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微电子器件基础

微电子器件基础
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作者:
出版社: 哈尔滨工业大学出版社
2020-09
版次: 1
ISBN: 9787560385952
定价: 59.80
装帧: 其他
开本: 16开
纸张: 胶版纸
分类: 教材教辅考试>教材>大学教材>工程技术
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  • 　《微电子器件基础》重点介绍pn结二极管、双极型晶体管和场效应晶体管的基本结构、工作原理、直流特性、频率特性、功率特性和开关特性，以及描述这些特性的有关参数；简要介绍晶闸管、异质结双极晶体管、静电感应晶体管、绝缘栅双极晶体管、单结晶体管、双极反型沟道场效应晶体管和穿通型晶体管等微电子器件的基本概念、结构和工作原理。《微电子器件基础》配有PPT等教学资源。《微电子器件基础》可作为普通高等学校电子科学与技术、集成电路设计、微电子学等专业本科生相关课程的教材，也可供相关专业本科生、研究生以及从事微电子技术相关工作的科研及工程技术人员阅读参考。 章 pn结二极管

    1．1 pn结的形成及平衡状态

    1．2 pn结的直流特性

    1．3 pn结空间电荷区和势垒电容

    1．4 pn结的小信号交流特性

    1．5 pn结的击穿特性

    1．6 pn结二极管的开关特性

    1．7 pn结二极管的其他类型

    思考与练习

    第2章 双极型晶体管的直流特性

    2．1 晶体管的基本结构和杂质分布

    2．2 晶体管的放大机理

    2．3 晶体管的直流伏安特性及电流增益

    2．4 晶体管的反向电流及击穿电压

    2．5 双极型晶体管的直流特性曲线

    2．6 基极电阻

    2．7 埃伯尔斯-莫尔（Ebers-Moll)模型

    思考与练习

    第3章 双极型晶体管的频率特性

    3．1 晶体管交流电流放大系数与频率参数

    3．2 晶体管交流特性的理论分析

    3．3 晶体管的高频参数及等效电路

    3．4 高频下晶体管中载流子的输运及中间参数

    3．5 晶体管电流放大系数的频率关系

    3．6 晶体管的高频功率增益和最高振荡频率

    3．7 工作条件对晶体管fr、Kpm的影响

    思考与练习

    第4章 双极型晶体管的功率特性

    4．1 集电极优选允许工作电流IcM

    4．2 基区大注人效应对电流放大系数的影响

    4．3 有效基区扩展效应

    4．4 发射极电流集边效应

    4．5 晶体管优选耗散功率PcM

    4．6 二次击穿和安全工作区

    思考与练习

    第5章 双极型晶体管的开关特性

    5．1 开关晶体管的静态特性

    5．2 晶体管的开关过程和开关时间

    5．3 开关晶体管的正向压降和饱和压降

    思考与练习

    第6章 结型栅场效应晶体管

    6．1 JFET基本结构和工作原理

    6．2 JFET的直流特性与低频小信号参数

    6．3 JFET的交流特性

    6．4 JFET的功率特性

    6．5 JFET和MESFET结构举例

    思考与练习

    第7章 MOS场效应晶体管

    7．1 MOSFET基本结构和工作原理

    7．2 MOSFET的阈值电压

    7．3 MOSFET的伏安特性和直流特性曲线

    7．4 MOSFET的频率特性

    7．5 MOSFET的功率特性和功率MOSFET的结构

    7．6 MOSFET的开关特性

    7．7 MOSFET的击穿特性

    7．8 MOSFET的温度特性

    7．9 MOSFET的短沟道和窄沟道效应

    思考与练习

    第8章 晶体管的噪声特性

    8．1 晶体管的噪声和噪声系数

    8．2 晶体管的噪声源

    8．3 pn结二极管的噪声

    8．4 双极型晶体管的噪声特性

    8．5 JFET和MESFET的噪声特性

    8．6 MOSFET的噪声特性

    思考与练习

    第9章 其他类型的微电子器件

    9．1 晶闸管

    9．2 异质结双极晶体管

    9．3 静电感应晶体管

    9．4 绝缘栅双极晶体管

    9．5 单结晶体管

    9．6 双极反型沟道场效应晶体管

    9．7 穿通型晶体管

    附录

    附录I 常温下主要半导体的物理性质

    附录Ⅱ 常用介质膜的物理参数

    附录Ⅲ 常用物理常数表

    附录Ⅳ 硅电阻率与杂质浓度的关系(300K)

