Springer手册精选系列·晶体生长手册（第5册）：晶体生长模型及缺陷表征（影印版）

作者: [美] 德哈纳拉（Govindhan Dhanaraj）编 , [美] 德哈纳拉（Govindhan Dhanaraj）编

出版社: 哈尔滨工业大学出版社

出版时间: 2013-01

版次: 1

ISBN: 9787560338705

定价: 76.00

装帧: 平装

开本: 16开

纸张: 胶版纸

页数: 367页

正文语种: 英语

原版书名: Springer Handbook of Crystal Growth

丛书: Springer手册精选系列

分类: 自然科学

3 张插图图片

10人买过

　　《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第5册）：晶体生长模型及缺陷表征（影印版）》介绍了生长工艺和缺陷形成的模型。这些章节验证了工艺参数和产生晶体质量问题包括缺陷形成的直接相互作用关系。随后的PartG展示了结晶材料特性和分析的发展。PartF和G说明了预测工具和分析技术在帮助高质量的大尺寸晶体生长工艺的设计和控制方面是非常好用的。　　GovindhanDhanarajistheManagerofCrystalGrowthTechnologiesatAdvancedRenewableEnergyCompany（ARCEnergy）atNashua，NewHampshire（USA）focusingonthegrowthoflargesizesapphirecrystalsforLEDlightingapplications，characterizationandrelatedcrystalgrowthfurnacedevelopment.HereceivedhisPhDfromtheIndianInstituteofScience，BangaloreandhisMasterofSciencefromAnnaUniversity（India）.Immediatelyafterhisdoctoraldegree，Dr.DhanarajjoinedaNationalLaboratory，presentlyknownasRajaramannaCenterforAdvancedTechnologyinIndia，whereheestablishedanadvancedCrystalGrowthLaboratoryforthegrowthofopticalandlasercrystals.PriortojoiningARCEnergy，Dr.DhanarajservedasaResearchProfessorattheDepartmentofMaterialsScienceandEngineering，StonyBrookUniversity，NY，andalsoheldapositionofResearchAssistantProfessoratHamptonUniversity，VA.Duringhis25yearsoffocusedexpertiseincrystalgrowthresearch，hehasdevelopedoptical，laserandsemiconductorbulkcrystalsandSiCepitaxialfilmsusingsolution，flux，Czochralski，Bridgeman，gelandvapormethods，andcharacterizedthemusingx-raytopography，synchrotrontopography，chemicaletchingandopticalandatomicforcemicroscopictechniques.Heco-organizedasymposiumonIndustrialCrystalGrowthunderthe17thAmericanConferenceonCrystalGrowthandEpitaxyinconjunctionwiththe14thUSBiennialWorkshoponOrganometallicVaporPhaseEpitaxyheldatLakeGeneva，WIin2009.Dr.Dhanarajhasdeliveredinvitedlecturesandalsoservedassessionchairmaninmanycrystalgrowthandmaterialssciencemeetings.Hehaspublishedover100papersandhisresearcharticleshaveattractedover250richcitations. 缩略语
PartF晶体生长及缺陷模型
36熔体生长晶体体材料的传导和控制
36.1运输过程的物理定律
36.2熔体的流动结构
36.3外力对流动的控制
36.4前景
参考文献

37Ⅲ族氮化物的气相生长
37.1Ⅲ族氮化物的气相生长概述
37.2AIN/GaN气相淀积的数学模型
37.3气相淀积AIN/GaN的表征
37.4GaN的IVPE生长模型——个案研究
37.5气相GaN/AIN膜生长的表面形成
37.6结语
参考文献

38生长直拉硅晶体中连续尺寸量子缺陷动力学
38.1微缺陷的发现
38.2无杂质时的缺陷动力学
38.3有氧时的直拉缺陷动力学
38.4有氮时的直拉缺陷动力学
38.5直拉硅单晶中空位的横向合并
38.6结论
参考文献

39熔体基底化合物晶体生长中应力和位错产生的模型
39.1综述
39.2晶体生长过程
39.3半导体材料的位错分布
39.4位错产生的模型
39.5晶体的金刚石结构
39.6半导体的变形特性
39.7Haasen模型对晶体生长的应用
39.8替代模式
39.9模型概述和数值实现
39.10数值结果
39.11总结
参考文献

40BS和EFG系统中的质量和热量传输
40.1杂质分布的基预测模型——垂直BS系统
40.2杂质分布的基预测模型-EFG系统
参考文献

PartG缺陷表征及技术
41晶体层结构的X射线衍射表征
41.1X射线衍射
41.2层结构的基本直接X射线衍射分析
41.3设备和理论思考
41.4从低到高的复杂性分析实例
41.5快速分析
41.6薄膜微映射
41.7展望
参考文献

