国外大学优秀教材微电子类系列·集成电路版图基础：实用指南（翻译版）
出版时间:
2006-10
版次:
1
ISBN:
9787302133711
定价:
35.00
装帧:
平装
开本:
16开
纸张:
胶版纸
页数:
258页
字数:
284千字
235人买过
-
集成电路（IC）版图设计是一个非常新的领域，虽然掩模设计已经有30多年的历史，但直到最近才成为一种职业。人们希望从事这个职业，包括大学毕业生和一些希望转行的人们，他们需要了解一些非常复杂的原理。同样地，一些富有经验的版图工程师也发现当代IC工艺的复杂性要求他们进一步了解这些基础知识。
版图设计不是一个孤立的设计环节，它与一系列的技术相关联。本书从基本半导体理论开始介绍，进而阐述了在现代半导体技术中基本器件的发展，为读者提供了IC版图设计的方法与技术。本书的一个突出特点是：在介绍版图设计的同时说明了为什么要这样设计，使读者知其然，知其所以然。本书内容的重点是版图设计的基础知识，对于新入行的从业者，这是一个良好的开端；对于有经验的设计者，则可作为对设计经验的回味和思考。 ChristopherSaint现担任IBMWestCoastPhysicalDesignGroup的经理，他曾经担任过CommquestGSM、AMPS和CDMA芯片组的版图设计首席工程师，曾在AnalogDevices，LSILogic以及GEC/Plessey半导体版图设计公司任职多年。 第1章电路基础理论1
1.1内容提要1
1.2引言1
1.3基本电路回顾2
1.3.1同性相斥，异性相吸2
1.3.2基本单位3
1.3.3串联公式4
1.3.4并联公式4
1.3.5欧姆定律4
1.3.6基尔霍夫定律5
1.3.7电路单元符号7
1.4导体、绝缘体和半导体8
1.5半导体材料9
1.5.1N型材料11
1.5.2P型材料12
1.6PN结13
1.6.1势垒13
1.6.2通过势垒的电流14
1.6.3二极管16
1.6.4二极管应用17
1.7半导体开关18
1.7.1一个灯开关的例子18
1.8场效应19
1.8.1场效应晶体管21
1.9开关隔离22
1.10增强型器件和耗尽型器件24
1.11互补型开关26
1.12N阱和衬底接触27
1.13逻辑电路27
1.13.1用电压表示逻辑状态28
1.13.2CMOS逻辑电路28
1.13.3与非门31
1.13.4或非门31
结束语33
本章学过的内容34
应用练习34
第2章硅加工工艺39
2.1内容提要39
2.2引言39
2.3集成电路版图40
2.3.1基本矩形41
2.4硅晶圆制造42
2.5掺杂45
2.5.1离子注入46
2.5.2扩散46
2.6生长材料层47
2.6.1外延47
2.6.2化学气相沉积48
2.6.3氧化层生长50
2.6.4溅射50
2.6.5蒸发50
2.7去除材料层51
2.8光刻51
2.9芯片制造53
2.9.1下凹图形的加工53
2.9.2凸起图形的加工55
2.9.3平坦化57
2.9.4作为掩模的二氧化硅57
2.10自对准硅栅58
结束语61
本章学过的内容62
第3章CMOS版图93
3.1内容提要93
3.2引言93
3.3器件尺寸设计94
3.3.1SPICE94
3.3.2大尺寸器件的设计97
3.4源漏区共用102
3.5器件连接技术105
3.6紧凑型版图108
3.7棒状图109
3.8阱连接和衬底连接115
3.8.1阱连接布局117
3.9天线效应119
3.10多晶硅引线122
3.11图形关系123
结束语125
本章学过的内容125
应用练习125
第4章电阻129
4.1内容提要129
4.2引言129
4.3电阻概述130
4.4电阻的测量131
4.4.1宽度和长度131
4.4.2方块的概念132
4.4.3每方欧姆135
4.5多晶硅电阻公式139
4.5.1基本电阻器版图140
4.5.2接触电阻142
4.5.3改变体材料151
4.6实际电阻分析155
4.6.1接触区误差155
4.6.2体区误差155
4.6.3头区误差156
4.6.4扩展电阻158
4.6.5总电阻方程161
4.7实际的最小电阻尺寸162
4.8特殊要求的电阻163
4.8.1大电阻低精度163
4.8.2小电阻高精度166
4.9设计的重要依据——电流密度166
4.10版图误差分析171
4.10.1电阻器误差的来源171
4.10.2误差要求171
4.11基本材料的复用172
4.12扩散电阻和多晶硅电阻的比较175
