Springer手册精选系列·晶体生长手册（第1册）：晶体生长及缺陷形成概论（影印版）

作者: [美] 德哈纳拉（Govindhan Dhanaraj）编 , [美] 德哈纳拉（Govindhan Dhanaraj）编

出版社: 哈尔滨工业大学出版社

出版时间: 2013-01

版次: 1

ISBN: 9787560333861

定价: 48.00

装帧: 平装

开本: 16开

纸张: 胶版纸

页数: 201页

正文语种: 英语

原版书名: Springer Handbook of Crystal Growth

丛书: Springer手册精选系列

分类: 自然科学

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　　《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第1册）：晶体生长及缺陷形成概论（影印版）》介绍基础理论：生长和表征技术综述，表面成核工艺，溶液生长晶体的形态，生长过程中成核的层错，缺陷形成的形态。　　GovindhanDhanarajistheManagerofCrystalGrowthTechnologiesatAdvancedRenewableEnergyCompany（ARCEnergy）atNashua，NewHampshire（USA）focusingonthegrowthoflargesizesapphirecrystalsforLEDlightingapplications，characterizationandrelatedcrystalgrowthfurnacedevelopment.HereceivedhisPhDfromtheIndianInstituteofScience，BangaloreandhisMasterofSciencefromAnnaUniversity（India）.Immediatelyafterhisdoctoraldegree，Dr.DhanarajjoinedaNationalLaboratory，presentlyknownasRajaramannaCenterforAdvancedTechnologyinIndia，whereheestablishedanadvancedCrystalGrowthLaboratoryforthegrowthofopticalandlasercrystals.PriortojoiningARCEnergy，Dr.DhanarajservedasaResearchProfessorattheDepartmentofMaterialsScienceandEngineering，StonyBrookUniversity，NY，andalsoheldapositionofResearchAssistantProfessoratHamptonUniversity，VA.Duringhis25yearsoffocusedexpertiseincrystalgrowthresearch，hehasdevelopedoptical，laserandsemiconductorbulkcrystalsandSiCepitaxialfilmsusingsolution，flux，Czochralski，Bridgeman，gelandvapormethods，andcharacterizedthemusingx-raytopography，synchrotrontopography，chemicaletchingandopticalandatomicforcemicroscopictechniques.Heco-organizedasymposiumonIndustrialCrystalGrowthunderthe17thAmericanConferenceonCrystalGrowthandEpitaxyinconjunctionwiththe14thUSBiennialWorkshoponOrganometallicVaporPhaseEpitaxyheldatLakeGeneva，WIin2009.Dr.Dhanarajhasdeliveredinvitedlecturesandalsoservedassessionchairmaninmanycrystalgrowthandmaterialssciencemeetings.Hehaspublishedover100papersandhisresearcharticleshaveattractedover250richcitations. 缩略语
PartA晶体生长基础及缺陷形成
1.晶体生长技术和表征：综述
1.1发展历史
1.2晶体生长理论
1.3晶体生长技术
1.4晶体缺陷及表征
参考文献

2.表面成核
2.1晶体环境相平衡
2.2晶核形成及工作机理
2.3成核率
2.4饱和晶核密度
2.5在同质外延中的第二层成核
2.6异质外延中的聚集机理
2.7表面活性剂对成核的影响
2.8结论与展望
参考文献

3.溶液中的晶体生长形态
3.1相平衡
3.2晶体的生长相理论
3.3影响晶体特性的因素
3.4表面结构
3.5晶体缺陷
3.6成核动力学——过饱和
3.7溶剂
3.8杂质
3.9其他因素
3.10晶体特性变化过程
3.11小结
3.A附录
参考文献

4.晶体生长过程中缺陷的生长及演变
4.1综述
4.2包晶：
4.3条纹和生长区
4.4位错
4.5孪晶
4.6溶液中快速生长完整晶体
参考文献

5.没有约束条件下的单晶生长
5.1背景
5.2光滑和粗糙的接触面：生长机理和形态学
5.3表面微形貌
5.4多面体材料晶体的生长形貌
5.5内部形态
5.6完整单晶
参考文献

