SOI纳米技术时代的高端硅基材料

作者: 林成鲁著

出版社: 中国科学技术大学出版社

出版时间: 2009-06

版次: 1

ISBN: 9787312022333

定价: 88.00

装帧: 平装

开本: 16开

纸张: 胶版纸

页数: 468页

字数: 500千字

正文语种: 简体中文

丛书: 当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·中国科学技术大学校友文库

分类: 工程技术

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绝缘体上硅（silicononinsulator，SOI）技术在高速、低压低功耗电路、高压电路、抗辐射、耐高温电路、微机械传感器、光电集成等方面具有重要应用，是微电子和光电子领域发展的前沿，被国际上公认为“二十一世纪的硅集成电路技术”。《SOI：纳米技术时代的高端硅基材料》收集的纳米技术时代的高端硅基SOI材料方面的研究论文40篇，主要内容包括：SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展，SOI新材料的制备科学，SOI材料与器件特有的物理效应，绝缘体上锗硅（silicongermaniumoninsulator，SGOI）新结构和应变硅的制备科学，SOI技术的若干应用研究等。书中包含了高端硅基材料前沿领域的多方面创新研究成果。《SOI：纳米技术时代的高端硅基材料》可作为微电子、光电子、微机械、半导体材料、纳米材料等专业的大专院校师生和专业技术人员重要的参考书，也可以作为信息领域其他专业的师生、科研人员和工程技术人员参考资料。林成鲁，1965年毕业于中国科技大学近代化学系，现为中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师，上海新傲科技有限公司总工程师。长期从事高端硅基半导体新材料SOI（silicononinsulator）的研究。20世纪80年代，在国内率先开展SOI技术基础研究；90年代，作为SOI创新项目总设计师，组织领导突破SOI材料工程化的关键技术；2001年开始，作为新傲公司总工程师，为成功实现SOI研究成果转化，打破国外的技术封锁，为建成国内唯一的SOI材料工业化生产线做出了重要贡献，实现了我国微电子材料的跨越式发展，取得了重大的经济和社会效益。先后承担国家攻关、“973”、“863”等多项国家重大项目。在国内外刊物上发表论文300余篇，被SCI收录的论文240余篇。申请的国家发明专利19项，其中已授权12项。前后已为国家培养数十名研究生，所培养的研究生中获全国百篇优秀博士论文2名。曾获得国家科技进步一等奖、中科院杰出科技成就奖等十一项奖励。 SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展
纳米技术时代的高端硅基材料——SOI、sSOI和GOI
SOI技术的发展动态
硅基光电子材料和器件的进展和发展趋势
FabricationofSiGe-on-insulatorandapplicationsforstrainedSi
OverviewofSOImaterialstechnologyinChina
SOI新材料的制备科学
以注氧隔离（SIMOX）技术制备高阻SOI材料
硅中注H+引起的缺陷和应力以及剥离的机制
以AlN为绝缘埋层的新结构SOAN材料
多孔硅外延层转移技术制备SOI材料
ELTRAN技术制备双埋层SOIM新结构
SOI新结构——SOI研究的新动向
Fabricationofsilicon．on．AlNnovelstructureanditsresidualstraincharacterization·
BuriedtungstensilicidelayerinsilicononinsulatorsubstratebySmart-cut
Void—freelow-temperaturesilicondirect—bondingtechniqueusingplasmaactivation
MicrostructureandcrystallinityofporoussiliconandepitaxialsiliconlayersfabricatedonP+poroussilicon
Formationofsilicon-on-diamondbydirectbondingofplasma-synthesizeddiamond-likecarbontosilicon
Thermalstabilityofdiamondlikecarbonburiedlayerfabricatedbyplasmaimmersionionimplantationanddepositioninsilicononinsulator
StudyofSOIsubstratesincorporatedwithburiedMoSizlayer
SOI材料与器件特有的物理效应
S0IMOSFET浮体效应研究
SOIMOSFET的自加热效应研究
S0I器件的辐射效应及其在抗辐射电子学方面的应用进展
