CMOS模拟集成电路设计（第三版）

作者: [美] Phillip E. Allen(菲利普·E. 艾伦 , Douglas R. Holberg(道格拉斯·R. 霍尔伯格

出版社: 电子工业出版社

出版时间: 2023-03

版次: 1

ISBN: 9787121452123

定价: 129.00

装帧: 其他

页数: 460页

分类: 教材教辅考试>教材>大学教材>工程技术

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本书是CMOS模拟集成电路设计课程的经典教材，从CMOS技术的前沿出发，结合丰富的实践与教学经验，对CMOS模拟集成电路设计的原理和技术以及容易被忽略的问题进行论述。全书共8章，主要介绍了模拟集成电路设计的背景知识、CMOS技术、器件模型及主要模拟电路的原理和设计，包括CMOS子电路、放大器、运算放大器及高性能运算放大器、比较器等。本书通过大量实例阐述设计原理，将理论与实践融为一体，提供了大量习题与部分习题解答。同时针对许多工业界人士的需求和问题进行了分析和解释。 Phillip E. Allen，佐治亚理工学院电气与计算机工程荣誉教授，IEEE会士。1970年获得堪萨斯大学电气工程博士学位，曾与劳伦斯利弗莫尔实验室、Delco、德州仪器、洛克希德和斯伦贝谢油井服务等多家公司合作。曾任教于内华达大学里诺分校、堪萨斯大学、加州大学圣巴巴拉分校和德州农工大学，具有丰富的教学经验。

Phillip E. Allen，佐治亚理工学院电气与计算机工程荣誉教授，IEEE会士。1970年获得堪萨斯大学电气工程博士学位，曾与劳伦斯利弗莫尔实验室、Delco、德州仪器、洛克希德和斯伦贝谢油井服务等多家公司合作。曾任教于内华达大学里诺分校、堪萨斯大学、加州大学圣巴巴拉分校和德州农工大学，具有丰富的教学经验。第1章  绪论1

