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半导体材料及器件辐射缺陷与表征方法（2021材料基金）

半导体材料及器件辐射缺陷与表征方法（2021材料基金）
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作者:
出版社: 哈尔滨工业大学出版社
2023-07
版次: 1
ISBN: 9787576705447
定价: 128.00
装帧: 其他
开本: 16开
纸张: 胶版纸
页数: 401页
字数: 500.000千字
分类: 教材教辅考试>教材>大学教材>工程技术
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  • 空间辐射诱导缺陷是导致电子元器件性能退化的重要原因，然而辐射诱导缺陷的形成、演化和性质与半导体材料本身物理属性、器件类型及结构密切相关。全书共分为4章，系统阐述了辐射诱导半导体缺陷的相关理论、数值模拟方法、表征技术及应用。
      本书可供从事航天技术研究的专业人员和相关应用领域的科技人员参考，也可作为高等院校航空宇航科学与技术、空间科学、材料物理和集成电路学科的研究生教材。
  • 内容简介:
    空间辐射诱导缺陷是导致电子元器件性能退化的重要原因，然而辐射诱导缺陷的形成、演化和性质与半导体材料本身物理属性、器件类型及结构密切相关。全书共分为4章，系统阐述了辐射诱导半导体缺陷的相关理论、数值模拟方法、表征技术及应用。
      本书可供从事航天技术研究的专业人员和相关应用领域的科技人员参考，也可作为高等院校航空宇航科学与技术、空间科学、材料物理和集成电路学科的研究生教材。
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