模拟集成电路的分析与设计：第4版
出版时间:
2003-10
版次:
1
ISBN:
9787040130430
定价:
68.00
装帧:
平装
开本:
16开
纸张:
其他
页数:
875页
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集成电路有源器件模型，双极型、MOS、BiCMOS集成电路技术，单晶体管和多晶体管放大器，电流镜、有源负载及其电压和电流参考值，输出级，单端输出的运算放大器，集成电路的频率响应，反馈，反馈放大器的频率响应与稳定性，非线性模拟电路，集成电路中的噪声，全差分运算放大器。本书可用作高等学校电子信息类本科生的教材或参考书。 CHAPTER1
ModelsforIntegrated-CircuitActive
Devices1
1.1
Introduction1
1.2
DepletionRegionofapnJunction1
1.2.1Depletion-RegionCapacitance5
1.2.2JunctionBreakdown6
1.3
Large-SignalBehaviorofBipolarTransistors8
1.3.1Large-SignalModelsintheForward-ActiveRegion9
1.3.2EffectsofCollectorVoltageonLarge-SignalCharacteristicsintheForward-ActiveRegion14
1.3.3SaturationandInverseActiveRegions16
1.3.4TransistorBreakdownVoltages20
1.3.5DependenceofTransistorCurrentGain/3ronOperatingConditions23
1.4
Small-SignalModelsofBipolarTransistors26
1.4.1Transconductance27
1.4.2Base-ChargingCapacitance28
1.4.3InputResistance
……
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内容简介:
集成电路有源器件模型，双极型、MOS、BiCMOS集成电路技术，单晶体管和多晶体管放大器，电流镜、有源负载及其电压和电流参考值，输出级，单端输出的运算放大器，集成电路的频率响应，反馈，反馈放大器的频率响应与稳定性，非线性模拟电路，集成电路中的噪声，全差分运算放大器。本书可用作高等学校电子信息类本科生的教材或参考书。
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目录:
CHAPTER1
ModelsforIntegrated-CircuitActive
Devices1
1.1
Introduction1
1.2
DepletionRegionofapnJunction1
1.2.1Depletion-RegionCapacitance5
1.2.2JunctionBreakdown6
1.3
Large-SignalBehaviorofBipolarTransistors8
1.3.1Large-SignalModelsintheForward-ActiveRegion9
1.3.2EffectsofCollectorVoltageonLarge-SignalCharacteristicsintheForward-ActiveRegion14
1.3.3SaturationandInverseActiveRegions16
1.3.4TransistorBreakdownVoltages20
1.3.5DependenceofTransistorCurrentGain/3ronOperatingConditions23
1.4
Small-SignalModelsofBipolarTransistors26
1.4.1Transconductance27
1.4.2Base-ChargingCapacitance28
1.4.3InputResistance
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