EvolutionofhydrogenandheliumCO-implantedsingle-crystalsiliconduringannealing
……
SGOI新结构和应变硅的制备科学
SOI技术的若干应用研究
内容简介:
绝缘体上硅（silicononinsulator，SOI）技术在高速、低压低功耗电路、高压电路、抗辐射、耐高温电路、微机械传感器、光电集成等方面具有重要应用，是微电子和光电子领域发展的前沿，被国际上公认为“二十一世纪的硅集成电路技术”。《SOI：纳米技术时代的高端硅基材料》收集的纳米技术时代的高端硅基SOI材料方面的研究论文40篇，主要内容包括：SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展，SOI新材料的制备科学，SOI材料与器件特有的物理效应，绝缘体上锗硅（silicongermaniumoninsulator，SGOI）新结构和应变硅的制备科学，SOI技术的若干应用研究等。书中包含了高端硅基材料前沿领域的多方面创新研究成果。《SOI：纳米技术时代的高端硅基材料》可作为微电子、光电子、微机械、半导体材料、纳米材料等专业的大专院校师生和专业技术人员重要的参考书，也可以作为信息领域其他专业的师生、科研人员和工程技术人员参考资料。
作者简介:
林成鲁，1965年毕业于中国科技大学近代化学系，现为中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师，上海新傲科技有限公司总工程师。长期从事高端硅基半导体新材料SOI（silicononinsulator）的研究。20世纪80年代，在国内率先开展SOI技术基础研究；90年代，作为SOI创新项目总设计师，组织领导突破SOI材料工程化的关键技术；2001年开始，作为新傲公司总工程师，为成功实现SOI研究成果转化，打破国外的技术封锁，为建成国内唯一的SOI材料工业化生产线做出了重要贡献，实现了我国微电子材料的跨越式发展，取得了重大的经济和社会效益。先后承担国家攻关、“973”、“863”等多项国家重大项目。在国内外刊物上发表论文300余篇，被SCI收录的论文240余篇。申请的国家发明专利19项，其中已授权12项。前后已为国家培养数十名研究生，所培养的研究生中获全国百篇优秀博士论文2名。曾获得国家科技进步一等奖、中科院杰出科技成就奖等十一项奖励。
目录:
SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展
纳米技术时代的高端硅基材料——SOI、sSOI和GOI
SOI技术的发展动态
硅基光电子材料和器件的进展和发展趋势
FabricationofSiGe-on-insulatorandapplicationsforstrainedSi
OverviewofSOImaterialstechnologyinChina
SOI新材料的制备科学
以注氧隔离（SIMOX）技术制备高阻SOI材料
硅中注H+引起的缺陷和应力以及剥离的机制
以AlN为绝缘埋层的新结构SOAN材料
多孔硅外延层转移技术制备SOI材料
ELTRAN技术制备双埋层SOIM新结构
SOI新结构——SOI研究的新动向
Fabricationofsilicon．on．AlNnovelstructureanditsresidualstraincharacterization·
BuriedtungstensilicidelayerinsilicononinsulatorsubstratebySmart-cut
Void—freelow-temperaturesilicondirect—bondingtechniqueusingplasmaactivation
MicrostructureandcrystallinityofporoussiliconandepitaxialsiliconlayersfabricatedonP+poroussilicon
Formationofsilicon-on-diamondbydirectbondingofplasma-synthesizeddiamond-likecarbontosilicon
Thermalstabilityofdiamondlikecarbonburiedlayerfabricatedbyplasmaimmersionionimplantationanddepositioninsilicononinsulator
StudyofSOIsubstratesincorporatedwithburiedMoSizlayer
SOI材料与器件特有的物理效应
S0IMOSFET浮体效应研究
SOIMOSFET的自加热效应研究
S0I器件的辐射效应及其在抗辐射电子学方面的应用进展
EvolutionofhydrogenandheliumCO-implantedsingle-crystalsiliconduringannealing
……
SGOI新结构和应变硅的制备科学
SOI技术的若干应用研究

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