4.12.1双层多晶硅176
4.12.2Bipolar/BiCMOS176
结束语176
本章学过的内容177
应用练习177
第5章电容183
5.1内容提要183
5.2引言183
5.3电容概述184
5.3.1电容器的特性184
5.4电容值计算187
5.4.1表面电容188
5.4.2边缘电容189
5.5N阱电容器191
5.5.1寄生电容193
5.6金属电容器194
5.6.1叠层金属电容器195
5.6.2氮化物介质电容器195
结束语196
本章学过的内容196
第6章双极型晶体管197
6.1内容提要197
6.2引言197
6.3工作原理198
6.3.1基本结构198
6.3.2NPN晶体管工作原理200
6.4纵向工艺203
6.4.1FET和NPN晶体管的开关特性比较203
6.4.2层的结构204
6.5NPN管的寄生效应206
6.6PNP晶体管207
6.6.1横向PNP管207
6.7双极型晶体管版图与CMOS版图的区别209
6.7.1设计规则的数量209
6.7.2黑匣子式的布局211
结束语211
本章学过的内容212
第7章二极管213
7.1内容提要213
7.2引言213
7.3二极管的种类213
7.3.1基本二极管214
7.3.2由双极型晶体管构造的二极管214
7.3.3变容二极管217
7.4ESD保护218
7.5特殊版图结构222
7.5.1圆形版图222
7.5.2梳状结构二极管版图223
结束语223
本章学过的内容224
第8章电感225
8.1内容提要225
8.2引言225
8.3基本电感226
8.4传输线228
8.4.1直线特性228
8.4.2拐角特征化229
8.5螺旋电感231
8.6电感品质因子232
8.7叠层电感232
8.7.1射频扼流圈234
8.8邻近效应236
结束语237
本章学过的内容238
术语239
推荐读物和资料255
培训项目257
-
内容简介:
集成电路（IC）版图设计是一个非常新的领域，虽然掩模设计已经有30多年的历史，但直到最近才成为一种职业。人们希望从事这个职业，包括大学毕业生和一些希望转行的人们，他们需要了解一些非常复杂的原理。同样地，一些富有经验的版图工程师也发现当代IC工艺的复杂性要求他们进一步了解这些基础知识。
版图设计不是一个孤立的设计环节，它与一系列的技术相关联。本书从基本半导体理论开始介绍，进而阐述了在现代半导体技术中基本器件的发展，为读者提供了IC版图设计的方法与技术。本书的一个突出特点是：在介绍版图设计的同时说明了为什么要这样设计，使读者知其然，知其所以然。本书内容的重点是版图设计的基础知识，对于新入行的从业者，这是一个良好的开端；对于有经验的设计者，则可作为对设计经验的回味和思考。
-
作者简介:
ChristopherSaint现担任IBMWestCoastPhysicalDesignGroup的经理，他曾经担任过CommquestGSM、AMPS和CDMA芯片组的版图设计首席工程师，曾在AnalogDevices，LSILogic以及GEC/Plessey半导体版图设计公司任职多年。
-
目录:
第1章电路基础理论1
1.1内容提要1
1.2引言1
1.3基本电路回顾2
1.3.1同性相斥，异性相吸2
1.3.2基本单位3
1.3.3串联公式4
1.3.4并联公式4
1.3.5欧姆定律4
1.3.6基尔霍夫定律5
1.3.7电路单元符号7
1.4导体、绝缘体和半导体8
1.5半导体材料9
1.5.1N型材料11
1.5.2P型材料12
1.6PN结13
1.6.1势垒13
1.6.2通过势垒的电流14
1.6.3二极管16
1.6.4二极管应用17
1.7半导体开关18
1.7.1一个灯开关的例子18
1.8场效应19
1.8.1场效应晶体管21
1.9开关隔离22
1.10增强型器件和耗尽型器件24
1.11互补型开关26
1.12N阱和衬底接触27
1.13逻辑电路27
1.13.1用电压表示逻辑状态28
1.13.2CMOS逻辑电路28
1.13.3与非门31
1.13.4或非门31
结束语33
本章学过的内容34
应用练习34
第2章硅加工工艺39
2.1内容提要39
2.2引言39
2.3集成电路版图40
2.3.1基本矩形41
2.4硅晶圆制造42
2.5掺杂45
2.5.1离子注入46
2.5.2扩散46
2.6生长材料层47
2.6.1外延47
2.6.2化学气相沉积48
2.6.3氧化层生长50