    附录V 硅中迁移率与杂质浓度的关系

    附录Ⅵ 扩散结势垒电容和势垒宽度关系曲线

    附录VII 硅中扩散层平均电导与表面浓度、结深关系

    附录VIII 半导体分立器件型号命名法

    参考文献
  • 内容简介:
    　《微电子器件基础》重点介绍pn结二极管、双极型晶体管和场效应晶体管的基本结构、工作原理、直流特性、频率特性、功率特性和开关特性，以及描述这些特性的有关参数；简要介绍晶闸管、异质结双极晶体管、静电感应晶体管、绝缘栅双极晶体管、单结晶体管、双极反型沟道场效应晶体管和穿通型晶体管等微电子器件的基本概念、结构和工作原理。《微电子器件基础》配有PPT等教学资源。《微电子器件基础》可作为普通高等学校电子科学与技术、集成电路设计、微电子学等专业本科生相关课程的教材，也可供相关专业本科生、研究生以及从事微电子技术相关工作的科研及工程技术人员阅读参考。
  • 目录:
    章 pn结二极管

    1．1 pn结的形成及平衡状态

    1．2 pn结的直流特性

    1．3 pn结空间电荷区和势垒电容

    1．4 pn结的小信号交流特性

    1．5 pn结的击穿特性

    1．6 pn结二极管的开关特性

    1．7 pn结二极管的其他类型

    思考与练习

    第2章 双极型晶体管的直流特性

    2．1 晶体管的基本结构和杂质分布

    2．2 晶体管的放大机理

    2．3 晶体管的直流伏安特性及电流增益

    2．4 晶体管的反向电流及击穿电压

    2．5 双极型晶体管的直流特性曲线

    2．6 基极电阻

    2．7 埃伯尔斯-莫尔（Ebers-Moll)模型

    思考与练习

    第3章 双极型晶体管的频率特性

    3．1 晶体管交流电流放大系数与频率参数

    3．2 晶体管交流特性的理论分析

    3．3 晶体管的高频参数及等效电路

    3．4 高频下晶体管中载流子的输运及中间参数

    3．5 晶体管电流放大系数的频率关系

    3．6 晶体管的高频功率增益和最高振荡频率

    3．7 工作条件对晶体管fr、Kpm的影响

    思考与练习

    第4章 双极型晶体管的功率特性

    4．1 集电极优选允许工作电流IcM

    4．2 基区大注人效应对电流放大系数的影响

    4．3 有效基区扩展效应

    4．4 发射极电流集边效应

    4．5 晶体管优选耗散功率PcM

    4．6 二次击穿和安全工作区

    思考与练习

    第5章 双极型晶体管的开关特性

    5．1 开关晶体管的静态特性

    5．2 晶体管的开关过程和开关时间

    5．3 开关晶体管的正向压降和饱和压降

    思考与练习

    第6章 结型栅场效应晶体管

    6．1 JFET基本结构和工作原理

    6．2 JFET的直流特性与低频小信号参数

    6．3 JFET的交流特性

    6．4 JFET的功率特性

    6．5 JFET和MESFET结构举例

    思考与练习

    第7章 MOS场效应晶体管

    7．1 MOSFET基本结构和工作原理

    7．2 MOSFET的阈值电压

    7．3 MOSFET的伏安特性和直流特性曲线

    7．4 MOSFET的频率特性

    7．5 MOSFET的功率特性和功率MOSFET的结构

    7．6 MOSFET的开关特性

    7．7 MOSFET的击穿特性

    7．8 MOSFET的温度特性

    7．9 MOSFET的短沟道和窄沟道效应

    思考与练习

    第8章 晶体管的噪声特性

    8．1 晶体管的噪声和噪声系数

    8．2 晶体管的噪声源

    8．3 pn结二极管的噪声

    8．4 双极型晶体管的噪声特性

    8．5 JFET和MESFET的噪声特性

    8．6 MOSFET的噪声特性

    思考与练习

    第9章 其他类型的微电子器件

    9．1 晶闸管

    9．2 异质结双极晶体管

    9．3 静电感应晶体管

    9．4 绝缘栅双极晶体管

    9．5 单结晶体管

    9．6 双极反型沟道场效应晶体管

    9．7 穿通型晶体管

    附录

    附录I 常温下主要半导体的物理性质

    附录Ⅱ 常用介质膜的物理参数

    附录Ⅲ 常用物理常数表

    附录Ⅳ 硅电阻率与杂质浓度的关系(300K)

    附录V 硅中迁移率与杂质浓度的关系

    附录Ⅵ 扩散结势垒电容和势垒宽度关系曲线

    附录VII 硅中扩散层平均电导与表面浓度、结深关系

    附录VIII 半导体分立器件型号命名法

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