纳米薄膜技术与应用
出版时间:
2005-01
版次:
1
ISBN:
9787502548377
定价:
28.00
装帧:
平装
开本:
大32开
纸张:
胶版纸
页数:
298页
字数:
242千字
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纳米薄膜具有特殊的物理和化学特性，在纳米电子学中有很重要的前景。本书主要介绍了当前有关纳米薄膜的制备、器件和应用的比较前沿的内容和资料，详细地阐述了国内外该领域的发展动向及趋势，其中也包作者的研究成果。内容包括：纳米薄膜材料的基本概念；材料的制备方法以及物理、化学性能；半导体纳米量子点；Si基纳米薄膜与器件；纳米薄膜的电子转移和单电子电导等。本书可供从事纳米材料的纳米电子器件研究工作的行业技术人员及相关专业本科和研究生参考。 第1章导论1
11纳米学的基本概念和内涵1
111纳米学的基本概念1
112纳米材料研究范围和内容2
113纳米材料的电子结构3
114纳米材料研究中的物理问题4
115纳米材料的化学性能7
12纳米微粒10
13纳米薄膜11
14纳米材料和技术发展现状18
141纳米材料和技术发展简史18
142纳米技术在飞速发展19
15纳米薄膜材料和器件在高科技中的地位24
151纳电子器件基本概念24
152纳电子器件特性26
参考文献27
第2章纳米薄膜材料的制备方法和性能29
21纳米薄膜的制备方法30
211蒸发冷凝法30
212溅射法32
213微波法36
214分子束外延37
215金属有机化学气相沉积40
216溶胶凝胶法43
217化学气相沉积法46
218电化学法（电沉积）49
219分子自组装技术51
2110模板合成法54
22纳米薄膜的性能55
221力学性能55
222光学性能58
223电磁学特性59
224气敏特性60
23性能检测61
参考文献62
第3章半导体纳米量子点63
31半导体量子点的研究概况63
32CdS胶体量子点的制备和量子尺寸效应67
321CdS量子点的制备和结构67
322量子尺寸效应69
323CdS量子点的光致发光特性71
33CdS/CuS/CdS量子点及量子阱73
331CdS/CuS/CdS量子点量子阱结构的制备74
332CdS/CuS/CdS三层结构的验证75
333CdS/CuS/CdS体系的光学特性78
34InAs/GaAs和InGaAs/GaAs量子点制备、特性和
应用79
341InAs/GaAs量子点79
342InGaAs/GaAs量子点83
35ZnO量子点——半导体激光器新材料88
351ZnSe基激光器存在的问题88
352ZnO材料的基本特性89
353ZnO的外延生长90
354ZnO量子点的光学特性91
36电沉积量子点［CdSe/Au，Cd（Se，Te）/Au，
（Cd，Zn）Se/Au］93
361CdSe/Au系统94
362Cd（Se，Te）/Au系统95
363（Cd，Zn）Se/Au系统95
参考文献97
第4章Si基纳米薄膜材料与器件98
41Si发光面临的问题100
411Si和Ge是间接型能带结构100
412Si纳米晶激光器初现端倪101
413纳米Si薄膜的制备方法103
42Ge纳米晶发光膜（Ge/SiO2）106
421Ge纳米发光膜的制备106
422Ge纳米晶的发光特性107
423Ge纳米晶发光机理110
43纳米SiC发光薄膜111
431HFCVD法制备纳米SiC薄膜112
432MWECR法制备纳米SiC薄膜113
44纳米多孔Si膜发光117
441多孔Si的结构118
442多孔Si的光学性质120
443多孔Si的形成122
444多孔Si的制作及其钝化123
45纳米Si薄膜器件125
451纳米Si薄膜掺杂的可控性125
452掺杂纳米Si薄膜的热稳定性126
453纳米Si异质结二极管的独特性能127
参考文献129
第5章纳米材料的模板合成法130
51厚膜模板法合成纳米阵列131
511模板的制备和分类132
512纳米结构的厚膜模板合成方法和技术要点134
52模板法制备纳米线137
521碳纳米管模板法137
522氧化铝模板法140
523聚合物膜模板法142
53模板法合成高度取向碳纳米管有序阵列膜146
531碳纳米管有序阵列膜的制备过程146
532碳纳米管阵列膜场发射特性149
