigurationsofFBAR
    1.3.1ThePrincipleofFBAR
    1.3.2TypicalFBARConfigurations
    1.3.3CurrentStatusofFBARFilters
    1.4TheApplicationofFBARinMassLoadingSensors
    1.4.1AcousticResonantMassSensors
    1.4.2FBARMassLoadingSensors
    1.5OverviewoftheChapters
    References

    Chapter2PropagationofAcousticWaveinCrystals
    2.1TheEquationofAcousticPlaneWave
    2.1.1TheEquationofElasticDeformation
    2.1.2ChristoffelEquation
    2.2PropagationofPlaneWaveinIsotropicMedium
    2.3PropagationofPlaneWaveinAnisotropicMedium
    2.3.1DispersionRelationandInverseVelocityFace
    2.3.2TheSolutionofWaveEquationinCubicCrystal
    2.4PiezoelectricallyActiveWavePropagation
    2.5ThePlaneWavePropagatinginPiezoelectricHexagonalCrystal
    References

    Chapter3TheTheoryofFBAR
    3.1TheElectricImpedanceoftheIdealFBAR
    3.1.1TheAnalyticExpressionoftheElectricImpedance
    3.1.2TheResonanceofFBAR
    3.2TheElectricImpedanceoftheCompoundFBAR
    3.2.1TheDefinitionoftheAcousticImpedance
    3.2.2TheBoundaryConditionofCompoundFBAR
    3.3TheLossandPerformancesofFBAR
    3.4TheEquivalentElectromechanicalModeofFBAR
    3.4.1TheEquivalentModeoftheLayers
    3.4.2TheUniversalEquivalentModeofFBAR
    3.4.3TheEquivalentCircuitNearstheResonanceofFBAR
    3.5TheCalculatedInfluenceoftheMaterialsandStructureontheDevicePerformance
    3.5.1TheEffectsoftheElectrode......
    3.5.2TheInfluencesof'SupportingLayerandtheResidueSiliconLayer
    References

    Chapter4TheDepositionandEtchingofAINFilm
    4.1DepositionofAINFilmbyRFMagnetronSputtering
    4.1.1Introduction
    4.1.2Experimental
    4.1.3TheEffectofRFPowerontheFilmTexture
    4.1.4TheInfluenceofAmbitPressureandtheRatioofN2/ArontheFilmStructure
    4.1.5TheInfluenceoftheSubstrateTemperatureontheFilmTexture
    4.1.6TheMicrostructureandChemicalComponent
    4.2TheScructuralCharacreristicsofAINFilmsDepositedonDiff'erentEleccrodes
    4.3DryEtchingofAINFilmsUsingFluoridePlasma
    4.3.1TheDryEtchingofAINFilms..
    4.3.2Experimental
    4.3.3TheEtchingRate
    4.3.4TheMorphologies
    4.3.5TheEtchingMechanism.
    4.4TheWetEtchingofAIN
    4.4.1TheWetEtchingProcess
    4.4.2Experimental
    4.4.3TheInfluenceoftheFilmTexture
    4.4.4TheEffectsofCrystalQuality
    References

