集成电路制造技术——原理与工艺(第3版)
出版时间:
2023-03
版次:
1
ISBN:
9787121453694
定价:
79.90
装帧:
其他
页数:
332页
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本书是哈尔滨工业大学\"国家集成电路人才培养基地”教学建设成果,系统地介绍硅基芯片制造流程中普遍采用的各单项工艺技术的原理、问题、分析方法、主要设备及其技术发展趋势,全书共6个单元14章。单元介绍硅衬底,主要介绍单晶硅的结构特点,单晶硅锭的拉制及硅片(包含体硅片和外延硅片)的制造工艺及相关理论。第二~五单元介绍硅基芯片制造基本单项工艺(氧化与掺杂、薄膜制备、光刻、工艺集成与封装测试)的原理、方法、设备,以及所依托的技术基础及发展趋势。第六单元介绍集成电路制造工艺监控与生产实习实验;附录A介绍工艺模拟和SUPREM软件。本书配套微课、电子课件、习题答案等,可帮助学生从理论走向生产实践,对集成电路和微电子产品制造技术的原理与工艺全过程有更深入的了解。 田丽,女,哈尔滨工业大学教授,长期从事集成电路制造领域的高校课程教学和科研工作,主持和参与数十项集成电路领域和省部级科研和教研项目,出版教材两部。 12.2.5 模拟电路及数模混合电路
测试301
12.2.6 未来测试技术展望302
本章小结304
习题304
第六单元 工艺监控与生产实习
第13章 工艺监控305
13.1 概述305
13.2 实时监控306
13.3 工艺检测片306
13.4 晶片检测307
本章小结307
第14章 集成电路制造工艺生产实习308
14.1 硅片电阻率测量308
14.1 测量原理308
14.2 测量仪器309
14.3 测量步骤310
习题310
14.2 硅片清洗310
14.2.1 清洗原理310
14.2.2 清洗设备与试剂311
14.2.3 清洗方法311
习题312
14.3 氧化层厚度测量312
14.3.1 测量原理312
14.3.2 测量仪器与试剂312
14.3.3 测量步骤313
习题313
14.4 PN结结深测量313
14.4.1 测量原理313
14.4.2 测量仪器与试剂314
14.4.3 测量步骤314
习题314
14.5 晶体管电学特性测量314
14.5.1 测量原理314
14.5.2 测量仪器316
14.5.3 测量具体步骤316
习题316
附录A SUPREM模拟317
A.1 SUPREM软件简介317
A.2 氧化工艺318
A.3 扩散工艺318
A.4 离子注入319
参考文献320
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内容简介:
本书是哈尔滨工业大学\"国家集成电路人才培养基地”教学建设成果,系统地介绍硅基芯片制造流程中普遍采用的各单项工艺技术的原理、问题、分析方法、主要设备及其技术发展趋势,全书共6个单元14章。单元介绍硅衬底,主要介绍单晶硅的结构特点,单晶硅锭的拉制及硅片(包含体硅片和外延硅片)的制造工艺及相关理论。第二~五单元介绍硅基芯片制造基本单项工艺(氧化与掺杂、薄膜制备、光刻、工艺集成与封装测试)的原理、方法、设备,以及所依托的技术基础及发展趋势。第六单元介绍集成电路制造工艺监控与生产实习实验;附录A介绍工艺模拟和SUPREM软件。本书配套微课、电子课件、习题答案等,可帮助学生从理论走向生产实践,对集成电路和微电子产品制造技术的原理与工艺全过程有更深入的了解。
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作者简介:
田丽,女,哈尔滨工业大学教授,长期从事集成电路制造领域的高校课程教学和科研工作,主持和参与数十项集成电路领域和省部级科研和教研项目,出版教材两部。
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目录:
12.2.5 模拟电路及数模混合电路
测试301
12.2.6 未来测试技术展望302
本章小结304
习题304
第六单元 工艺监控与生产实习
第13章 工艺监控305
13.1 概述305
13.2 实时监控306
13.3 工艺检测片306
13.4 晶片检测307
本章小结307
第14章 集成电路制造工艺生产实习308
14.1 硅片电阻率测量308
14.1 测量原理308
14.2 测量仪器309
14.3 测量步骤310
习题310
14.2 硅片清洗310
14.2.1 清洗原理310
14.2.2 清洗设备与试剂311
14.2.3 清洗方法311
习题312
14.3 氧化层厚度测量312
14.3.1 测量原理312
14.3.2 测量仪器与试剂312
14.3.3 测量步骤313
习题313
14.4 PN结结深测量313
14.4.1 测量原理313
14.4.2 测量仪器与试剂314
14.4.3 测量步骤314
习题314
14.5 晶体管电学特性测量314
14.5.1 测量原理314
14.5.2 测量仪器316
14.5.3 测量具体步骤316
习题316
附录A SUPREM模拟317
A.1 SUPREM软件简介317
A.2 氧化工艺318
A.3 扩散工艺318
A.4 离子注入319
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