纳米科学与技术：自旋电子学导论（下卷）

作者: 韩秀峰著

出版社: 科学出版社

出版时间: 2014-08

版次: 1

ISBN: 9787030418258

定价: 160.00

装帧: 精装

开本: 32开

纸张: 胶版纸

页数: 534页

字数: 840千字

正文语种: 简体中文

丛书: 纳米科学与技术

分类: 自然科学

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　　《纳米科学与技术：自旋电子学导论（下卷）》由工作在自旋电子学研究领域里的国内外50余位学者撰写而成。《纳米科学与技术：自旋电子学导论（下卷）》分两卷、共28章，各章均由该领域富有研究经验的知名专家负责，较全面地介绍和论述了目前自旋电子学研究领域中的各个重要研究方向及其进展，并重点关注自旋电子学的关键材料探索、物理效应研究及其原理型器件的设计开发和实际应用。
　　《纳米科学与技术：自旋电子学导论（下卷）》适合物理（特别是自旋电子学）及相关领域的大学本科高年级学生、研究生、教师、工程师和科研工作者等参考阅读。　　韩秀峰，中国科学院物理研究所研究员、博士生导师、课题组组长。1984年毕业于兰州大学物理系，1993年在吉林大学获博士学位。主要从事“自旋电子学材料、物理和器、件”研究，包括：磁性隧道结及隧穿磁电阻（TMR）效应、多种铁磁复合隧道结（MTJ）材料、新型磁随机存取存储器（MRAM）、磁逻辑、自旋纳米振荡器、自旋晶体管、磁电阻磁敏传感器等原理型器件的研究。已发表SCI学术论文200余篇，获得中国发明专利授权50余项和国际专利授权5项。与合作者研制成功一种新型纳米环磁随机存取存储器（NanoringMRAM）原理型演示器件、四种磁电阻磁敏传感器原理型演示器件；其中“纳米环磁性隧道结及新型纳米环磁随机存取存储器的基础性研究”获2013年度北京市科学技术奖一等奖。下卷
第16章热自旋电子学
第12章自旋霍尔效应、反常霍尔效应和拓扑绝缘体
第13章介观器件中的自旋轨道耦合和自旋流
第14章半导体中的自旋轨道耦合及其物理效应
第17章Ⅲ-Ⅴ族磁性半导体（Ga，Mn）As
第18章氧化物稀磁半导体
第19章有机半导体异质结构及其磁电阻效应
第20章有机复合磁性纳米结构中的理论计算研究
第21章碳基自旋电子学
第22章单相多铁性材料与磁电耦合效应
第23章多铁性材料BiFeO3的性质和应用
第24章基于磁电耦合效应的电控磁性研究
第25章自旋结构的高分辨电子显微测量技术
第26章微纳米加工技术及工艺
第27章自旋电子学的器件应用
第28章自旋电子学发展态势分析
索引
彩图
内容简介:
　　《纳米科学与技术：自旋电子学导论（下卷）》由工作在自旋电子学研究领域里的国内外50余位学者撰写而成。《纳米科学与技术：自旋电子学导论（下卷）》分两卷、共28章，各章均由该领域富有研究经验的知名专家负责，较全面地介绍和论述了目前自旋电子学研究领域中的各个重要研究方向及其进展，并重点关注自旋电子学的关键材料探索、物理效应研究及其原理型器件的设计开发和实际应用。
　　《纳米科学与技术：自旋电子学导论（下卷）》适合物理（特别是自旋电子学）及相关领域的大学本科高年级学生、研究生、教师、工程师和科研工作者等参考阅读。
作者简介:
　　韩秀峰，中国科学院物理研究所研究员、博士生导师、课题组组长。1984年毕业于兰州大学物理系，1993年在吉林大学获博士学位。主要从事“自旋电子学材料、物理和器、件”研究，包括：磁性隧道结及隧穿磁电阻（TMR）效应、多种铁磁复合隧道结（MTJ）材料、新型磁随机存取存储器（MRAM）、磁逻辑、自旋纳米振荡器、自旋晶体管、磁电阻磁敏传感器等原理型器件的研究。已发表SCI学术论文200余篇，获得中国发明专利授权50余项和国际专利授权5项。与合作者研制成功一种新型纳米环磁随机存取存储器（NanoringMRAM）原理型演示器件、四种磁电阻磁敏传感器原理型演示器件；其中“纳米环磁性隧道结及新型纳米环磁随机存取存储器的基础性研究”获2013年度北京市科学技术奖一等奖。
目录:
下卷
第16章热自旋电子学
第12章自旋霍尔效应、反常霍尔效应和拓扑绝缘体
第13章介观器件中的自旋轨道耦合和自旋流
第14章半导体中的自旋轨道耦合及其物理效应
第17章Ⅲ-Ⅴ族磁性半导体（Ga，Mn）As
第18章氧化物稀磁半导体
第19章有机半导体异质结构及其磁电阻效应
第20章有机复合磁性纳米结构中的理论计算研究
第21章碳基自旋电子学
第22章单相多铁性材料与磁电耦合效应
第23章多铁性材料BiFeO3的性质和应用
第24章基于磁电耦合效应的电控磁性研究
第25章自旋结构的高分辨电子显微测量技术
第26章微纳米加工技术及工艺
第27章自旋电子学的器件应用
第28章自旋电子学发展态势分析
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