6.熔体生长晶体期间缺陷的形成
6.1综述
6.2点缺陷
6.3位错
6.4第二相粒子
6.5面缺陷
6.6孪晶
6.7总结
参考文献
内容简介:
　　《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第1册）：晶体生长及缺陷形成概论（影印版）》介绍基础理论：生长和表征技术综述，表面成核工艺，溶液生长晶体的形态，生长过程中成核的层错，缺陷形成的形态。
作者简介:
　　GovindhanDhanarajistheManagerofCrystalGrowthTechnologiesatAdvancedRenewableEnergyCompany（ARCEnergy）atNashua，NewHampshire（USA）focusingonthegrowthoflargesizesapphirecrystalsforLEDlightingapplications，characterizationandrelatedcrystalgrowthfurnacedevelopment.HereceivedhisPhDfromtheIndianInstituteofScience，BangaloreandhisMasterofSciencefromAnnaUniversity（India）.Immediatelyafterhisdoctoraldegree，Dr.DhanarajjoinedaNationalLaboratory，presentlyknownasRajaramannaCenterforAdvancedTechnologyinIndia，whereheestablishedanadvancedCrystalGrowthLaboratoryforthegrowthofopticalandlasercrystals.PriortojoiningARCEnergy，Dr.DhanarajservedasaResearchProfessorattheDepartmentofMaterialsScienceandEngineering，StonyBrookUniversity，NY，andalsoheldapositionofResearchAssistantProfessoratHamptonUniversity，VA.Duringhis25yearsoffocusedexpertiseincrystalgrowthresearch，hehasdevelopedoptical，laserandsemiconductorbulkcrystalsandSiCepitaxialfilmsusingsolution，flux，Czochralski，Bridgeman，gelandvapormethods，andcharacterizedthemusingx-raytopography，synchrotrontopography，chemicaletchingandopticalandatomicforcemicroscopictechniques.Heco-organizedasymposiumonIndustrialCrystalGrowthunderthe17thAmericanConferenceonCrystalGrowthandEpitaxyinconjunctionwiththe14thUSBiennialWorkshoponOrganometallicVaporPhaseEpitaxyheldatLakeGeneva，WIin2009.Dr.Dhanarajhasdeliveredinvitedlecturesandalsoservedassessionchairmaninmanycrystalgrowthandmaterialssciencemeetings.Hehaspublishedover100papersandhisresearcharticleshaveattractedover250richcitations.
目录:
缩略语
PartA晶体生长基础及缺陷形成
1.晶体生长技术和表征：综述
1.1发展历史
1.2晶体生长理论
1.3晶体生长技术
1.4晶体缺陷及表征
参考文献

2.表面成核
2.1晶体环境相平衡
2.2晶核形成及工作机理
2.3成核率
2.4饱和晶核密度
2.5在同质外延中的第二层成核
2.6异质外延中的聚集机理
2.7表面活性剂对成核的影响
2.8结论与展望
参考文献

3.溶液中的晶体生长形态
3.1相平衡
3.2晶体的生长相理论
3.3影响晶体特性的因素
3.4表面结构
3.5晶体缺陷
3.6成核动力学——过饱和
3.7溶剂
3.8杂质
3.9其他因素
3.10晶体特性变化过程
3.11小结
3.A附录
参考文献

4.晶体生长过程中缺陷的生长及演变
4.1综述
4.2包晶：
4.3条纹和生长区
4.4位错
4.5孪晶
4.6溶液中快速生长完整晶体
参考文献

5.没有约束条件下的单晶生长
5.1背景
5.2光滑和粗糙的接触面：生长机理和形态学
5.3表面微形貌
5.4多面体材料晶体的生长形貌
5.5内部形态
5.6完整单晶
参考文献

6.熔体生长晶体期间缺陷的形成
6.1综述
6.2点缺陷
6.3位错
6.4第二相粒子
6.5面缺陷
6.6孪晶
6.7总结
参考文献