半导体材料表征方法与技术

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作者: 编著 ,
2023-04
版次: 1
ISBN: 9787569531480
定价: 40.00
装帧: 其他
开本: 16开
纸张: 胶版纸
页数: 152页
字数: 184千字
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  • 本书以数据分析为基础,探讨了半导体材料及器件的特征参数分析和检测的方法和技术。全书共七章,包括数据的统计分析、半导体物理基础、半导体材料的接触及能带结构测量、半导体缺陷及测量、载流子迁移率的测量、载流子动力学和太阳能电池的基本原理及表征,对相关材料专业学生和科研工作人员具有很好的参考价值和意义。 杨周,陕西师范大学材料科学与工程学院副教授,主要从事半导体材料制备与器件组装的研究工作,包括太阳能电池、光探测器、射线探测器等,自2020年起连年入选科睿唯安全球高被引科学家榜单。

    刘生忠,陕西师范大学材料科学与工程学院教授,中国科学院大连化学物理研究所特聘研究员,国家特聘专家。 第1章  实验数据的统计分析/1

    1.1  测量及误差/1

    1.1.1  测量/1

    1.1.2  误差的基本概念/2

    1.2  有效数字与数值运算/3

    1.2.1  有效数字/3

    1.2..2  数字的舍入与运算/4

    1.2.3  数字的运算规则/4

    1.3  误差分析理论/4

    1.3.1  测量结果的评价/4

    1.3.2  随机误差/5

    1.3  系统误差/8

    1.3.4  粗大误差/12

    1.3.5  误差的合成/13

    1.4  最佳测量方案的确定/19

    第2章  数据的拟合/21

    2.1  最小二乘法/22

    2.1.1  最小二乘法基本原理/22

    2.1.2  最小二乘法与最大似然法/23

    2.2  线性参数的最小二乘拟合/24

    2.2.1  直线拟合/24

    2.2.2  一般线性参数方程/27

    2.2.3  最小二乘法数据拟合的统计性质/30

    2.2.4  两个变量都具有误差时的直线拟合/35

    2.3  非线性参数的最小二乘拟合/37

    2.3.1  可化为线性拟合方程的非线性参数估计/37

    2.3.2  非线性参数的一般处理方法/40

    2.4  多项式曲线拟合/43

    2.4.1  多项式拟合原理/44

    2.4.2  测量数据的光滑处理/46

    2.4.3  多项式拟合阶数的选取/51

    2.5  正交多项式族的应用/55

    2.5.1  曲线拟合中正交多项式族的使用/55

    2.5.2  正交多项式族的构成/57

    2.5.3  自变量等间距变化的直线方程计算/60

    2.5.4  自变量等间距变化时多项式拟合计算/60

    第3章  半导体物理基础/65

    3.1  固体能带理论基础/66

    3.2  载流子的准经典运动/70

    3.2.1  布洛赫电子的有效质量和运动速度/70

    3.2.2  能带填充与材料导电特性/71

    3.3  平衡载流子的统计分布/75

    3.3.1  载流子浓度计算/75

    3.3.2  本征半导体/77

    3.3.3  非本征半导体/78

    3.4  半导体中的载流子输运/79

    3.4.1  载流子的漂移运动/79

    3.4.2  载流子的扩散运动/79

    3.5  非平衡载流子/80

    3.5.1  非平衡载流子的注入与复合/80

    3.5.2  准费米能级/83

    3.6  连续性方程/85

    第4章  半导体材料的接触及能带结构测量/87

    4.1  材料的功函数/87

    4.2  pn结的能带结构及特性/90

    4.2.1  pn结的能带结构/92

    4..2.2  pn结内的电场强度/92

    4.2.3  空间电荷区宽度和结电容/95

    4.3  金属和半导体接触/99

    4.4  材料费米能级及界面接触势垒的测试方法/101

    4.4.1  紫外光电子能谱/102

    4.4.2  开尔文探针/103

    第5章  半导体缺陷及测量/105

    5.1  载流子的产生 - 复合理论/105

    5.1.1  间接复合/106

    5.1.2  表面复合/110

    5.1.3  陷阱效应/111

    5.1.4  缺陷能级填充的动态描述/112

    5.2  电容法测量缺陷浓度/114

    5.2.1  稳态电容测量/116

    5.2.2  瞬态电容测量/116

    5.3  深能级瞬态谱(DLTS)/122

    5.4  导纳谱测试/123

    5.5  空间电荷限制电流法/124

    第6章 载流子迁移率的测量/126

    6.1  霍尔效应测量载流子迁移率/126

    6.2  飞行时间漂移迁移率/129

    6.3  空间电荷限制电流法/131

    第7章 载流子动力学/134

    7.1  影响过剩载流子寿命的过程/134

    7.2  时间分辨光致发光光谱/135

    7.3  瞬态吸收光谱/138

    7.4  光电导衰减法/140

    7.5  瞬态光电压谱/142

    第8章 太阳能电池的基本原理及表征/144

    8.1  半导体材料及器件的光学性能/144

    8.1.1  椭偏仪工作原理及材料光学常数的测量/145

    8.1.2  减反射膜/147

    8.1.3  陷光结构/148

