国外大学优秀教材·微电子类系列：模拟CMOS集成电路设计（影印版）

作者: [美] 罗扎著

出版社: 清华大学出版社

出版时间: 2005-08

版次: 1

ISBN: 9787302108863

定价: 68.00

装帧: 平装

开本: 16开

纸张: 胶版纸

页数: 684页

分类: 教材教辅考试>教材>大学教材>工程技术

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　　模拟集成电路的设计与其说是一门技术，还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石，而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。
　　美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&T，BellLab，HP)卓著的研究经历为我们提供了这本优秀的教材。本书自2000午出版以来得到了国内外读者的好评和青睐，被许多国际知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名顶级公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。　　BehzadRazavireceivedtheB.B.Sc.degreeinelectricalengineeringfromSharifUniversityofTechnologyin1985andtheM.Sc.andPh.D.degreesinelectricalengineeringfromStanfordUniversityin1998and1992,respectively.HewaswithAT&TBellLaboratoriesandsubsequentlyHewlett-PackardLaboratoriesuntil1996. AbouttheAuthor
Preface
Acknowledgments
1IntroductiontoAnalogDesign
1.1WhyAnalog?
1.2WhyInegrated?
1.3WhyCMOS?
1.4WhyThisBook?
1.5GeneralConcepts
2BasicMOSDevicePhysics
2.1GeneralConsiderations
2.2MOSI/VCharacteristics
2.3Second-OrderEffects
2.4MOSDeviceModel
3Single-StageAmplifiers
3.1BasicConcepts
3.2Common-SourceStage
3.3SourceFollower
3.4Common-GateStage
3.5CascodeStage
3.6ChoiceofDeviceModels
4DifferentialAmplifiers
……
5PassiveandActiveCurrentMirrors
6FrequencyResponseofAmplifiers
7Noise
8Feedback
9OperationalAmplifiers
10StabilityandFrequencyCompensation
11BandgapReferences
12IntroductiontoSwitched-CapacitorCircuits
13NonlinearityandMismatch
14Oscillators
15Phase-LockedLoops
AppendixAShort-ChannelEffectsandDeviceModels
AppendixBCMOSProcessingTechnology
AppendixCLayoutandPackaging
Index
内容简介:
　　模拟集成电路的设计与其说是一门技术，还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石，而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。
　　美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&T，BellLab，HP)卓著的研究经历为我们提供了这本优秀的教材。本书自2000午出版以来得到了国内外读者的好评和青睐，被许多国际知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名顶级公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。
作者简介:
　　BehzadRazavireceivedtheB.B.Sc.degreeinelectricalengineeringfromSharifUniversityofTechnologyin1985andtheM.Sc.andPh.D.degreesinelectricalengineeringfromStanfordUniversityin1998and1992,respectively.HewaswithAT&TBellLaboratoriesandsubsequentlyHewlett-PackardLaboratoriesuntil1996.
目录:
AbouttheAuthor
Preface
Acknowledgments
1IntroductiontoAnalogDesign
1.1WhyAnalog?
1.2WhyInegrated?
1.3WhyCMOS?
1.4WhyThisBook?
1.5GeneralConcepts
2BasicMOSDevicePhysics
2.1GeneralConsiderations
2.2MOSI/VCharacteristics
2.3Second-OrderEffects
2.4MOSDeviceModel
3Single-StageAmplifiers
3.1BasicConcepts
3.2Common-SourceStage
3.3SourceFollower
3.4Common-GateStage
3.5CascodeStage
3.6ChoiceofDeviceModels
4DifferentialAmplifiers
……
5PassiveandActiveCurrentMirrors
6FrequencyResponseofAmplifiers
7Noise
8Feedback
9OperationalAmplifiers
10StabilityandFrequencyCompensation
11BandgapReferences
12IntroductiontoSwitched-CapacitorCircuits
13NonlinearityandMismatch
14Oscillators
15Phase-LockedLoops
AppendixAShort-ChannelEffectsandDeviceModels
AppendixBCMOSProcessingTechnology
AppendixCLayoutandPackaging
Index