54模板法制备TiO2纳米管151
541多孔阳极氧化铝（PAA）模板的制备151
542TiO2纳米管的制备152
543TiO2纳米管的形貌和结构分析153
参考文献154
第6章纳米半导体薄膜的电子转移和纳米粒子的单电子
电导156
61纳米半导体薄膜的光学性质157
611电子存储和光致变色效应157
612光电流的产生160
613宽带隙半导体敏化162
614光催化164
62纳米半导体膜的电子转移原理166
621电荷从激活的染料注入到半导体纳米团簇166
622电荷注入过程动力学167
623半导体染料界面处电子转移调制171
624反向电子转移174
625半导体薄膜中的电子迁移176
63纳米粒子的单电子电导177
631单电子电导的发展历史179
632单电子电导的定义及静电特性184
633纳米粒子的单电子电导191
参考文献197
第7章纳米晶金属氧化物半导体与溶液界面处的电荷
转移200
71电致变色203
711V2O5203
712MoO3204
713WO3205
72光生伏特207
721TiO2208
722SnO2212
723ZnO212
73能量考虑213
731电势213
732其他问题215
74染料敏化纳米TiO2薄膜太阳能电池215
741染料敏化纳米TiO2薄膜太阳能电池的结构和
基本原理216
742用于染料敏化太阳能电池的纳米TiO2膜研究
进展219
参考文献223
第8章其他纳米薄膜材料制备、特性及应用225
81纳米AlN薄膜的导电性225
811纳米AlN薄膜的制备226
812纳米AlN薄膜的导电特性227
82纳米金刚石膜制备及场发射228
821热丝CVD法制备228
822微波法制备纳米金刚石膜及其场发射232
823纳米金刚石颗粒涂层法和场电子发射232
83纳米磁性薄膜材料及巨磁电阻效应234
831概述234
832纳米磁性材料的基本特性235
833纳米颗粒型磁性材料236
834纳米微晶磁性材料237
835纳米薄膜结构型磁性材料及巨磁电阻效应240
836Fe基、Co基软磁纳米薄膜的制备工艺和
特性242
84In2O3纳米晶及气敏特性246
841纳米In2O3材料和气敏元件的制备246
842气敏元件特性248
85V2O5纳米膜的制备及电致变色250
851PEO/V2O5纳米复合膜的制备251
852PEO/V2O5干凝胶薄膜的性能测试及电致
变色251
86WO3（V）纳米膜的制备、电致变色和气敏
特性254
861WO3薄膜的激光沉积255
862薄膜的结构分析255
863WO3（V）薄膜的电学性能257
864WO3（V）薄膜的气敏特性258
87纳米TiO2薄膜的导电性和光吸收量子尺寸效应259
871磁控法制备的纳米TiO2薄膜的导电性与带隙
宽度260
872纳米TiO2的光吸收量子尺寸效应262
88纳米晶PZT/PT铁电薄膜的尺寸效应266
881纳米薄膜样品制备266
882X射线衍射分析267
883电滞回线测试268
89Ag/Ni纳米多层膜的点阵应变现象269
891纳米多层膜270
892Ag/Ni纳米多层膜间界面处晶格应变及弛豫
现象270
810TiSiN纳米薄膜的超硬性272
8101超硬TiN膜存在的问题272
8102TiSiN纳米薄膜的制备272
8103TiSiN纳米膜的性能分析274
811ZnS/Ag/ZnS纳米多层薄膜及平面显示器透明
电极276
8111ZnS/Ag/ZnS纳米多层膜替代ITO膜276
8112真空蒸镀法制备纳米多层膜277
8113纳米多层膜的光学性能277
8114纳米多层膜导电性能281
8115透明导电多层膜的性能评价282
812纳米Al膜介电函数的尺寸、频率效应283
813纳米氮化硼薄膜的场发射284
8131纳米氮化硼薄膜的制备285
8132纳米氮化硼薄膜的场发射性能285
参考文献288
第9章纳米材料及纳米器件研究和发展的前景290
91国际方面的最新研究进展290
911关于碳纳米管的研究进展290
912纳米线及相关的纳米器件292
913特种结构、异质纳米复合结构293
914有关异质结构的新的制备方法294
92国内近期在准一维纳米材料方面的最新研究情况294
921技术创新的几个方面294
922已取得的重要成果296
93纳米相复合材料和纳米结构微米结构复合材料297
