半导体物理学
出版时间:
1998-10
版次:
1
ISBN:
9787560510101
定价:
30.00
装帧:
平装
开本:
16开
纸张:
胶版纸
页数:
386页
字数:
603千字
71人买过
-
《半导体物理学》较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面——包括pn结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、半导体异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体。
《高等学校电子信息类规划教材：半导体物理学》可作为工科电子信息类微电子技术、半导体器件专业学生的教材，也可供从事相关专业的科技人员参考。 主经参数符号表
第1章半导体中的电子状态
1.1半导体的晶格结构和结合性质
1.2半导体中的电子状态和能带
1.3半导体中电子的运动有效质量
1.4本征半导体的导电机构空穴
1.5回旋共振
1.6硅和锗的能带结构
1.7Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构
1.8Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能带结构
习题
参考资料
第2章半导体中杂质和缺陷能级
2.1硅、锗晶体中的杂质能级
2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级
2.3缺陷、位错能级
习题
参考资料
第3章半导体中载流子的统计分布
3.1状态密度
3.2费米能级和载流子的统计分布
3.3本征半导体的载流子浓度
3.4杂质半导体的载流子浓度
3.5一般情况下的载流子统计分布
3.6简并半导体
补充材料：电子占据杂质能级的概率
习题
参考资料
第4章半导体的导电性
4.1载流子的漂移运动迁移率
4.2载流子的散射
4.3迁移率与杂质浓度和温度的关系
4.4电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
4.5玻耳兹曼方程电导率的统计理论
4.6强电场下的效应热载流子
4.7多能谷散射耿氏效应
第5章非平衡载流子
5.1非平衡载流子的注入与复合
5.2非平衡载流子的寿命
5.3准费米能级
5.4复合理论
5.5陷阱效应
5.6载流子的扩散运动
5.7载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式
5.8连续性方程式
第6章p-n结
……
第7章金属和半导体的接触
第8章半导全权表现与MIS结构
第9章异质结
第10章半导体的光学性质与光电与发光现象
第11章半导体的热电性质
第12章半导体磁和压阻效应
第13章非晶态半导体
附录
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内容简介:
《半导体物理学》较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面——包括pn结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、半导体异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体。
《高等学校电子信息类规划教材：半导体物理学》可作为工科电子信息类微电子技术、半导体器件专业学生的教材，也可供从事相关专业的科技人员参考。
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目录:
主经参数符号表
第1章半导体中的电子状态
1.1半导体的晶格结构和结合性质
1.2半导体中的电子状态和能带
1.3半导体中电子的运动有效质量
1.4本征半导体的导电机构空穴
1.5回旋共振
1.6硅和锗的能带结构
1.7Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构
1.8Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能带结构
习题
参考资料
第2章半导体中杂质和缺陷能级
2.1硅、锗晶体中的杂质能级
2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级
2.3缺陷、位错能级
习题
参考资料
第3章半导体中载流子的统计分布
3.1状态密度
3.2费米能级和载流子的统计分布
3.3本征半导体的载流子浓度
3.4杂质半导体的载流子浓度
3.5一般情况下的载流子统计分布
3.6简并半导体
补充材料：电子占据杂质能级的概率
习题
参考资料
第4章半导体的导电性
4.1载流子的漂移运动迁移率
4.2载流子的散射
4.3迁移率与杂质浓度和温度的关系
4.4电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
4.5玻耳兹曼方程电导率的统计理论
4.6强电场下的效应热载流子
4.7多能谷散射耿氏效应
第5章非平衡载流子
5.1非平衡载流子的注入与复合
5.2非平衡载流子的寿命
5.3准费米能级
5.4复合理论
5.5陷阱效应
5.6载流子的扩散运动
5.7载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式
5.8连续性方程式
第6章p-n结
……
第7章金属和半导体的接触
第8章半导全权表现与MIS结构
第9章异质结
第10章半导体的光学性质与光电与发光现象
第11章半导体的热电性质
第12章半导体磁和压阻效应
第13章非晶态半导体
附录
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