异质结双极晶体管电路设计（英文版）
出版时间:
2015-06
版次:
1
ISBN:
9787040421934
定价:
69.00
装帧:
平装
开本:
16开
纸张:
胶版纸
页数:
259页
字数:
350千字
正文语种:
英语
3人买过
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《异质结双极晶体管电路设计（英文版）》是作者在微波和光通信领域技术领域多年工作、学习、研究和教学过程中获得的知识和经验的总结，主要内容包括高速光电子器件的工作机理、建模技术和参数提取技术，光接收机和发射机集成电路设计技术，光电子器件小信号等效电路模型、大信号非线性等效电路模型和噪声等效电路模型，以及等效电路模型的参数提取技术等。
《异质结双极晶体管电路设计（英文版）》可作为光电子专业、微波专业和电路与系统专业的高年级本科生和研究生教学参考书，也可以供从事集成电路设计的科研人员参考使用。 高建军，华东师范大学教授，博士生导师，“紫江学者”特聘教授，中国科学院微电子研究所客座教授，中国电子学会高级会员，IEEE高级会员，2005年入选教育部“新世纪人才支持计划”。任多个国际微波学术刊物的编委和审稿人，在国内外出版学术著作6部。 AbouttheAuthor
Preface
Acknowledgments
Nomenclature
1Introduction
1.1OverviewofHeterojunctionBipolarTransistors
1.2ModelingandMeasurementforHBT
1.3OrganizationofThisBook
References
2BasicConceptofMicrowaveDeviceModeling
2.1SignalParameters
2.1.1Low-FrequencyParameters
2.1.2S-Parameters
2.2RepresentationofNoisyTwo-PortNetwork
2.2.1NoiseMatrix
2.2.2NoiseParameters
2.3BasicCircuitElements
2.3.1Resistance
2.3.2Capacitance
2.3.3Inductance
2.3.4ControlledSources
2.3.5IdealTransmissionLine
2.4π-andT-TypeNetworks
2.4.1T-TypeNetwork
2.4.2π-TypeNetwork
2.4.3Relationshipbetweenπ-andT-TypeNetworks
2.5DeembeddingMethod
2.5.1ParallelDeembedding
2.5.2SeriesDeembedding
2.5.3CascadingDeembedding
2.6BasicMethodsofParameterExtraction
2.6.1DeterminationofCapacitance
2.6.2DeterminationofInductance
2.6.3DeterminationofResistance
2.7Summary
References
3ModelingandParameterExtractionMethodsofBipolar
JunctionTransistor
3.1PNJunction
3.2PNJunctionDiode
3.2.1BasicConcept
3.2.2EquivalentCircuitModel
3.2.3DeterminationofModelParameters
3.3BJTPhysicalOperation
3.3.1DeviceStructure
3.3.2TheModesofOperation
3.3.3Base-WidthModulation
3.3.4HighInjectionandCurrentCrowding
3.4EquivalentCircuitModel
3.4.1E-MModel
3.4.2G-PModel
3.4.3NoiseModel
3.5MicrowavePerformance
3.5.1TransitionFrequency
3.5.2Common-EmitterConfiguration
3.5.3Common-BaseConfiguration
3.5.4Common-CollectorConfiguration
3.5.5SummaryandComparisons
3.6Summary
References
4BasicPrincipleofHBT
5Small-SignalModelingandParameterExtractionofHBT
6Large-SignalEquivalentCircuitModelingofHRT
7MicrowaveNoiseModelingandParameterExtractionTechniqueforHBTs
8SiGeHBTModelingandParameterExtraction
Index
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内容简介:
《异质结双极晶体管电路设计（英文版）》是作者在微波和光通信领域技术领域多年工作、学习、研究和教学过程中获得的知识和经验的总结，主要内容包括高速光电子器件的工作机理、建模技术和参数提取技术，光接收机和发射机集成电路设计技术，光电子器件小信号等效电路模型、大信号非线性等效电路模型和噪声等效电路模型，以及等效电路模型的参数提取技术等。
《异质结双极晶体管电路设计（英文版）》可作为光电子专业、微波专业和电路与系统专业的高年级本科生和研究生教学参考书，也可以供从事集成电路设计的科研人员参考使用。
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作者简介:
高建军，华东师范大学教授，博士生导师，“紫江学者”特聘教授，中国科学院微电子研究所客座教授，中国电子学会高级会员，IEEE高级会员，2005年入选教育部“新世纪人才支持计划”。任多个国际微波学术刊物的编委和审稿人，在国内外出版学术著作6部。
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目录:
AbouttheAuthor
Preface
Acknowledgments
Nomenclature
1Introduction
1.1OverviewofHeterojunctionBipolarTransistors
1.2ModelingandMeasurementforHBT
1.3OrganizationofThisBook
References
2BasicConceptofMicrowaveDeviceModeling
2.1SignalParameters
2.1.1Low-FrequencyParameters
2.1.2S-Parameters
2.2RepresentationofNoisyTwo-PortNetwork
2.2.1NoiseMatrix
2.2.2NoiseParameters
2.3BasicCircuitElements
2.3.1Resistance
2.3.2Capacitance
2.3.3Inductance
2.3.4ControlledSources
2.3.5IdealTransmissionLine
2.4π-andT-TypeNetworks
2.4.1T-TypeNetwork
2.4.2π-TypeNetwork
2.4.3Relationshipbetweenπ-andT-TypeNetworks
2.5DeembeddingMethod
2.5.1ParallelDeembedding
2.5.2SeriesDeembedding
2.5.3CascadingDeembedding
2.6BasicMethodsofParameterExtraction
2.6.1DeterminationofCapacitance
2.6.2DeterminationofInductance
2.6.3DeterminationofResistance
2.7Summary
References
3ModelingandParameterExtractionMethodsofBipolar
JunctionTransistor
3.1PNJunction
3.2PNJunctionDiode
3.2.1BasicConcept
3.2.2EquivalentCircuitModel
3.2.3DeterminationofModelParameters
3.3BJTPhysicalOperation
3.3.1DeviceStructure
3.3.2TheModesofOperation
3.3.3Base-WidthModulation
3.3.4HighInjectionandCurrentCrowding
3.4EquivalentCircuitModel
3.4.1E-MModel
3.4.2G-PModel
3.4.3NoiseModel
3.5MicrowavePerformance
3.5.1TransitionFrequency
3.5.2Common-EmitterConfiguration
3.5.3Common-BaseConfiguration
3.5.4Common-CollectorConfiguration
3.5.5SummaryandComparisons
3.6Summary
References
4BasicPrincipleofHBT
5Small-SignalModelingandParameterExtractionofHBT
6Large-SignalEquivalentCircuitModelingofHRT
7MicrowaveNoiseModelingandParameterExtractionTechniqueforHBTs
8SiGeHBTModelingandParameterExtraction
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