94纳米材料的应用前景298
参考文献298
-
内容简介:
纳米薄膜具有特殊的物理和化学特性，在纳米电子学中有很重要的前景。本书主要介绍了当前有关纳米薄膜的制备、器件和应用的比较前沿的内容和资料，详细地阐述了国内外该领域的发展动向及趋势，其中也包作者的研究成果。内容包括：纳米薄膜材料的基本概念；材料的制备方法以及物理、化学性能；半导体纳米量子点；Si基纳米薄膜与器件；纳米薄膜的电子转移和单电子电导等。本书可供从事纳米材料的纳米电子器件研究工作的行业技术人员及相关专业本科和研究生参考。
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目录:
第1章导论1
11纳米学的基本概念和内涵1
111纳米学的基本概念1
112纳米材料研究范围和内容2
113纳米材料的电子结构3
114纳米材料研究中的物理问题4
115纳米材料的化学性能7
12纳米微粒10
13纳米薄膜11
14纳米材料和技术发展现状18
141纳米材料和技术发展简史18
142纳米技术在飞速发展19
15纳米薄膜材料和器件在高科技中的地位24
151纳电子器件基本概念24
152纳电子器件特性26
参考文献27
第2章纳米薄膜材料的制备方法和性能29
21纳米薄膜的制备方法30
211蒸发冷凝法30
212溅射法32
213微波法36
214分子束外延37
215金属有机化学气相沉积40
216溶胶凝胶法43
217化学气相沉积法46
218电化学法（电沉积）49
219分子自组装技术51
2110模板合成法54
22纳米薄膜的性能55
221力学性能55
222光学性能58
223电磁学特性59
224气敏特性60
23性能检测61
参考文献62
第3章半导体纳米量子点63
31半导体量子点的研究概况63
32CdS胶体量子点的制备和量子尺寸效应67
321CdS量子点的制备和结构67
322量子尺寸效应69
323CdS量子点的光致发光特性71
33CdS/CuS/CdS量子点及量子阱73
331CdS/CuS/CdS量子点量子阱结构的制备74
332CdS/CuS/CdS三层结构的验证75
333CdS/CuS/CdS体系的光学特性78
34InAs/GaAs和InGaAs/GaAs量子点制备、特性和
应用79
341InAs/GaAs量子点79
342InGaAs/GaAs量子点83
35ZnO量子点——半导体激光器新材料88
351ZnSe基激光器存在的问题88
352ZnO材料的基本特性89
353ZnO的外延生长90
354ZnO量子点的光学特性91
36电沉积量子点［CdSe/Au，Cd（Se，Te）/Au，
（Cd，Zn）Se/Au］93
361CdSe/Au系统94
362Cd（Se，Te）/Au系统95
363（Cd，Zn）Se/Au系统95
参考文献97
第4章Si基纳米薄膜材料与器件98
41Si发光面临的问题100
411Si和Ge是间接型能带结构100
412Si纳米晶激光器初现端倪101
413纳米Si薄膜的制备方法103
42Ge纳米晶发光膜（Ge/SiO2）106
421Ge纳米发光膜的制备106
422Ge纳米晶的发光特性107
423Ge纳米晶发光机理110
43纳米SiC发光薄膜111
431HFCVD法制备纳米SiC薄膜112
432MWECR法制备纳米SiC薄膜113
44纳米多孔Si膜发光117
441多孔Si的结构118
442多孔Si的光学性质120
443多孔Si的形成122
444多孔Si的制作及其钝化123
45纳米Si薄膜器件125
451纳米Si薄膜掺杂的可控性125
452掺杂纳米Si薄膜的热稳定性126
453纳米Si异质结二极管的独特性能127
参考文献129
第5章纳米材料的模板合成法130
51厚膜模板法合成纳米阵列131
511模板的制备和分类132
512纳米结构的厚膜模板合成方法和技术要点134
52模板法制备纳米线137
521碳纳米管模板法137
522氧化铝模板法140
523聚合物膜模板法142
53模板法合成高度取向碳纳米管有序阵列膜146
531碳纳米管有序阵列膜的制备过程146
532碳纳米管阵列膜场发射特性149
54模板法制备TiO2纳米管151
541多孔阳极氧化铝（PAA）模板的制备151
542TiO2纳米管的制备152
543TiO2纳米管的形貌和结构分析153