1.1  模拟集成电路设计1

1.2  字符、符号和术语5

1.3  模拟信号处理7

1.4  模拟VLSI混合信号电路设计举例8

1.5  小结12

习题13

参考文献14

第2章  CMOS技术15

2.1  基本MOS半导体制造工艺15

2.2  pn结27

2.3  MOS晶体管32

2.4  无源元件37

2.5  关于CMOS技术的其他考虑42

2.6  小结48

习题49

参考文献52

第3章  CMOS器件模型54

3.1  简单的MOS管大信号模型 (SPICE LEVEL 1)54

3.2  其他MOS管大信号模型的参数61

3.3  MOS管的小信号模型70

3.4  计算机仿真模型73

3.5  亚阈区MOS管模型78

3.6  MOS电路的SPICE仿真79

3.7  小结87

习题87

参考文献91

第4章  模拟CMOS子电路92

4.1  MOS开关92

4.2  MOS二极管/有源电阻101

4.3  电流漏和电流源103

4.4  电流镜111

4.5  基准电流和电压118

4.6  与温度无关的基准125

4.7  小结138

4.8  设计性习题138

习题139

参考文献149

第5章  CMOS放大器150

5.1  反相器150

5.2  差分放大器160

5.3  共源共栅放大器175

5.4  电流放大器185

5.5  输出放大器189

5.6  小结198

习题198

参考文献210

第6章  CMOS运算放大器211

6.1  CMOS运算放大器设计211

6.2  运算放大器的补偿219

6.3  两级运算放大器设计231

6.4  两级运算放大器的电源抑制比244

6.5  共源共栅运算放大器249

6.6  运算放大器的仿真和测量264

6.7  小结274

习题275

参考文献284

第7章  高性能CMOS运算放大器285

7.1  缓冲运算放大器286

7.2  高速 / 高频CMOS运算放大器299

7.3  差分输出运算放大器310

7.4  微功耗运算放大器320

7.5  低噪声运算放大器327

7.6  低电压运算放大器337

7.7  小结350

习题351

参考文献355

第8章  比较器357

8.1  比较器的特性357

8.2  两级开环比较器360

8.3  其他开环比较器372

8.4  开环比较器性能的改进374

8.5  离散时间比较器383

8.6  高速比较器389

8.7  小结393

习题393

参考文献397

附录A  模拟电路设计的电路分析398

附录B  集成电路版图407

附录C  CMOS器件性能426

附录D  二阶系统的时域和频域关系445
内容简介:
本书是CMOS模拟集成电路设计课程的经典教材，从CMOS技术的前沿出发，结合丰富的实践与教学经验，对CMOS模拟集成电路设计的原理和技术以及容易被忽略的问题进行论述。全书共8章，主要介绍了模拟集成电路设计的背景知识、CMOS技术、器件模型及主要模拟电路的原理和设计，包括CMOS子电路、放大器、运算放大器及高性能运算放大器、比较器等。本书通过大量实例阐述设计原理，将理论与实践融为一体，提供了大量习题与部分习题解答。同时针对许多工业界人士的需求和问题进行了分析和解释。
作者简介:
Phillip E. Allen，佐治亚理工学院电气与计算机工程荣誉教授，IEEE会士。1970年获得堪萨斯大学电气工程博士学位，曾与劳伦斯利弗莫尔实验室、Delco、德州仪器、洛克希德和斯伦贝谢油井服务等多家公司合作。曾任教于内华达大学里诺分校、堪萨斯大学、加州大学圣巴巴拉分校和德州农工大学，具有丰富的教学经验。

Phillip E. Allen，佐治亚理工学院电气与计算机工程荣誉教授，IEEE会士。1970年获得堪萨斯大学电气工程博士学位，曾与劳伦斯利弗莫尔实验室、Delco、德州仪器、洛克希德和斯伦贝谢油井服务等多家公司合作。曾任教于内华达大学里诺分校、堪萨斯大学、加州大学圣巴巴拉分校和德州农工大学，具有丰富的教学经验。
目录:
第1章  绪论1

1.1  模拟集成电路设计1

1.2  字符、符号和术语5

1.3  模拟信号处理7

1.4  模拟VLSI混合信号电路设计举例8

1.5  小结12

习题13

参考文献14

第2章  CMOS技术15

2.1  基本MOS半导体制造工艺15

2.2  pn结27

2.3  MOS晶体管32

2.4  无源元件37

2.5  关于CMOS技术的其他考虑42

2.6  小结48

习题49

参考文献52

第3章  CMOS器件模型54

3.1  简单的MOS管大信号模型 (SPICE LEVEL 1)54

3.2  其他MOS管大信号模型的参数61

3.3  MOS管的小信号模型70

3.4  计算机仿真模型73

3.5  亚阈区MOS管模型78

3.6  MOS电路的SPICE仿真79

3.7  小结87

习题87

参考文献91

第4章  模拟CMOS子电路92

4.1  MOS开关92

4.2  MOS二极管/有源电阻101

4.3  电流漏和电流源103

4.4  电流镜111

4.5  基准电流和电压118

4.6  与温度无关的基准125

4.7  小结138

4.8  设计性习题138

习题139

参考文献149

第5章  CMOS放大器150

5.1  反相器150

5.2  差分放大器160

5.3  共源共栅放大器175

5.4  电流放大器185

5.5  输出放大器189

5.6  小结198

习题198

参考文献210

第6章  CMOS运算放大器211

6.1  CMOS运算放大器设计211

6.2  运算放大器的补偿219

6.3  两级运算放大器设计231

6.4  两级运算放大器的电源抑制比244

6.5  共源共栅运算放大器249

6.6  运算放大器的仿真和测量264

6.7  小结274

习题275

参考文献284

第7章  高性能CMOS运算放大器285

7.1  缓冲运算放大器286

7.2  高速 / 高频CMOS运算放大器299

7.3  差分输出运算放大器310

7.4  微功耗运算放大器320

7.5  低噪声运算放大器327

7.6  低电压运算放大器337

7.7  小结350

习题351

参考文献355

第8章  比较器357

8.1  比较器的特性357

8.2  两级开环比较器360

8.3  其他开环比较器372

8.4  开环比较器性能的改进374

8.5  离散时间比较器383

8.6  高速比较器389

8.7  小结393

习题393

参考文献397

附录A  模拟电路设计的电路分析398

附录B  集成电路版图407

附录C  CMOS器件性能426

附录D  二阶系统的时域和频域关系445