2.6.4溅射50
2.6.5蒸发50
2.7去除材料层51
2.8光刻51
2.9芯片制造53
2.9.1下凹图形的加工53
2.9.2凸起图形的加工55
2.9.3平坦化57
2.9.4作为掩模的二氧化硅57
2.10自对准硅栅58
结束语61
本章学过的内容62
第3章CMOS版图93
3.1内容提要93
3.2引言93
3.3器件尺寸设计94
3.3.1SPICE94
3.3.2大尺寸器件的设计97
3.4源漏区共用102
3.5器件连接技术105
3.6紧凑型版图108
3.7棒状图109
3.8阱连接和衬底连接115
3.8.1阱连接布局117
3.9天线效应119
3.10多晶硅引线122
3.11图形关系123
结束语125
本章学过的内容125
应用练习125
第4章电阻129
4.1内容提要129
4.2引言129
4.3电阻概述130
4.4电阻的测量131
4.4.1宽度和长度131
4.4.2方块的概念132
4.4.3每方欧姆135
4.5多晶硅电阻公式139
4.5.1基本电阻器版图140
4.5.2接触电阻142
4.5.3改变体材料151
4.6实际电阻分析155
4.6.1接触区误差155
4.6.2体区误差155
4.6.3头区误差156
4.6.4扩展电阻158
4.6.5总电阻方程161
4.7实际的最小电阻尺寸162
4.8特殊要求的电阻163
4.8.1大电阻低精度163
4.8.2小电阻高精度166
4.9设计的重要依据——电流密度166
4.10版图误差分析171
4.10.1电阻器误差的来源171
4.10.2误差要求171
4.11基本材料的复用172
4.12扩散电阻和多晶硅电阻的比较175
4.12.1双层多晶硅176
4.12.2Bipolar/BiCMOS176
结束语176
本章学过的内容177
应用练习177
第5章电容183
5.1内容提要183
5.2引言183
5.3电容概述184
5.3.1电容器的特性184
5.4电容值计算187
5.4.1表面电容188
5.4.2边缘电容189
5.5N阱电容器191
5.5.1寄生电容193
5.6金属电容器194
5.6.1叠层金属电容器195
5.6.2氮化物介质电容器195
结束语196
本章学过的内容196
第6章双极型晶体管197
6.1内容提要197
6.2引言197
6.3工作原理198
6.3.1基本结构198
6.3.2NPN晶体管工作原理200
6.4纵向工艺203
6.4.1FET和NPN晶体管的开关特性比较203
6.4.2层的结构204
6.5NPN管的寄生效应206
6.6PNP晶体管207
6.6.1横向PNP管207
6.7双极型晶体管版图与CMOS版图的区别209
6.7.1设计规则的数量209
6.7.2黑匣子式的布局211
结束语211
本章学过的内容212
第7章二极管213
7.1内容提要213
7.2引言213
7.3二极管的种类213
7.3.1基本二极管214
7.3.2由双极型晶体管构造的二极管214
7.3.3变容二极管217
7.4ESD保护218
7.5特殊版图结构222
7.5.1圆形版图222
7.5.2梳状结构二极管版图223
结束语223
本章学过的内容224
第8章电感225
8.1内容提要225
8.2引言225
8.3基本电感226
8.4传输线228
8.4.1直线特性228
8.4.2拐角特征化229
8.5螺旋电感231
8.6电感品质因子232
8.7叠层电感232
8.7.1射频扼流圈234
8.8邻近效应236
结束语237
本章学过的内容238
术语239
推荐读物和资料255
培训项目257
查看详情
-
10
九品
四川省成都市
平均发货8小时
成功完成率95.27%
-
12
九品
江苏省淮安市
平均发货9小时
成功完成率97.89%
-
7
九品
湖北省襄阳市
平均发货10小时
成功完成率96.04%
-
八五品
陕西省西安市
平均发货12小时
成功完成率91.98%
-
八五品
陕西省西安市
平均发货9小时
成功完成率90.27%
-
八五品
重庆市南岸区
平均发货16小时
成功完成率77.92%
-
5
八五品
江苏省南京市
平均发货6小时
成功完成率95.65%
-
八五品
陕西省咸阳市
平均发货15小时
成功完成率91.12%
-
九五品
北京市朝阳区
平均发货21小时
成功完成率69.38%
-
八五品
陕西省咸阳市
平均发货13小时
成功完成率91.97%
占位居中
