国外经典计算机科学教材系列:CMOS超大规模集成电路设计(第3版)

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作者: [美] , [美] ,
2006-04
版次: 1
ISBN: 9787508338620
定价: 89.00
装帧: 平装
开本: 16开
纸张: 胶版纸
页数: 784页
字数: 1361千字
  • 《国外经典计算机科学教材系列:CMOS超大规模集成电路设计(第3版)》覆盖了从数字系统一级到电路一级的CMOS设计方法,其中既介绍了一些基本原理,也介绍了许多很好的设计经验。 Neil H.E.Weste是NHEW R&D Pty Ltd.的主管,同时也是Macquarie大学和Adelaide大学的兼职教授。他在Adelaide大学获得了电子学的学士、硕士与博士学位。他的研究方向包括无线技术、片上系统、模拟技术、RF与数字IC设计以及一些前沿技术。 译者序
    前言
    第1章概论
    1.1集成电路的短暂历程
    1.2本书提要
    1.3MOS晶体管
    1.4CMOS逻辑
    1.5CMOS的制作和版图设计
    1.6设计划分
    1.7设计实例:一个简单的MIPS微处理器
    1.8逻辑设计
    1.9电路设计
    1.10物理设计
    1.11设计验证
    1.12制造、封装和测试
    本章小结
    习题
    第2章MOS晶体管理论
    2.1引言
    2.2理想的I-V特性
    2.3C-V特性
    2.4非线性I-V效应
    2.5直流传输特性
    2.6开关级RC延迟模型
    2.7常见误区
    本章小结
    习题
    第3章CMOS工艺技术
    3.1引言
    3.2CMOS技术
    3.3版图设计规则
    3.4CMOS工艺增强技术
    3.5与工艺相关的CAD问题
    3.6有关制造问题
    3.7常见误区
    3.8历史透视
    本章小结
    习题
    第4章电路表征及性能评价
    4.1引言
    4.2延迟估算
    4.3逻辑功效与晶体管缩放
    4.4功耗
    4.5互连
    4.6布线工程
    4.7设计容限
    4.8可靠性
    4.9按比例缩小
    4.10常见误区
    4.11历史透视
    本章小结
    习题
    第5章电路模拟
    5.1概述
    5.2SPICE模拟器简介
    5.3器件模型
    5.4描述器件特性
    5.5电路特性的表征
    5.6互连模拟
    5.7常见误区
    本章小结
    习题
    第6章组合电路设计
    6.1引言
    6.2电路系列
    6.3电路缺陷
    6.4其他电路系列
    6.5低功耗逻辑设计
    6.6各种电路系列的比较
    6.7SOI电路设计
    6.8常见误区
    6.9历史透视
    本章小结
    习题
    第7章时序电路设计
    7.1引言
    ……
    第8章设计方法学和工具
    第9章测试和验证
    第10章数据通路子系统
    第11章阵列子系统
    第12章专用子系统
    附录AVerilog
    附录BVHDL
  • 内容简介:
    《国外经典计算机科学教材系列:CMOS超大规模集成电路设计(第3版)》覆盖了从数字系统一级到电路一级的CMOS设计方法,其中既介绍了一些基本原理,也介绍了许多很好的设计经验。
  • 作者简介:
    Neil H.E.Weste是NHEW R&D Pty Ltd.的主管,同时也是Macquarie大学和Adelaide大学的兼职教授。他在Adelaide大学获得了电子学的学士、硕士与博士学位。他的研究方向包括无线技术、片上系统、模拟技术、RF与数字IC设计以及一些前沿技术。
  • 目录:
    译者序
    前言
    第1章概论
    1.1集成电路的短暂历程
    1.2本书提要
    1.3MOS晶体管
    1.4CMOS逻辑
    1.5CMOS的制作和版图设计
    1.6设计划分
    1.7设计实例:一个简单的MIPS微处理器
    1.8逻辑设计
    1.9电路设计
    1.10物理设计
    1.11设计验证
    1.12制造、封装和测试
    本章小结
    习题
    第2章MOS晶体管理论
    2.1引言
    2.2理想的I-V特性
    2.3C-V特性
    2.4非线性I-V效应
    2.5直流传输特性
    2.6开关级RC延迟模型
    2.7常见误区
    本章小结
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    第3章CMOS工艺技术
    3.1引言
    3.2CMOS技术
    3.3版图设计规则
    3.4CMOS工艺增强技术
    3.5与工艺相关的CAD问题
    3.6有关制造问题
    3.7常见误区
    3.8历史透视
    本章小结
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    第4章电路表征及性能评价
    4.1引言
    4.2延迟估算
    4.3逻辑功效与晶体管缩放
    4.4功耗
    4.5互连
    4.6布线工程
    4.7设计容限
    4.8可靠性
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    5.4描述器件特性
    5.5电路特性的表征
    5.6互连模拟
    5.7常见误区
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    习题
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    6.1引言
    6.2电路系列
    6.3电路缺陷
    6.4其他电路系列
    6.5低功耗逻辑设计
    6.6各种电路系列的比较
    6.7SOI电路设计
    6.8常见误区
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