    8.2  太阳能电池工作机制及等效电路/148

    8.3  太阳能电池能量转换效率/151

    8.4  光谱响应(量子效率)/152
  • 内容简介:
    本书以数据分析为基础,探讨了半导体材料及器件的特征参数分析和检测的方法和技术。全书共七章,包括数据的统计分析、半导体物理基础、半导体材料的接触及能带结构测量、半导体缺陷及测量、载流子迁移率的测量、载流子动力学和太阳能电池的基本原理及表征,对相关材料专业学生和科研工作人员具有很好的参考价值和意义。
  • 作者简介:
    杨周,陕西师范大学材料科学与工程学院副教授,主要从事半导体材料制备与器件组装的研究工作,包括太阳能电池、光探测器、射线探测器等,自2020年起连年入选科睿唯安全球高被引科学家榜单。

    刘生忠,陕西师范大学材料科学与工程学院教授,中国科学院大连化学物理研究所特聘研究员,国家特聘专家。
  • 目录:
    第1章  实验数据的统计分析/1

    1.1  测量及误差/1

    1.1.1  测量/1

    1.1.2  误差的基本概念/2

    1.2  有效数字与数值运算/3

    1.2.1  有效数字/3

    1.2..2  数字的舍入与运算/4

    1.2.3  数字的运算规则/4

    1.3  误差分析理论/4

    1.3.1  测量结果的评价/4

    1.3.2  随机误差/5

    1.3  系统误差/8

    1.3.4  粗大误差/12

    1.3.5  误差的合成/13

    1.4  最佳测量方案的确定/19

    第2章  数据的拟合/21

    2.1  最小二乘法/22

    2.1.1  最小二乘法基本原理/22

    2.1.2  最小二乘法与最大似然法/23

    2.2  线性参数的最小二乘拟合/24

    2.2.1  直线拟合/24

    2.2.2  一般线性参数方程/27

    2.2.3  最小二乘法数据拟合的统计性质/30

    2.2.4  两个变量都具有误差时的直线拟合/35

    2.3  非线性参数的最小二乘拟合/37

    2.3.1  可化为线性拟合方程的非线性参数估计/37

    2.3.2  非线性参数的一般处理方法/40

    2.4  多项式曲线拟合/43

    2.4.1  多项式拟合原理/44

    2.4.2  测量数据的光滑处理/46

    2.4.3  多项式拟合阶数的选取/51

    2.5  正交多项式族的应用/55

    2.5.1  曲线拟合中正交多项式族的使用/55

    2.5.2  正交多项式族的构成/57

    2.5.3  自变量等间距变化的直线方程计算/60

    2.5.4  自变量等间距变化时多项式拟合计算/60

    第3章  半导体物理基础/65

    3.1  固体能带理论基础/66

    3.2  载流子的准经典运动/70

    3.2.1  布洛赫电子的有效质量和运动速度/70

    3.2.2  能带填充与材料导电特性/71

    3.3  平衡载流子的统计分布/75

    3.3.1  载流子浓度计算/75

    3.3.2  本征半导体/77

    3.3.3  非本征半导体/78

    3.4  半导体中的载流子输运/79

    3.4.1  载流子的漂移运动/79

    3.4.2  载流子的扩散运动/79

    3.5  非平衡载流子/80

    3.5.1  非平衡载流子的注入与复合/80

    3.5.2  准费米能级/83

    3.6  连续性方程/85

    第4章  半导体材料的接触及能带结构测量/87

    4.1  材料的功函数/87

    4.2  pn结的能带结构及特性/90

    4.2.1  pn结的能带结构/92

    4..2.2  pn结内的电场强度/92

    4.2.3  空间电荷区宽度和结电容/95

    4.3  金属和半导体接触/99

    4.4  材料费米能级及界面接触势垒的测试方法/101

    4.4.1  紫外光电子能谱/102

    4.4.2  开尔文探针/103

    第5章  半导体缺陷及测量/105

    5.1  载流子的产生 - 复合理论/105

    5.1.1  间接复合/106

    5.1.2  表面复合/110

    5.1.3  陷阱效应/111

    5.1.4  缺陷能级填充的动态描述/112

    5.2  电容法测量缺陷浓度/114

    5.2.1  稳态电容测量/116

    5.2.2  瞬态电容测量/116

    5.3  深能级瞬态谱(DLTS)/122

    5.4  导纳谱测试/123

    5.5  空间电荷限制电流法/124

    第6章 载流子迁移率的测量/126

    6.1  霍尔效应测量载流子迁移率/126

    6.2  飞行时间漂移迁移率/129

    6.3  空间电荷限制电流法/131

    第7章 载流子动力学/134

    7.1  影响过剩载流子寿命的过程/134

    7.2  时间分辨光致发光光谱/135

    7.3  瞬态吸收光谱/138

    7.4  光电导衰减法/140

    7.5  瞬态光电压谱/142

    第8章 太阳能电池的基本原理及表征/144

    8.1  半导体材料及器件的光学性能/144

    8.1.1  椭偏仪工作原理及材料光学常数的测量/145

    8.1.2  减反射膜/147

    8.1.3  陷光结构/148

    8.2  太阳能电池工作机制及等效电路/148

    8.3  太阳能电池能量转换效率/151

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