42晶体缺陷表征的X射线形貌技术
42.1X射线形貌的基本原则
42.2X射线形貌技术的发展历史
42.3X射线形貌技术和几何学
42.4X射线形貌技术理论背景
42.5X射线形貌上缺陷的对比原理
42.6X射线形貌上的缺陷分析
42.7目前的应用状况和发展
参考文献
……
43半导体的缺陷选择性刻蚀
44晶体的透射电子显微镜表征
45点缺陷的电子自旋共振表征
46半导体缺陷特性的正电子湮没光谱表征
内容简介:
　　《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第5册）：晶体生长模型及缺陷表征（影印版）》介绍了生长工艺和缺陷形成的模型。这些章节验证了工艺参数和产生晶体质量问题包括缺陷形成的直接相互作用关系。随后的PartG展示了结晶材料特性和分析的发展。PartF和G说明了预测工具和分析技术在帮助高质量的大尺寸晶体生长工艺的设计和控制方面是非常好用的。
作者简介:
　　GovindhanDhanarajistheManagerofCrystalGrowthTechnologiesatAdvancedRenewableEnergyCompany（ARCEnergy）atNashua，NewHampshire（USA）focusingonthegrowthoflargesizesapphirecrystalsforLEDlightingapplications，characterizationandrelatedcrystalgrowthfurnacedevelopment.HereceivedhisPhDfromtheIndianInstituteofScience，BangaloreandhisMasterofSciencefromAnnaUniversity（India）.Immediatelyafterhisdoctoraldegree，Dr.DhanarajjoinedaNationalLaboratory，presentlyknownasRajaramannaCenterforAdvancedTechnologyinIndia，whereheestablishedanadvancedCrystalGrowthLaboratoryforthegrowthofopticalandlasercrystals.PriortojoiningARCEnergy，Dr.DhanarajservedasaResearchProfessorattheDepartmentofMaterialsScienceandEngineering，StonyBrookUniversity，NY，andalsoheldapositionofResearchAssistantProfessoratHamptonUniversity，VA.Duringhis25yearsoffocusedexpertiseincrystalgrowthresearch，hehasdevelopedoptical，laserandsemiconductorbulkcrystalsandSiCepitaxialfilmsusingsolution，flux，Czochralski，Bridgeman，gelandvapormethods，andcharacterizedthemusingx-raytopography，synchrotrontopography，chemicaletchingandopticalandatomicforcemicroscopictechniques.Heco-organizedasymposiumonIndustrialCrystalGrowthunderthe17thAmericanConferenceonCrystalGrowthandEpitaxyinconjunctionwiththe14thUSBiennialWorkshoponOrganometallicVaporPhaseEpitaxyheldatLakeGeneva，WIin2009.Dr.Dhanarajhasdeliveredinvitedlecturesandalsoservedassessionchairmaninmanycrystalgrowthandmaterialssciencemeetings.Hehaspublishedover100papersandhisresearcharticleshaveattractedover250richcitations.
目录:
缩略语
PartF晶体生长及缺陷模型
36熔体生长晶体体材料的传导和控制
36.1运输过程的物理定律
36.2熔体的流动结构
36.3外力对流动的控制
36.4前景
参考文献

37Ⅲ族氮化物的气相生长
37.1Ⅲ族氮化物的气相生长概述
37.2AIN/GaN气相淀积的数学模型
37.3气相淀积AIN/GaN的表征
37.4GaN的IVPE生长模型——个案研究
37.5气相GaN/AIN膜生长的表面形成
37.6结语
参考文献

38生长直拉硅晶体中连续尺寸量子缺陷动力学
38.1微缺陷的发现
38.2无杂质时的缺陷动力学
38.3有氧时的直拉缺陷动力学
38.4有氮时的直拉缺陷动力学
38.5直拉硅单晶中空位的横向合并
38.6结论
参考文献

39熔体基底化合物晶体生长中应力和位错产生的模型
39.1综述
39.2晶体生长过程
39.3半导体材料的位错分布
39.4位错产生的模型
39.5晶体的金刚石结构
39.6半导体的变形特性
39.7Haasen模型对晶体生长的应用
39.8替代模式
39.9模型概述和数值实现
39.10数值结果
39.11总结
参考文献

40BS和EFG系统中的质量和热量传输
40.1杂质分布的基预测模型——垂直BS系统
40.2杂质分布的基预测模型-EFG系统
参考文献

PartG缺陷表征及技术
41晶体层结构的X射线衍射表征
41.1X射线衍射
41.2层结构的基本直接X射线衍射分析
41.3设备和理论思考
41.4从低到高的复杂性分析实例
41.5快速分析
41.6薄膜微映射
41.7展望
参考文献

42晶体缺陷表征的X射线形貌技术
42.1X射线形貌的基本原则
42.2X射线形貌技术的发展历史
42.3X射线形貌技术和几何学
42.4X射线形貌技术理论背景
42.5X射线形貌上缺陷的对比原理
42.6X射线形貌上的缺陷分析
42.7目前的应用状况和发展
参考文献
……
43半导体的缺陷选择性刻蚀
44晶体的透射电子显微镜表征
45点缺陷的电子自旋共振表征
46半导体缺陷特性的正电子湮没光谱表征