参考文献154
第6章纳米半导体薄膜的电子转移和纳米粒子的单电子
电导156
61纳米半导体薄膜的光学性质157
611电子存储和光致变色效应157
612光电流的产生160
613宽带隙半导体敏化162
614光催化164
62纳米半导体膜的电子转移原理166
621电荷从激活的染料注入到半导体纳米团簇166
622电荷注入过程动力学167
623半导体染料界面处电子转移调制171
624反向电子转移174
625半导体薄膜中的电子迁移176
63纳米粒子的单电子电导177
631单电子电导的发展历史179
632单电子电导的定义及静电特性184
633纳米粒子的单电子电导191
参考文献197
第7章纳米晶金属氧化物半导体与溶液界面处的电荷
转移200
71电致变色203
711V2O5203
712MoO3204
713WO3205
72光生伏特207
721TiO2208
722SnO2212
723ZnO212
73能量考虑213
731电势213
732其他问题215
74染料敏化纳米TiO2薄膜太阳能电池215
741染料敏化纳米TiO2薄膜太阳能电池的结构和
基本原理216
742用于染料敏化太阳能电池的纳米TiO2膜研究
进展219
参考文献223
第8章其他纳米薄膜材料制备、特性及应用225
81纳米AlN薄膜的导电性225
811纳米AlN薄膜的制备226
812纳米AlN薄膜的导电特性227
82纳米金刚石膜制备及场发射228
821热丝CVD法制备228
822微波法制备纳米金刚石膜及其场发射232
823纳米金刚石颗粒涂层法和场电子发射232
83纳米磁性薄膜材料及巨磁电阻效应234
831概述234
832纳米磁性材料的基本特性235
833纳米颗粒型磁性材料236
834纳米微晶磁性材料237
835纳米薄膜结构型磁性材料及巨磁电阻效应240
836Fe基、Co基软磁纳米薄膜的制备工艺和
特性242
84In2O3纳米晶及气敏特性246
841纳米In2O3材料和气敏元件的制备246
842气敏元件特性248
85V2O5纳米膜的制备及电致变色250
851PEO/V2O5纳米复合膜的制备251
852PEO/V2O5干凝胶薄膜的性能测试及电致
变色251
86WO3（V）纳米膜的制备、电致变色和气敏
特性254
861WO3薄膜的激光沉积255
862薄膜的结构分析255
863WO3（V）薄膜的电学性能257
864WO3（V）薄膜的气敏特性258
87纳米TiO2薄膜的导电性和光吸收量子尺寸效应259
871磁控法制备的纳米TiO2薄膜的导电性与带隙
宽度260
872纳米TiO2的光吸收量子尺寸效应262
88纳米晶PZT/PT铁电薄膜的尺寸效应266
881纳米薄膜样品制备266
882X射线衍射分析267
883电滞回线测试268
89Ag/Ni纳米多层膜的点阵应变现象269
891纳米多层膜270
892Ag/Ni纳米多层膜间界面处晶格应变及弛豫
现象270
810TiSiN纳米薄膜的超硬性272
8101超硬TiN膜存在的问题272
8102TiSiN纳米薄膜的制备272
8103TiSiN纳米膜的性能分析274
811ZnS/Ag/ZnS纳米多层薄膜及平面显示器透明
电极276
8111ZnS/Ag/ZnS纳米多层膜替代ITO膜276
8112真空蒸镀法制备纳米多层膜277
8113纳米多层膜的光学性能277
8114纳米多层膜导电性能281
8115透明导电多层膜的性能评价282
812纳米Al膜介电函数的尺寸、频率效应283
813纳米氮化硼薄膜的场发射284
8131纳米氮化硼薄膜的制备285
8132纳米氮化硼薄膜的场发射性能285
参考文献288
第9章纳米材料及纳米器件研究和发展的前景290
91国际方面的最新研究进展290
911关于碳纳米管的研究进展290
912纳米线及相关的纳米器件292
913特种结构、异质纳米复合结构293
914有关异质结构的新的制备方法294
92国内近期在准一维纳米材料方面的最新研究情况294
921技术创新的几个方面294
922已取得的重要成果296
93纳米相复合材料和纳米结构微米结构复合材料297
94纳米材料的应用前景298
参考文献298
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