信息功能材料手册(上册)

信息功能材料手册(上册)
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作者:
2009-07
版次: 1
ISBN: 9787122053381
定价: 130.00
装帧: 精装
开本: 16开
纸张: 胶版纸
页数: 649页
字数: 1883千字
分类: 工程技术
7人买过
  • 《信息功能材料手册》涉及信息的获取、传输、存储、显示和处理等主要技术用的材料与器件,对各种材料的结构、性能、制备工艺以及电子器件的制造和应用都进行了详细的介绍。《信息功能材料手册(上)》不仅全面系统地反映了国外信息功能材料研究领域的现状、最新进展和发展趋势,而且也特别注重我国在该领域的研发和产业化方面取得的成果,力图使其具有实用性、先进性和权威性。《信息功能材料手册(上)》的出版,将有力推动我国信息技术和信息产业的健康发展。
    《信息功能材料手册(上)》主要供从事信息功能材料的科研工作者和工程技术人员查阅使用。 第1篇概论
    第1章信息功能材料在信息技术中的战略地位
    第2章信息功能材料的发展现状和趋势

    第2篇半导体硅材料
    第1章概述
    第2章硅单晶的制备
    第3章硅晶体的机械性质
    第4章硅晶体表面性质
    第5章硅晶体的腐蚀
    第6章硅晶片加工工艺
    第7章硅单晶的缺陷
    第8章硅单晶中轻元素杂质
    第9章硅单晶中的过渡族金属杂质和吸杂
    第10章其它硅材料
    第11章硅材料的发光

    第3篇集成电路制造技术
    第1章集成电路设计技术
    第2章微细加工技术
    第3章集成电路工艺技术
    第4章CMOS器件及电路制造技术
    第5章双极型器件及电路制造技术
    第6章半导体功率器件及电路
    第7章化合物半导体器件和电路
    第8章集成电路封装技术

    第4篇硅基异质结构材料和器件
    第1章概论
    第2章SiGe的晶体结构
    第3章SiGe的能带结构
    第4章SiGe的力学性质、热学性质和Raman光谱
    第5章SiGe的电学性质和磁学性质
    第6章SiGe的光学性质
    第7章SiGe(001)的原子再构和表面性质
    第8章SiGeC/Si异质结
    第9章硅基Ⅲ—Ⅴ族半导体异质结构
    第10章SOI材料和器件
    第11章硅基二氧化硅材料第
    第12章Si基异质结构的外延生长
    第13章Si基异质结构电子器件
    第14章硅基光电子器件

    第5篇化合物半导体材料
    第1章CaAs和InP的结构和性质
    第2章GaAs和InP的制备
    第3章GaAs和InP中的杂质和缺陷
    第4章GaAs和InP测试表征
    第5章GaAs和InP的应用
    第6章其他常见化合物半导体材料

    第6篇宽带隙半导体及其应用
    第1章导论
    第2章Ⅲ族氮化物半导体材料
    第3章Ⅲ族氮化物半导体基本物理性质
    第4章Ⅲ族氮化物半导体器件应用
    第5章氧化锌(ZnO)半导体
    第6章碳化硅半导体
    第7章金刚石半导体
    第8章Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体
    第9章宽禁带稀释磁性半导体材料
  • 内容简介:
    《信息功能材料手册》涉及信息的获取、传输、存储、显示和处理等主要技术用的材料与器件,对各种材料的结构、性能、制备工艺以及电子器件的制造和应用都进行了详细的介绍。《信息功能材料手册(上)》不仅全面系统地反映了国外信息功能材料研究领域的现状、最新进展和发展趋势,而且也特别注重我国在该领域的研发和产业化方面取得的成果,力图使其具有实用性、先进性和权威性。《信息功能材料手册(上)》的出版,将有力推动我国信息技术和信息产业的健康发展。
    《信息功能材料手册(上)》主要供从事信息功能材料的科研工作者和工程技术人员查阅使用。
  • 目录:
    第1篇概论
    第1章信息功能材料在信息技术中的战略地位
    第2章信息功能材料的发展现状和趋势

    第2篇半导体硅材料
    第1章概述
    第2章硅单晶的制备
    第3章硅晶体的机械性质
    第4章硅晶体表面性质
    第5章硅晶体的腐蚀
    第6章硅晶片加工工艺
    第7章硅单晶的缺陷
    第8章硅单晶中轻元素杂质
    第9章硅单晶中的过渡族金属杂质和吸杂
    第10章其它硅材料
    第11章硅材料的发光

    第3篇集成电路制造技术
    第1章集成电路设计技术
    第2章微细加工技术
    第3章集成电路工艺技术
    第4章CMOS器件及电路制造技术
    第5章双极型器件及电路制造技术
    第6章半导体功率器件及电路
    第7章化合物半导体器件和电路
    第8章集成电路封装技术

    第4篇硅基异质结构材料和器件
    第1章概论
    第2章SiGe的晶体结构
    第3章SiGe的能带结构
    第4章SiGe的力学性质、热学性质和Raman光谱
    第5章SiGe的电学性质和磁学性质
    第6章SiGe的光学性质
    第7章SiGe(001)的原子再构和表面性质
    第8章SiGeC/Si异质结
    第9章硅基Ⅲ—Ⅴ族半导体异质结构
    第10章SOI材料和器件
    第11章硅基二氧化硅材料第
    第12章Si基异质结构的外延生长
    第13章Si基异质结构电子器件
    第14章硅基光电子器件

    第5篇化合物半导体材料
    第1章CaAs和InP的结构和性质
    第2章GaAs和InP的制备
    第3章GaAs和InP中的杂质和缺陷
    第4章GaAs和InP测试表征
    第5章GaAs和InP的应用
    第6章其他常见化合物半导体材料

    第6篇宽带隙半导体及其应用
    第1章导论
    第2章Ⅲ族氮化物半导体材料
    第3章Ⅲ族氮化物半导体基本物理性质
    第4章Ⅲ族氮化物半导体器件应用
    第5章氧化锌(ZnO)半导体
    第6章碳化硅半导体
    第7章金刚石半导体
    第8章Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体
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