    Chapter5TheFBARwithMembraneStructure
    Chapter6SolidlyMountedAcousticResonator
    Chapter7TheApplicationsofFBARinRFFilters
    Chapter8TheFBARExcitedbyLateralFiled
    Chapter9HighSensitiveSensorsBasedonFBAR
    Index
  • 内容简介:
    　　MultilayerIntegratedFilmBulkAcousticResonatorsmainlyintroducesthetheory，design，fabricationtechnologyandapplicationofarecentlydevel-opednewtypeofdevice，multilayerintegratedfilmbulkacousticresona-tors，atthemicroandnanoscaleinvolvingmicroelectronicdevices，integratedarcuits，opticaldevices，sensorsandactuators，acousticresona-tors，micro-nanomanufacturing，multilayerintegration，devicetheoryanddesignprinaples，etc.Thesedevicescanworkatveryhighfrequenciesbyusingthenewlydevelopedtheory，design，andfabricationtechnologyofnanoandmicrodevices.
    　　ReadersinfieldsofIC，electronicdevices，sensors，materials，andfilmsetc.willbenefitfromthisbookbylearningthedetailedfundamentalsandpotentialapplicationsoftheseadvanceddevices.
    　　Prof.YafeiZhangisthedirectoroftheMinistryofEducation'sKeyLabora-toryforTlhinFilmsandMicrofabricationTechnology，PRC;Dr.DaChenwasaPhDstudentinProf.YafeiZhang'sresearchgroup.
  • 目录:
    Chapter1Introduction
    1.1RFFiltersinGHzWirelessApplications
    1.1.1TheRequirementofRFFilters
    1.1.2TypesofRFFilters.
    1.2BulkAcousticWave（BAW）ResonatorandItsDevelopment
    1.2.BAWResonator
    1.2.2MicroElectromechanicalSystems（MEMS）AppliedinBAW
    1.3ThePrincipleandConfigurationsofFBAR
    1.3.1ThePrincipleofFBAR
    1.3.2TypicalFBARConfigurations
    1.3.3CurrentStatusofFBARFilters
    1.4TheApplicationofFBARinMassLoadingSensors
    1.4.1AcousticResonantMassSensors
    1.4.2FBARMassLoadingSensors
    1.5OverviewoftheChapters
    References

    Chapter2PropagationofAcousticWaveinCrystals
    2.1TheEquationofAcousticPlaneWave
    2.1.1TheEquationofElasticDeformation
    2.1.2ChristoffelEquation
    2.2PropagationofPlaneWaveinIsotropicMedium
    2.3PropagationofPlaneWaveinAnisotropicMedium
    2.3.1DispersionRelationandInverseVelocityFace
    2.3.2TheSolutionofWaveEquationinCubicCrystal
    2.4PiezoelectricallyActiveWavePropagation
    2.5ThePlaneWavePropagatinginPiezoelectricHexagonalCrystal
    References

    Chapter3TheTheoryofFBAR
    3.1TheElectricImpedanceoftheIdealFBAR
    3.1.1TheAnalyticExpressionoftheElectricImpedance
    3.1.2TheResonanceofFBAR
    3.2TheElectricImpedanceoftheCompoundFBAR
    3.2.1TheDefinitionoftheAcousticImpedance
    3.2.2TheBoundaryConditionofCompoundFBAR
    3.3TheLossandPerformancesofFBAR
    3.4TheEquivalentElectromechanicalModeofFBAR
    3.4.1TheEquivalentModeoftheLayers
    3.4.2TheUniversalEquivalentModeofFBAR
    3.4.3TheEquivalentCircuitNearstheResonanceofFBAR
    3.5TheCalculatedInfluenceoftheMaterialsandStructureontheDevicePerformance
    3.5.1TheEffectsoftheElectrode......
    3.5.2TheInfluencesof'SupportingLayerandtheResidueSiliconLayer
    References

    Chapter4TheDepositionandEtchingofAINFilm
    4.1DepositionofAINFilmbyRFMagnetronSputtering
    4.1.1Introduction
    4.1.2Experimental
    4.1.3TheEffectofRFPowerontheFilmTexture
    4.1.4TheInfluenceofAmbitPressureandtheRatioofN2/ArontheFilmStructure
    4.1.5TheInfluenceoftheSubstrateTemperatureontheFilmTexture
    4.1.6TheMicrostructureandChemicalComponent
    4.2TheScructuralCharacreristicsofAINFilmsDepositedonDiff'erentEleccrodes
    4.3DryEtchingofAINFilmsUsingFluoridePlasma
    4.3.1TheDryEtchingofAINFilms..
    4.3.2Experimental
    4.3.3TheEtchingRate
    4.3.4TheMorphologies
    4.3.5TheEtchingMechanism.
    4.4TheWetEtchingofAIN
    4.4.1TheWetEtchingProcess
    4.4.2Experimental
    4.4.3TheInfluenceoftheFilmTexture
    4.4.4TheEffectsofCrystalQuality
    References

    Chapter5TheFBARwithMembraneStructure
    Chapter6SolidlyMountedAcousticResonator
    Chapter7TheApplicationsofFBARinRFFilters
    Chapter8TheFBARExcitedbyLateralFiled
    Chapter9HighSensitiveSensorsBasedonFBAR
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